
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 13.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2325ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ2325ES-T1_GE3 за ціною від 15.35 грн до 83.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 174729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SQ2325ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |