Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4917EY-T1_BE3
SQ4917EY-T1_BE3

SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq4917ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.05 грн
5000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 45.71 грн до 176.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+61.77 грн
204+61.05 грн
205+60.94 грн
209+57.56 грн
1000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+70.31 грн
178+69.94 грн
179+69.54 грн
203+59.15 грн
250+51.28 грн
500+47.32 грн
1000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+79.08 грн
165+75.55 грн
250+72.51 грн
500+67.40 грн
1000+60.37 грн
2500+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+90.06 грн
10+75.33 грн
25+74.94 грн
50+71.85 грн
100+58.68 грн
250+52.74 грн
500+50.70 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4917ey.pdf MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.89 грн
10+98.21 грн
100+67.62 грн
250+65.83 грн
500+60.32 грн
1000+50.62 грн
2500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1"BE3 SQ4917EY-T1"BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0004852750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.99 грн
10+111.47 грн
25+103.64 грн
50+90.57 грн
100+76.89 грн
250+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.35 грн
10+108.85 грн
100+74.02 грн
500+55.49 грн
1000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.