Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM100P10-19L_GE3
SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix

sqm100p10-19l.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+123.13 грн
2400+107.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Інші пропозиції SQM100P10-19L_GE3 за ціною від 112.62 грн до 337.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 VISHAY SQM100P10-19L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Gate charge: 0.22µC
Polarisation: unipolar
Drain current: -53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 19mΩ
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.62 грн
5+216.22 грн
6+166.71 грн
16+157.63 грн
25+156.80 грн
50+151.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Vishay / Siliconix sqm100p10-19l.pdf MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 10501 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+326.78 грн
10+174.93 грн
100+136.76 грн
500+112.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix sqm100p10-19l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.07 грн
10+213.99 грн
50+166.58 грн
100+142.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 VISHAY sqm100p10-19l.pdf Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L"GE3 SQM100P10-19L"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQM100P10-19L"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 93A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 SQM100P10-19L.pdf
SQM100P10-19L_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Gate charge: 0.22µC
Polarisation: unipolar
Drain current: -53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 19mΩ
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.62 грн
5+216.22 грн
6+166.71 грн
16+157.63 грн
25+156.80 грн
50+151.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 sqm100p10-19l.pdf
SQM100P10-19L_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 10501 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.78 грн
10+174.93 грн
100+136.76 грн
500+112.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 sqm100p10-19l.pdf
SQM100P10-19L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.07 грн
10+213.99 грн
50+166.58 грн
100+142.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 sqm100p10-19l.pdf
SQM100P10-19L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L"GE3
SQM100P10-19L"GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM100P10-19L"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 93A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100P10-19L_GE3 VISH-S-A0004852729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM100P10-19L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM100P10-19L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 93 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.