Продукція > VISHAY > SQJ463EP-T1_GE3
SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1_GE3 Vishay


sqj463ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ463EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 18, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQJ463EP-T1_GE3 за ціною від 80.09 грн до 239 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj463ep.pdf SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj463ep.pdf SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+105.44 грн
6000+ 101.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006521.pdf Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+140.59 грн
500+ 119.55 грн
1000+ 94.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj463ep.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.86 грн
10+ 183.57 грн
25+ 154.35 грн
100+ 128.62 грн
250+ 125.33 грн
500+ 114.77 грн
1000+ 98.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006521.pdf Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+239 грн
10+ 173.15 грн
100+ 140.59 грн
500+ 119.55 грн
1000+ 94.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ463EP-T1-GE3 SQJ463EP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj463ep-65930.pdf MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SQJ463EP-T1-GE3
Код товару: 170979
sqj463ep.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj463ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
товар відсутній
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj463ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
товар відсутній
SQJ463EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj463ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ463EP-T1-GE3 SQJ463EP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj463ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
товар відсутній
SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj463ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 28W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 28W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SQJ463EP-T1-GE3 SQJ463EP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049782.pdf Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj463ep.pdf SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
товар відсутній
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj463ep.pdf SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
товар відсутній
SQJ463EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj463ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 28W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 28W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній