Продукція > VISHAY > SQ2361CEES-T1_GE3
SQ2361CEES-T1_GE3

SQ2361CEES-T1_GE3 VISHAY


VISH-S-A0020768752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.71 грн
500+15.36 грн
1000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2361CEES-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQ2361CEES-T1_GE3 за ціною від 10.06 грн до 50.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2361CEES-T1_GE3 SQ2361CEES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 30048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.29 грн
12+29.65 грн
100+19.28 грн
500+15.12 грн
1000+11.64 грн
2500+10.59 грн
5000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3 SQ2361CEES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0020768752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.30 грн
26+33.00 грн
100+21.71 грн
500+15.36 грн
1000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3 Виробник : Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3 Виробник : Vishay SQ2361CEES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3 SQ2361CEES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-GE3 Виробник : Vishay Vishay 60V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1/GE3 Виробник : Vishay Vishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.