Інші пропозиції SQJ960EP-T1_GE3 за ціною від 65.44 грн до 195.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 77842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJ960EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.52 грн |
| 10+ | 122.30 грн |
| 100+ | 84.35 грн |
| 500+ | 65.44 грн |
| SQJ960EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 77842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)