SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.54 грн |
| 5000+ | 43.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 47.49 грн до 164.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 5W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 22307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V |
на замовлення 41589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SQ4917EY-T1"BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0 Verlustleistung, p-Kanal: 0 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Verlustleistung, n-Kanal: 0 Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQ4917EY-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 70.09 грн |
| 204+ | 69.27 грн |
| 205+ | 69.15 грн |
| 209+ | 65.32 грн |
| 1000+ | 60.38 грн |
| SQ4917EY-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 79.78 грн |
| 178+ | 79.37 грн |
| 179+ | 78.91 грн |
| 203+ | 67.12 грн |
| 250+ | 58.19 грн |
| 500+ | 53.70 грн |
| 1000+ | 51.87 грн |
| SQ4917EY-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 158+ | 89.73 грн |
| 165+ | 85.73 грн |
| 250+ | 82.28 грн |
| 500+ | 76.49 грн |
| 1000+ | 68.51 грн |
| 2500+ | 63.83 грн |
| SQ4917EY-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 95.39 грн |
| 10+ | 79.78 грн |
| 25+ | 79.37 грн |
| 50+ | 76.10 грн |
| 100+ | 62.15 грн |
| 250+ | 55.86 грн |
| 500+ | 53.70 грн |
| 1000+ | 51.87 грн |
| SQ4917EY-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 164.23 грн |
| 10+ | 101.37 грн |
| 100+ | 68.93 грн |
| 500+ | 51.68 грн |
| 1000+ | 47.49 грн |
| SQ4917EY-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQ4917EY-T1"BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)