SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.29 грн |
| 6000+ | 13.55 грн |
| 9000+ | 12.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.
Інші пропозиції SQ2364EES-T1_GE3 за ціною від 16.01 грн до 79.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2364EES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 4247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQ2364EES-T1_GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.3A Gate charge: 2nC On-state resistance: 245mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SQ2364EES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 4247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id |
на замовлення 117219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQ2364EES-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 33.98 грн |
| 500+ | 26.79 грн |
| 1500+ | 22.50 грн |
| SQ2364EES-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.71 грн |
| 10+ | 37.81 грн |
| 100+ | 24.59 грн |
| 500+ | 17.73 грн |
| 1000+ | 16.01 грн |
| SQ2364EES-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Gate charge: 2nC
On-state resistance: 245mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Gate charge: 2nC
On-state resistance: 245mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 66.83 грн |
| 10+ | 44.53 грн |
| 25+ | 35.98 грн |
| 50+ | 30.44 грн |
| 100+ | 26.33 грн |
| SQ2364EES-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 79.33 грн |
| 50+ | 49.58 грн |
| 100+ | 33.98 грн |
| 500+ | 26.79 грн |
| 1500+ | 22.50 грн |
| SQ2364EES-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 117219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)