Продукція > VISHAY > SQJ481EP-T1_GE3
SQJ481EP-T1_GE3

SQJ481EP-T1_GE3 Vishay

sqj481ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ481EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ481EP-T1_GE3 за ціною від 26.28 грн до 109.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.77 грн
6000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014527072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.83 грн
500+34.85 грн
1000+29.29 грн
5000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.52 грн
10+58.61 грн
100+45.58 грн
500+36.25 грн
1000+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj481ep.pdf MOSFETs -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 24151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.45 грн
10+64.09 грн
100+42.25 грн
500+34.83 грн
1000+29.24 грн
3000+27.40 грн
6000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014527072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.04 грн
14+65.01 грн
100+47.83 грн
500+34.85 грн
1000+29.29 грн
5000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj481ep.pdf SQJ481EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.54 грн
24+47.36 грн
66+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3
Код товару: 191995
Додати до обраних Обраний товар

sqj481ep.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj481ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.