Інші пропозиції STD16N65M5 за ціною від 72.68 грн до 263.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V |
на замовлення 4948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD16N65M5 | Виробник : STM |
MOSFET 650V 0.299 OHM Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| Силіконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) червоний Код товару: 181953
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
товару немає в наявності
очікується:
50000 м
30000 м - очікується 03.07.2026
20000 м - очікується 28.08.2026
20000 м - очікується 28.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 15.50 грн |
| 100+ | 13.88 грн |
| 1000+ | 13.09 грн |
| DF10S Код товару: 174961
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: SMD
у наявності: 8748 шт
8492 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
117 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
117 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.30 грн |
| 100+ | 2.80 грн |
| SIL-0.50-WHITE (20AWG) провід у силіконовій ізоляції, білий Код товару: 163226
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід електричний силовий
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: білий
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: 600В, зовнішній діаметр: ~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
Група: Провід електричний силовий
Розріз, мм.кв: 0,5 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: білий
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: 600В, зовнішній діаметр: ~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
у наявності: 198 м
198 м - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 25.00 грн |
| 10+ | 22.00 грн |
| 100+ | 19.00 грн |
| STB12NK80ZT4 Код товару: 131646
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 43109
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 3,3 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 3,3 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 3280 шт
3100 шт - склад
180 шт - РАДІОМАГ-Київ
180 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |









