Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJ459EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 6708881-3
Price: 109920.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	36.64 грн
6000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Інші пропозиції SQJ459EP-T1_GE3 за ціною від 32.52 грн до 161.08 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.34 грн
10+	81.77 грн
100+	51.29 грн
500+	40.73 грн
1000+	37.55 грн
3000+	33.00 грн
6000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.03 грн
10+	81.14 грн
100+	54.78 грн
500+	40.83 грн
1000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0014407285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

на замовлення 11077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.44 грн
10+	99.87 грн
100+	67.33 грн
500+	49.58 грн
1000+	41.97 грн
5000+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1"GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 52A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.08 грн
25+	103.09 грн
50+	86.18 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	110.34 грн
10+	81.77 грн
100+	51.29 грн
500+	40.73 грн
1000+	37.55 грн
3000+	33.00 грн
6000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	132.03 грн
10+	81.14 грн
100+	54.78 грн
500+	40.83 грн
1000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

на замовлення 11077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	155.44 грн
10+	99.87 грн
100+	67.33 грн
500+	49.58 грн
1000+	41.97 грн
5000+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1"GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ459EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 52A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	161.08 грн
25+	103.09 грн
50+	86.18 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.