Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2364EES-T1_GE3
SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2364ees.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.83 грн
6000+13.92 грн
9000+13.48 грн
15000+12.50 грн
21000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQ2364EES-T1_GE3 за ціною від 12.05 грн до 66.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+27.59 грн
469+26.03 грн
471+25.92 грн
540+21.80 грн
1000+19.26 грн
2000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.79 грн
500+22.07 грн
1500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+42.25 грн
292+41.79 грн
415+29.45 грн
419+28.10 грн
540+20.20 грн
1000+16.78 грн
3000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+46.91 грн
16+39.69 грн
25+39.23 грн
50+37.42 грн
100+24.41 грн
250+23.20 грн
500+18.00 грн
1000+15.58 грн
3000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.29 грн
11+37.24 грн
39+23.99 грн
106+22.68 грн
250+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+37.70 грн
100+26.66 грн
500+19.23 грн
1000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.70 грн
50+42.42 грн
100+29.79 грн
500+22.07 грн
1500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2364ees.pdf MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 111817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.09 грн
10+42.72 грн
100+26.19 грн
500+20.30 грн
1000+18.32 грн
3000+13.54 грн
9000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.35 грн
7+46.41 грн
39+28.78 грн
106+27.22 грн
250+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1 GE3 Виробник : Vishay Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.