STD16N65M5


en.CD00288956.pdf
Код товару: 189591
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD16N65M5 за ціною від 82.62 грн до 261.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.55 грн
5+182.41 грн
10+161.68 грн
50+119.39 грн
100+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 4946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.14 грн
10+164.54 грн
100+114.92 грн
500+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.55 грн
5+182.41 грн
10+161.68 грн
50+119.39 грн
100+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 4946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.14 грн
10+164.54 грн
100+114.92 грн
500+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Силіконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) червоний
Код товару: 181953
12 Додати до обраних Обраний товар
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід монтажний
Переріз, мм²: 0,5 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500V, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
товару немає в наявності
очікується: 50000 м
  • 30000 м - очікується 10.07.2026
  • 20000 м - очікується 02.09.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+15.50 грн
100+13.88 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 м
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S
Код товару: 174961
1 Додати до обраних Обраний товар
DF10S-D.PDF DFxxS.pdf
Виробник: SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
Напруга зворотна Uзвор, V: 1000 V
Струм прямий Iпр, A: 1 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: DB101S, DB102S, DB103S, DB104S, DB105S, DB106S, DB107S, DB101GS, DB102GS, DB103G,S DB104GS, DB105GS, DB106GS, DB107GS, DF005S, DF01S, DF02S, DF04S, DF06S, DF08S
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, A: 30 A
у наявності: 5433 шт
  • 5183 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 115 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 116 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.30 грн
100+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIL-0.50-WHITE (20AWG) провід у силіконовій ізоляції, білий
Код товару: 163226
1 Додати до обраних Обраний товар
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід електричний силовий
Переріз, мм²: 0,5 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: білий
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: 600V, зовнішній діаметр: ~1,8mm, робоча температура: -50...200°C.
у наявності: 87 м
  • 87 м - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+25.00 грн
10+22.00 грн
100+19.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4
Код товару: 131646
Додати до обраних Обраний товар
en.CD00003379.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 43109
1 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 3,3 Ohm
Точність: ±5%
Pном, W: 1 W
Uном, V: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 3050 шт
  • 2890 шт - склад
  • 160 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.