Продукція > VISHAY SILICONIX > SQD40N10-25_GE3
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3 Vishay Siliconix

sqd40n10-25.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.59 грн
10+315.89 грн
100+229.78 грн
500+181.22 грн
1000+179.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD40N10-25_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQD40N10-25_GE3 за ціною від 206.46 грн до 497.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQD40N10-25_GE3 SQD40N10-25_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd40n10-25.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.12 грн
10+377.20 грн
100+238.68 грн
500+206.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25-GE3 SQD40N10-25-GE3 Виробник : Vishay sqd40n10-25.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3 SQD40N10-25_GE3 Виробник : Vishay sqd40n10-25.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3 SQD40N10-25_GE3 Виробник : Vishay doc69064.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3 SQD40N10-25_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40n10-25.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25-GE3 SQD40N10-25-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.