SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 51.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ4917CEY-T1_GE3 за ціною від 30.10 грн до 156.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4917CEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4917CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4917CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE |
на замовлення 9578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917CEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4917CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs SO8 P CHAN 60V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1/GE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs |
товару немає в наявності |