Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4917EY-T1_BE3
SQ4917EY-T1_BE3

SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq4917ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.38 грн
5000+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 41.64 грн до 167.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+60.60 грн
204+59.89 грн
205+59.78 грн
209+56.47 грн
1000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+68.98 грн
178+68.62 грн
179+68.23 грн
203+58.03 грн
250+50.31 грн
500+46.43 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+76.58 грн
10+64.05 грн
25+63.72 грн
50+61.09 грн
100+49.90 грн
250+44.85 грн
500+43.11 грн
1000+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+77.58 грн
165+74.12 грн
250+71.14 грн
500+66.13 грн
1000+59.23 грн
2500+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4917ey.pdf MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.30 грн
10+93.06 грн
100+64.08 грн
250+62.39 грн
500+57.16 грн
1000+47.97 грн
2500+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1"BE3 SQ4917EY-T1"BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0004852750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.92 грн
10+105.64 грн
25+98.21 грн
50+85.83 грн
100+72.86 грн
250+67.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.12 грн
10+103.15 грн
100+70.14 грн
500+52.58 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.