SQJ481EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ481EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ481EP-T1_GE3 за ціною від 23.88 грн до 76.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ481EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0651 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0651ohm |
на замовлення 20150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ481EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -9.2A Power dissipation: 15W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ481EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ481EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 47707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ481EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -9.2A Power dissipation: 15W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ481EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0651 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0651ohm |
на замовлення 20150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQJ481EP-T1_GE3 Код товару: 191995 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
SQJ481EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQJ481EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |