
SQ2361CEES-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 21.71 грн |
500+ | 15.36 грн |
1000+ | 12.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2361CEES-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ2361CEES-T1_GE3 за ціною від 10.06 грн до 50.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQ2361CEES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 30048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2361CEES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1_GE3 | Виробник : Vishay | SQ2361CEES-T1_GE3 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
SQ2361CEES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Vishay 60V P-CHANNEL (D-S) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1/GE3 | Виробник : Vishay | Vishay |
товару немає в наявності |