Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

sqd40n10-25.pdf
Код товару: 200347
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQD40N10-25_GE3 за ціною від 226.88 грн до 470.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQD40N10-25_GE3 SQD40N10-25_GE3 Vishay Siliconix sqd40n10-25.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.02 грн
10+305.31 грн
100+226.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3 SQD40N10-25_GE3 Vishay / Siliconix sqd40n10-25.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3 sqd40n10-25.pdf
SQD40N10-25_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.02 грн
10+305.31 грн
100+226.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25_GE3 sqd40n10-25.pdf
SQD40N10-25_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.