SQ2319CES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.20 грн |
| 9000+ | 8.53 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2319CES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Інші пропозиції SQ2319CES-T1_GE3 за ціною від 12.07 грн до 44.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ2319CES-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 |
на замовлення 16243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQ2319CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 16490 шт: термін постачання 131-140 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SQ2319CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ2319CES-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
на замовлення 16243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.68 грн |
| 12+ | 26.64 грн |
| 50+ | 19.35 грн |
| 100+ | 15.96 грн |
| 500+ | 12.07 грн |
| SQ2319CES-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 16490 шт:
термін постачання 131-140 дні (днів)
| SQ2319CES-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)