Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 13245278-3
Price: 120000.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	40.00 грн
6000+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ211ELP-T1_GE3 за ціною від 35.26 грн до 142.77 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	41.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	44.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	49.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	52.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	72.51 грн
500+	53.66 грн
1000+	46.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
168+	76.80 грн
169+	76.04 грн
204+	63.24 грн
250+	60.37 грн
500+	45.09 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	89.52 грн
10+	82.29 грн
25+	81.47 грн
100+	65.33 грн
250+	59.89 грн
500+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : Vishay / Siliconix

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	125.65 грн
10+	87.57 грн
100+	54.60 грн
500+	43.56 грн
1000+	40.75 грн
3000+	35.40 грн
6000+	35.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	137.66 грн
10+	100.84 грн
100+	72.51 грн
500+	53.66 грн
1000+	46.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	142.77 грн
10+	87.69 грн
100+	59.44 грн
500+	44.43 грн
1000+	42.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3
Код товару: 214086

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.