Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM10250E_GE3
SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3 Vishay Siliconix

sqm10250e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+112.71 грн
2400+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM10250E_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQM10250E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 65 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції SQM10250E_GE3 за ціною від 130.37 грн до 392.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 Vishay Siliconix sqm10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.83 грн
10+197.08 грн
50+153.08 грн
100+130.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 Vishay sqm10250e.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+392.80 грн
10+273.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 Vishay sqm10250e.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+392.80 грн
52+273.27 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 Vishay / Siliconix sqm10250e.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 15163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM10250E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 65 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E"GE3 SQM10250E"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQM10250E"GE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 65A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 SQM10250E_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM10250E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 65 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 sqm10250e.pdf
SQM10250E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+310.83 грн
10+197.08 грн
50+153.08 грн
100+130.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 sqm10250e.pdf
SQM10250E_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+392.80 грн
10+273.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 sqm10250e.pdf
SQM10250E_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+392.80 грн
52+273.27 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 sqm10250e.pdf
SQM10250E_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 15163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 VISH-S-A0004852712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM10250E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM10250E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 65 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E"GE3
SQM10250E"GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM10250E"GE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 65A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM10250E_GE3 VISH-S-A0004852712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM10250E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM10250E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 65 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.