Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4917EY-T1_BE3
SQ4917EY-T1_BE3

SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq4917ey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.13 грн
5000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 47.00 грн до 166.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+72.59 грн
204+71.75 грн
205+71.62 грн
209+67.65 грн
1000+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+82.63 грн
178+82.20 грн
179+81.73 грн
203+69.52 грн
250+60.26 грн
500+55.62 грн
1000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+92.94 грн
165+88.79 грн
250+85.22 грн
500+79.22 грн
1000+70.96 грн
2500+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.79 грн
10+82.63 грн
25+82.20 грн
50+78.81 грн
100+64.37 грн
250+57.85 грн
500+55.62 грн
1000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Semiconductors sq4917ey.pdf MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+121.75 грн
10+94.97 грн
100+65.39 грн
250+63.66 грн
500+58.33 грн
1000+48.95 грн
2500+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.28 грн
10+102.63 грн
100+69.79 грн
500+52.32 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1"BE3 SQ4917EY-T1"BE3 VISHAY VISH-S-A0004852750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+72.59 грн
204+71.75 грн
205+71.62 грн
209+67.65 грн
1000+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
177+82.63 грн
178+82.20 грн
179+81.73 грн
203+69.52 грн
250+60.26 грн
500+55.62 грн
1000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+92.94 грн
165+88.79 грн
250+85.22 грн
500+79.22 грн
1000+70.96 грн
2500+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+98.79 грн
10+82.63 грн
25+82.20 грн
50+78.81 грн
100+64.37 грн
250+57.85 грн
500+55.62 грн
1000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.75 грн
10+94.97 грн
100+65.39 грн
250+63.66 грн
500+58.33 грн
1000+48.95 грн
2500+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.28 грн
10+102.63 грн
100+69.79 грн
500+52.32 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1"BE3 VISH-S-A0004852750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ4917EY-T1"BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.