Продукція > VISHAY > SQ2325ES-T1_GE3
SQ2325ES-T1_GE3

SQ2325ES-T1_GE3 Vishay

sq2325es.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2325ES-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2325ES-T1_GE3 за ціною від 15.96 грн до 61.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006544.pdf Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.14 грн
500+22.17 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2325es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2A
Application: automotive industry
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.25 грн
12+34.98 грн
47+19.89 грн
128+18.79 грн
1500+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2325es.pdf MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 169899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.09 грн
10+39.57 грн
100+25.88 грн
500+22.41 грн
1000+19.77 грн
3000+17.36 грн
6000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2325es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.90 грн
10+43.59 грн
47+23.86 грн
128+22.54 грн
1500+22.36 грн
3000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2325es.pdf Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.80 грн
50+43.26 грн
100+30.56 грн
500+23.58 грн
1500+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1-GE3 SQ2325ES-T1-GE3 Виробник : Vishay sq2325es.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.