Продукція > VISHAY > SQJ459EP-T1_BE3
SQJ459EP-T1_BE3

SQJ459EP-T1_BE3 Vishay

sqj459ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+54.63 грн
262+46.79 грн
500+41.00 грн
1000+37.09 грн
3000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ459EP-T1_BE3 Vishay

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SQJ459EP-T1_BE3 за ціною від 32.30 грн до 110.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.93 грн
12+58.53 грн
100+50.14 грн
500+42.36 грн
1000+36.80 грн
3000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.50 грн
10+74.99 грн
100+58.33 грн
500+46.40 грн
1000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj459ep.pdf MOSFETs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.93 грн
10+79.14 грн
100+50.03 грн
500+40.30 грн
1000+37.05 грн
3000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : VISHAY sqj459ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -52A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1-BE3 SQJ459EP-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFETs PPAKSO8 P-CH 60V 52A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1/BE3 Виробник : Vishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : VISHAY sqj459ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -52A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.