Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SSM3J356R,LF

SSM3J356R,LF

docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
Код товару: 202544
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SSM3J356R,LF за ціною від 4.73 грн до 32.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
6000+6.15 грн
9000+5.83 грн
15000+5.13 грн
21000+4.93 грн
30000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1496+9.39 грн
1643+8.55 грн
1821+7.72 грн
2044+6.63 грн
2326+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 1496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.59 грн
79+9.49 грн
80+9.39 грн
100+8.25 грн
250+6.89 грн
500+5.89 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 240629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.33 грн
16+19.12 грн
100+12.07 грн
500+8.47 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba 3832424344463241323432423337373644373943343836373739363536313530.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
на замовлення 62117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
SSM3J356R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.05 грн
6000+6.15 грн
9000+5.83 грн
15000+5.13 грн
21000+4.93 грн
30000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF docget.pdf
SSM3J356R,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1496+9.39 грн
1643+8.55 грн
1821+7.72 грн
2044+6.63 грн
2326+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 1496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF docget.pdf
SSM3J356R,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+14.59 грн
79+9.49 грн
80+9.39 грн
100+8.25 грн
250+6.89 грн
500+5.89 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
SSM3J356R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 240629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.33 грн
16+19.12 грн
100+12.07 грн
500+8.47 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF 3832424344463241323432423337373644373943343836373739363536313530.pdf
SSM3J356R,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
на замовлення 62117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.