Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ960EP-T1_GE3
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj960ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.84 грн
10+154.75 грн
100+124.37 грн
500+95.89 грн
1000+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQJ960EP-T1_GE3 за ціною від 61.71 грн до 221.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj960ep.pdf MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 78058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.32 грн
10+141.93 грн
100+85.33 грн
500+70.78 грн
1000+67.50 грн
3000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1_GE3
Код товару: 186737
Додати до обраних Обраний товар

sqj960ep.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj960ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj960ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj960ep-1764713.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.