на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2325ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ2325ES-T1_GE3 за ціною від 16.11 грн до 77.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Pulsed drain current: -2A Drain current: -1A Gate charge: 10nC On-state resistance: 4.4Ω Gate-source voltage: ±20V Application: automotive industry |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Pulsed drain current: -2A Drain current: -1A Gate charge: 10nC On-state resistance: 4.4Ω Gate-source voltage: ±20V Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 161808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |