Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3

sqj211elp.pdf
Код товару: 214086
Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
очікується 105 шт:
105 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQJ211ELP-T1_GE3 за ціною від 38.96 грн до 168.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+72.59 грн
169+71.87 грн
204+59.76 грн
250+57.05 грн
500+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.87 грн
500+56.85 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+88.78 грн
10+77.77 грн
25+77.00 грн
100+61.75 грн
250+56.60 грн
500+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj211elp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 15544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.53 грн
10+96.76 грн
100+60.33 грн
500+48.13 грн
1000+45.02 грн
3000+39.49 грн
6000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.40 грн
10+106.29 грн
100+76.87 грн
500+56.85 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.08 грн
10+103.51 грн
100+70.14 грн
500+52.44 грн
1000+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj211elp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 33.6A; 68W; SO8; automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33.6A
Power dissipation: 68W
Case: SO8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 32.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.