Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SQJ463EP-T1-GE3

SQJ463EP-T1-GE3

sqj463ep.pdf
Код товару: 170979
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQJ463EP-T1-GE3 за ціною від 105.02 грн до 299.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001245360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.95 грн
500+129.04 грн
1000+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj463ep.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.00 грн
10+196.15 грн
25+164.93 грн
100+137.44 грн
250+133.92 грн
500+122.64 грн
1000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj463ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.70 грн
10+177.91 грн
100+125.39 грн
500+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0001245360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.32 грн
10+216.26 грн
100+152.95 грн
500+129.04 грн
1000+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1-GE3 SQJ463EP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sqj463ep-65930.pdf MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 VISH-S-A0001245360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ463EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+152.95 грн
500+129.04 грн
1000+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 sqj463ep.pdf
SQJ463EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+236.00 грн
10+196.15 грн
25+164.93 грн
100+137.44 грн
250+133.92 грн
500+122.64 грн
1000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 sqj463ep.pdf
SQJ463EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+280.70 грн
10+177.91 грн
100+125.39 грн
500+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 VISH-S-A0001245360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ463EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+299.32 грн
10+216.26 грн
100+152.95 грн
500+129.04 грн
1000+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1-GE3 sqj463ep-65930.pdf
SQJ463EP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.