STD16N65M5

STD16N65M5 STMicroelectronics


en.CD00288956.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD16N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STD16N65M5 за ціною від 90.16 грн до 269.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+105.19 грн
5000+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+106.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+113.28 грн
5000+110.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+113.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.18 грн
5+166.66 грн
7+145.25 грн
17+137.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.42 грн
10+173.83 грн
25+172.09 грн
100+135.43 грн
250+120.09 грн
500+105.85 грн
1000+90.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.21 грн
10+151.75 грн
100+123.72 грн
500+106.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+220.14 грн
66+185.33 грн
100+145.85 грн
250+129.32 грн
500+114.00 грн
1000+97.09 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.01 грн
5+207.68 грн
7+174.30 грн
17+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.81 грн
10+184.42 грн
100+134.20 грн
500+106.26 грн
1000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5-1850551.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.71 грн
10+189.90 грн
25+164.40 грн
100+119.63 грн
500+102.75 грн
1000+96.14 грн
2500+95.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5
Код товару: 189591
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00288956.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 Виробник : STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.