SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 47.72 грн |
| 5000+ | 43.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 41.54 грн до 164.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4917EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ4917EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V |
на замовлення 41589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ4917EY-T1"BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0 Verlustleistung, p-Kanal: 0 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Verlustleistung, n-Kanal: 0 Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 22307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|