SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq4917ey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.21 грн
5000+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 5W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 43.22 грн до 163.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Semiconductors sq4917ey.pdf MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+87.33 грн
100+60.13 грн
250+58.54 грн
500+53.64 грн
1000+45.01 грн
2500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+100.66 грн
100+68.45 грн
500+51.32 грн
1000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.95 грн
10+87.33 грн
100+60.13 грн
250+58.54 грн
500+53.64 грн
1000+45.01 грн
2500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.09 грн
10+100.66 грн
100+68.45 грн
500+51.32 грн
1000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.