Продукція > VISHAY > SQ4940CEY-T1_GE3
SQ4940CEY-T1_GE3

SQ4940CEY-T1_GE3 VISHAY

4130692.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.84 грн
500+25.49 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4940CEY-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQ4940CEY-T1_GE3 за ціною від 17.44 грн до 69.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4940CEY-T1_GE3 SQ4940CEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY 4130692.pdf Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+53.69 грн
17+48.14 грн
100+32.84 грн
500+25.49 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940CEY-T1_GE3 SQ4940CEY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.24 грн
10+49.27 грн
100+29.28 грн
500+24.40 грн
1000+21.38 грн
2500+18.16 грн
5000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940CEY-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.