Результат пошуку "tf085" : 39

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUFA75639S3ST-F085A HUFA75639S3ST-F085A Fairchild Semiconductor FAIRS31838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 HUFA76407DK8T-F085 onsemi / Fairchild HUF76407DK_F085-D.PDF MOSFETs 60V Dual N-Channel LogicLevel PwrMOSFET
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.36 грн
10+120.29 грн
100+71.70 грн
500+57.08 грн
1000+54.73 грн
2500+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 HUFA76407DK8T-F085 onsemi huf76407dk_f085-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 HUFA76407DK8T-F085 onsemi huf76407dk_f085-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.00 грн
10+107.38 грн
100+73.43 грн
500+55.26 грн
1000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76645S3ST-F085 HUFA76645S3ST-F085 onsemi / Fairchild HUF76645S-F085-D.pdf MOSFETs 100V 75A 0.015ohm N-CH
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.99 грн
10+238.84 грн
100+162.96 грн
500+144.77 грн
800+128.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C ISL9V3040D3ST-F085C onsemi isl9v3040-f085c-d.pdf Description: IGBT 430V 21A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: -/4µs
Test Condition: 300V, 1000Ohm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C ISL9V3040D3ST-F085C onsemi isl9v3040-f085c-d.pdf Description: IGBT 430V 21A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: -/4µs
Test Condition: 300V, 1000Ohm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.02 грн
10+112.67 грн
100+77.20 грн
500+58.22 грн
1000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C ISL9V3040D3ST-F085C onsemi ISL9V3040-F085C-D.PDF IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.08 грн
10+125.52 грн
100+67.16 грн
500+56.85 грн
1000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C onsemi DC22D0F5C5A4C9620DCB624B1FF88BF3581E1F6DDCCB5BEE338DDBEDDD296404.pdf IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.06 грн
10+171.72 грн
100+104.60 грн
500+81.10 грн
800+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C onsemi isl9v3040-f085c-d.pdf Description: IGBT 400V 21A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.8µs
Test Condition: 14V, 1Ohm
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.44 грн
1600+77.55 грн
2400+76.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C onsemi isl9v3040-f085c-d.pdf Description: IGBT 400V 21A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.8µs
Test Condition: 14V, 1Ohm
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.16 грн
10+154.36 грн
100+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085 ISL9V5045S3ST-F085 onsemi isl9v5045s-f085-d.pdf Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085 ISL9V5045S3ST-F085 onsemi isl9v5045s-f085-d.pdf Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.76 грн
10+258.82 грн
100+186.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085 ISL9V5045S3ST-F085 onsemi / Fairchild ISL9V5045S-F085-D.pdf IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
на замовлення 10604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.60 грн
10+288.52 грн
100+180.40 грн
500+166.75 грн
800+150.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085C ISL9V5045S3ST-F085C onsemi isl9v5045s3st-f085c-d.pdf Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.13 грн
1600+124.01 грн
2400+122.39 грн
4000+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085C ISL9V5045S3ST-F085C onsemi isl9v5045s3st-f085c-d.pdf Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.96 грн
10+171.49 грн
25+157.31 грн
100+133.00 грн
250+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085C onsemi ISL9V5045S3ST-F085C-D.PDF IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.22 грн
10+175.21 грн
100+130.37 грн
500+128.86 грн
800+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C ON Semiconductor isl9v3040-f085c-d.pdf
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-F085
Код товару: 132414
Додати до обраних Обраний товар

