Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ186ELP-T1_GE3
SQJ186ELP-T1_GE3

SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj186elp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.21 грн
10+ 47.62 грн
100+ 37.06 грн
500+ 29.47 грн
1000+ 24.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ186ELP-T1_GE3 за ціною від 22.2 грн до 398.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ186ELP-T1_GE3 SQJ186ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj186elp.pdf MOSFET Automotive N-Channel 80V D-S 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL , 12.5 mO 10V
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.4 грн
10+ 52.96 грн
100+ 35.85 грн
500+ 30.35 грн
1000+ 27.43 грн
3000+ 23.32 грн
6000+ 22.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ186ELP-T1-GE3 SQJ186ELP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+398.87 грн
10+ 352.79 грн
100+ 251.78 грн
500+ 214.01 грн
1000+ 180.88 грн
2000+ 163.66 грн
SQJ186ELP-T1_GE3 SQJ186ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj186elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQJ186ELP-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFET
товар відсутній