Продукція > VISHAY > SQJ459EP-T1_BE3
SQJ459EP-T1_BE3

SQJ459EP-T1_BE3 Vishay

sqj459ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+56.73 грн
262+48.59 грн
500+42.58 грн
1000+38.52 грн
3000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ459EP-T1_BE3 Vishay

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SQJ459EP-T1_BE3 за ціною від 33.93 грн до 116.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+69.50 грн
12+60.78 грн
100+52.06 грн
500+43.99 грн
1000+38.22 грн
3000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.34 грн
10+78.79 грн
100+61.29 грн
500+48.75 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj459ep.pdf MOSFETs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.55 грн
10+83.15 грн
100+52.57 грн
500+42.34 грн
1000+38.93 грн
3000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_BE3 SQJ459EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1-BE3 SQJ459EP-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFETs PPAKSO8 P-CH 60V 52A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1/BE3 Виробник : Vishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.