SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.23 грн |
| 6000+ | 13.50 грн |
| 9000+ | 12.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SQ2364EES-T1_GE3 за ціною від 11.86 грн до 79.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 6715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id |
на замовлення 117219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.3A Gate charge: 2nC On-state resistance: 245mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 6715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SQ2364EES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| SQ2364EES-T1 GE3 | Виробник : Vishay | Vishay 60V N-CHANNEL (D-S) |
товару немає в наявності |