Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ174EP-T1_GE3
SQJ174EP-T1_GE3

SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj174ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ174EP-T1_GE3 за ціною від 50.54 грн до 130.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ174EP-T1_GE3 SQJ174EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj174ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.05 грн
10+ 97.64 грн
100+ 77.73 грн
500+ 61.72 грн
1000+ 52.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ174EP-T1_GE3 SQJ174EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj174ep.pdf MOSFET PowerPAK SO-8L BWL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.07 грн
10+ 106.72 грн
100+ 74.11 грн
250+ 68.1 грн
500+ 62.09 грн
1000+ 53.14 грн
2500+ 50.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ174EP-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFET
товар відсутній