Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

sqj960ep.pdf
Код товару: 186737
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQJ960EP-T1_GE3 за ціною від 56.20 грн до 201.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj960ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.14 грн
10+122.07 грн
100+84.19 грн
500+65.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj960ep.pdf MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 78057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.56 грн
10+129.26 грн
100+77.71 грн
500+64.46 грн
1000+63.83 грн
3000+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj960ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj960ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj960ep-1764713.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.