Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS142ENW-T1_GE3
SQS142ENW-T1_GE3

SQS142ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs142enw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.60 грн
6000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS142ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS142ENW-T1_GE3 за ціною від 22.16 грн до 72.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS142ENW-T1_GE3 SQS142ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs142enw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.48 грн
10+56.27 грн
100+38.93 грн
500+30.52 грн
1000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 SQS142ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs142enw.pdf MOSFETs
на замовлення 37239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.44 грн
10+62.62 грн
100+37.14 грн
500+31.04 грн
1000+27.15 грн
3000+22.97 грн
6000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs142enw.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqs142enw.pdf SQS142ENW-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.