Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2319CES-T1_GE3
SQ2319CES-T1_GE3

SQ2319CES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2319ces.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.10 грн
11+27.54 грн
50+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2319CES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

Інші пропозиції SQ2319CES-T1_GE3 за ціною від 10.22 грн до 52.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ2319CES-T1_GE3 SQ2319CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq2319ces.pdf MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 30825 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+52.81 грн
14+23.26 грн
100+17.78 грн
500+13.41 грн
3000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3 SQ2319CES-T1_GE3 VISHAY 4796797.pdf Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3 sq2319ces.pdf
SQ2319CES-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 30825 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.81 грн
14+23.26 грн
100+17.78 грн
500+13.41 грн
3000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3 4796797.pdf
SQ2319CES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.