Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3

sqj211elp.pdf
Код товару: 214086
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQJ211ELP-T1_GE3 за ціною від 35.60 грн до 157.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.02 грн
6000+39.65 грн
9000+38.26 грн
15000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.25 грн
212+66.86 грн
230+61.53 грн
250+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay sqj211elp.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.36 грн
12+67.25 грн
25+66.86 грн
100+59.33 грн
250+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj211elp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.20 грн
10+96.47 грн
100+65.41 грн
500+48.89 грн
1000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1"GE3 SQJ211ELP-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj211elp.pdf MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 SQJ211ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.02 грн
6000+39.65 грн
9000+38.26 грн
15000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+67.25 грн
212+66.86 грн
230+61.53 грн
250+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.36 грн
12+67.25 грн
25+66.86 грн
100+59.33 грн
250+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.20 грн
10+96.47 грн
100+65.41 грн
500+48.89 грн
1000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1"GE3
SQJ211ELP-T1"GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 sqj211elp.pdf
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3 VISH-S-A0011791499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ211ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS139H6327XTSA1
Код товару: 185807
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
BSS139H6327XTSA1
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 0,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 30 Ом
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+13.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ALT3232M-151-T001
Код товару: 195315
Додати до обраних Обраний товар
trans_alt_en.pdf
Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Трансформатори інші
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
217182-0001
Код товару: 188053
Додати до обраних Обраний товар
2171820001?display=pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR230LSFT1G
Код товару: 138011
Додати до обраних Обраний товар
mbr230lsft1-d.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+5.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A
Код товару: 85022
Додати до обраних Обраний товар
ES1D-D.PDF
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
у наявності: 15 шт
  • 15 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.