Інші пропозиції SQJ211ELP-T1_GE3 за ціною від 35.06 грн до 171.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 5135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ211ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
| BSS139H6327XTSA1 Код товару: 185807
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Монтаж: SMD
Корпус: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується:
40 шт
40 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14.50 грн |
| 10+ | 13.20 грн |
| ALT3232M-151-T001 Код товару: 195315
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
очікується:
180 шт
180 шт - очікується
| 217182-0001 Код товару: 188053
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
очікується:
30 шт
30 шт - очікується
| MBR230LSFT1G Код товару: 138011
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
очікується:
30 шт
30 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.00 грн |






