
STD16N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 96.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD16N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD16N65M5 за ціною від 90.16 грн до 269.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V |
на замовлення 7743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STD16N65M5 Код товару: 189591
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
STD16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |