Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J356R,LF
SSM3J356R,LF

SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.48 грн
6000+5.00 грн
9000+4.44 грн
15000+4.06 грн
21000+3.96 грн
30000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J356R,LF за ціною від 4.47 грн до 25.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 85188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.34 грн
21+15.18 грн
100+10.28 грн
500+7.53 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Виробник : Toshiba SSM3J356R_datasheet_en_20240723-1916485.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
на замовлення 108236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.97 грн
21+16.42 грн
100+9.66 грн
500+7.54 грн
1000+6.44 грн
3000+4.98 грн
9000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF
Код товару: 202544
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.