HUF76633S3ST_F085.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A-TF085 FDS9431A-TF085 onsemi FDS9431A_F085-D.PDF Description: P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3ST-F085 HUF76419S3ST-F085 onsemi HUF76419S_F085-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST-F085 HUF76629D3ST-F085 onsemi huf76629d3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-F085 HUF76633S3ST-F085 onsemi HUF76633S3ST_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3ST-F085 HUF76639S3ST-F085 onsemi huf76639s3s-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3ST-F085A HUFA75639S3ST-F085A onsemi hufa75639s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8TF085P HUFA76407DK8TF085P onsemi Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T-F085 HUFA76413DK8T-F085 onsemi HUFA76413DK8T-F085.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T-F085P HUFA76413DK8T-F085P onsemi Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3ST-F085 HUFA76429D3ST-F085 onsemi HUF76429D-F085-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76645S3ST-F085 HUFA76645S3ST-F085 onsemi huf76645s-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V2540S3ST-F085C ISL9V2540S3ST-F085C onsemi ISL9V2540S3ST-F085C-D.PDF Description: IGBT 390V 15.5A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 610ns/3.64µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 15.1 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 15.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 166.7 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3036S3ST-F085C ISL9V3036S3ST-F085C onsemi ISL9V3036S3ST-F085C-D.PDF Description: IGBT 360V 21A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.8µs
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 360 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C ONSEMI isl9v3040-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040S3ST-F085C ONSEMI isl9v3040-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5036S3ST-F085C ISL9V5036S3ST-F085C onsemi ISL9V5036S3ST-D.PDF Description: IGBT 390V 46A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/10.8µs
Gate Charge: 32 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 46 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085C ONSEMI isl9v5045s3st-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 43A; 300W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 43A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 ONSEMI huf76407dk_f085-d.pdf HUFA76407DK8T-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085 FDD4243-F085 onsemi fdd4243_f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-F085 FDS2672-F085 onsemi fds2672_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3ST-F085A FAIRS31838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUFA75639S3ST-F085A
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 HUF76407DK_F085-D.PDF
HUFA76407DK8T-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Dual N-Channel LogicLevel PwrMOSFET
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.36 грн
10+120.29 грн
100+71.70 грн
500+57.08 грн
1000+54.73 грн
2500+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 huf76407dk_f085-d.pdf
HUFA76407DK8T-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 huf76407dk_f085-d.pdf
HUFA76407DK8T-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.00 грн
10+107.38 грн
100+73.43 грн
500+55.26 грн
1000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76645S3ST-F085 HUF76645S-F085-D.pdf
HUFA76645S3ST-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 75A 0.015ohm N-CH
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.99 грн
10+238.84 грн
100+162.96 грн
500+144.77 грн
800+128.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C isl9v3040-f085c-d.pdf
ISL9V3040D3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 430V 21A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: -/4µs
Test Condition: 300V, 1000Ohm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C isl9v3040-f085c-d.pdf
ISL9V3040D3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 430V 21A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: -/4µs
Test Condition: 300V, 1000Ohm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.02 грн
10+112.67 грн
100+77.20 грн
500+58.22 грн
1000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C ISL9V3040-F085C-D.PDF
ISL9V3040D3ST-F085C
Виробник: onsemi
IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.08 грн
10+125.52 грн
100+67.16 грн
500+56.85 грн
1000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040S3ST-F085C DC22D0F5C5A4C9620DCB624B1FF88BF3581E1F6DDCCB5BEE338DDBEDDD296404.pdf
ISL9V3040S3ST-F085C
Виробник: onsemi
IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.06 грн
10+171.72 грн
100+104.60 грн
500+81.10 грн
800+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040S3ST-F085C isl9v3040-f085c-d.pdf
ISL9V3040S3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 400V 21A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.8µs
Test Condition: 14V, 1Ohm
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.44 грн
1600+77.55 грн
2400+76.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040S3ST-F085C isl9v3040-f085c-d.pdf
ISL9V3040S3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 400V 21A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.8µs
Test Condition: 14V, 1Ohm
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.16 грн
10+154.36 грн
100+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085 isl9v5045s-f085-d.pdf
ISL9V5045S3ST-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+154.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085 isl9v5045s-f085-d.pdf
ISL9V5045S3ST-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.76 грн
10+258.82 грн
100+186.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085 ISL9V5045S-F085-D.pdf
ISL9V5045S3ST-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
на замовлення 10604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.60 грн
10+288.52 грн
100+180.40 грн
500+166.75 грн
800+150.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085C isl9v5045s3st-f085c-d.pdf
ISL9V5045S3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+132.13 грн
1600+124.01 грн
2400+122.39 грн
4000+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085C isl9v5045s3st-f085c-d.pdf
ISL9V5045S3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.96 грн
10+171.49 грн
25+157.31 грн
100+133.00 грн
250+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085C ISL9V5045S3ST-F085C-D.PDF
Виробник: onsemi
IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.22 грн
10+175.21 грн
100+130.37 грн
500+128.86 грн
800+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C isl9v3040-f085c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-F085
Код товару: 132414
Додати до обраних Обраний товар

HUF76633S3ST_F085.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A-TF085 FDS9431A_F085-D.PDF
FDS9431A-TF085
Виробник: onsemi
Description: P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76419S3ST-F085 HUF76419S_F085-D.PDF
HUF76419S3ST-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST-F085 huf76629d3s-d.pdf
HUF76629D3ST-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-F085 HUF76633S3ST_F085.pdf
HUF76633S3ST-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3ST-F085 huf76639s3s-d.pdf
HUF76639S3ST-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3ST-F085A hufa75639s3s-d.pdf
HUFA75639S3ST-F085A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8TF085P
HUFA76407DK8TF085P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T-F085 HUFA76413DK8T-F085.pdf
HUFA76413DK8T-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T-F085P
HUFA76413DK8T-F085P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3ST-F085 HUF76429D-F085-D.pdf
HUFA76429D3ST-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76645S3ST-F085 huf76645s-f085-d.pdf
HUFA76645S3ST-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V2540S3ST-F085C ISL9V2540S3ST-F085C-D.PDF
ISL9V2540S3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 390V 15.5A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 610ns/3.64µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 15.1 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 15.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 166.7 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3036S3ST-F085C ISL9V3036S3ST-F085C-D.PDF
ISL9V3036S3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 360V 21A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.8µs
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 360 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040D3ST-F085C isl9v3040-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V3040S3ST-F085C isl9v3040-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5036S3ST-F085C ISL9V5036S3ST-D.PDF
ISL9V5036S3ST-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 390V 46A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/10.8µs
Gate Charge: 32 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 46 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5045S3ST-F085C isl9v5045s3st-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 43A; 300W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 43A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 huf76407dk_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
HUFA76407DK8T-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085 fdd4243_f085-d.pdf
FDD4243-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672-F085 fds2672_f085-d.pdf
FDS2672-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.