Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ174EP-T1_GE3
SQJ174EP-T1_GE3

SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj174ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQJ174EP-T1_GE3 за ціною від 52.50 грн до 193.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ174EP-T1_GE3 SQJ174EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj174ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.33 грн
10+110.14 грн
100+76.45 грн
500+57.67 грн
1000+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3 SQJ174EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj174ep.pdf MOSFETs PowerPAK SO-8L BWL
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.90 грн
10+123.96 грн
100+73.71 грн
500+59.39 грн
1000+55.49 грн
3000+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj174ep.pdf N-CHANNEL 60 V (D-S) SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.