 
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 40.42 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024). 
Інші пропозиції SQJ211ELP-T1_GE3 за ціною від 39.25 грн до 147.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 751 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4252 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 751 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8315 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |  MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 15389 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4252 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
| SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 33.6A; 68W; SO8; automotive industry Type of transistor: P-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 33.6A Power dissipation: 68W Case: SO8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 32.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| SQJ211ELP-T1_GE3 Код товару: 214086 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності |