Продукція > VISHAY > SQJ459EP-T1_GE3
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3 Vishay

sqj459ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ459EP-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ459EP-T1_GE3 за ціною від 33.87 грн до 113.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38.71 грн
6000+ 35.51 грн
9000+ 33.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
228+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 228
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614551.pdf Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+63.51 грн
500+ 50 грн
1000+ 35.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+80.71 грн
10+ 68.31 грн
25+ 67.63 грн
100+ 59.99 грн
250+ 54.98 грн
500+ 41.34 грн
1000+ 35.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.16 грн
10+ 73.72 грн
100+ 57.36 грн
500+ 45.62 грн
1000+ 37.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj459ep.pdf MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 44095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.48 грн
10+ 81.38 грн
100+ 55.41 грн
500+ 46.93 грн
1000+ 38.25 грн
3000+ 35.98 грн
6000+ 34.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614551.pdf Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+113.09 грн
10+ 85.38 грн
100+ 63.51 грн
500+ 50 грн
1000+ 35.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj459ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -52A; Idm: -200A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SQJ459EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj459ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -52A; Idm: -200A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній