Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2364EES-T1_GE3
SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2364ees.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.45 грн
6000+13.50 грн
9000+13.23 грн
15000+11.94 грн
21000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQ2364EES-T1_GE3 за ціною від 13.01 грн до 69.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+27.66 грн
469+26.09 грн
471+25.99 грн
540+21.85 грн
1000+19.31 грн
2000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014527063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.57 грн
500+22.48 грн
1500+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+42.35 грн
292+41.89 грн
415+29.52 грн
419+28.17 грн
540+20.25 грн
1000+16.82 грн
3000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.25 грн
12+35.14 грн
25+30.26 грн
38+24.45 грн
100+23.82 грн
105+23.11 грн
500+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.61 грн
10+36.71 грн
100+25.48 грн
500+18.37 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+54.26 грн
16+45.91 грн
25+45.37 грн
50+43.28 грн
100+28.24 грн
250+26.83 грн
500+20.82 грн
1000+18.02 грн
3000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.90 грн
10+43.79 грн
25+36.32 грн
38+29.34 грн
100+28.58 грн
105+27.73 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014527063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.34 грн
50+44.53 грн
100+31.57 грн
500+22.48 грн
1500+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2364ees.pdf MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 144692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.46 грн
10+43.13 грн
100+27.09 грн
500+20.83 грн
1000+18.79 грн
3000+14.19 грн
6000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1 GE3 Виробник : Vishay Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.