Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 13245278-3
Price: 129630.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	43.21 грн
6000+	38.93 грн
9000+	37.56 грн
15000+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції SQJ211ELP-T1_GE3 за ціною від 40.08 грн до 171.89 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	67.55 грн
212+	67.16 грн
230+	61.80 грн
250+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 210 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.68 грн
12+	67.55 грн
25+	67.16 грн
100+	59.60 грн
250+	52.92 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.50 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1"GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.05 грн
10+	99.39 грн
25+	90.43 грн
50+	76.40 грн
100+	64.17 грн
500+	51.11 грн
1000+	46.92 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.97 грн
10+	94.71 грн
100+	64.22 грн
500+	48.00 грн
1000+	44.06 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.49 грн
10+	101.18 грн
100+	59.49 грн
500+	47.41 грн
1000+	43.57 грн
3000+	40.08 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.89 грн
10+	109.16 грн
100+	72.50 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
210+	67.55 грн
212+	67.16 грн
230+	61.80 грн
250+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 210 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	71.68 грн
12+	67.55 грн
25+	67.16 грн
100+	59.60 грн
250+	52.92 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	72.50 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1"GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	136.05 грн
10+	99.39 грн
25+	90.43 грн
50+	76.40 грн
100+	64.17 грн
500+	51.11 грн
1000+	46.92 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	153.97 грн
10+	94.71 грн
100+	64.22 грн
500+	48.00 грн
1000+	44.06 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	160.49 грн
10+	101.18 грн
100+	59.49 грн
500+	47.41 грн
1000+	43.57 грн
3000+	40.08 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	171.89 грн
10+	109.16 грн
100+	72.50 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.