Результат пошуку "tf085" : 11
        Вид перегляду :
        
            
    
    
        
                    
Мінімальне замовлення: 2
    В кошику
     од. на суму     грн.
                    
    В кошику
     од. на суму     грн.
                    
Мінімальне замовлення: 2
    В кошику
     од. на суму     грн.
                    
Мінімальне замовлення: 2
    В кошику
     од. на суму     грн.
                    
    В кошику
     од. на суму     грн.
                    
Мінімальне замовлення: 2
    В кошику
     од. на суму     грн.
В кошику од. на суму грн.
    
        
    | Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | HUFA76407DK8T-F085 | onsemi / Fairchild |  MOSFETs 60V Dual N-Channel LogicLevel PwrMOSFET | на замовлення 2263 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | HUFA76645S3ST-F085 | onsemi / Fairchild |  MOSFETs 100V 75A 0.015ohm N-CH | на замовлення 5 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | ISL9V3040D3ST-F085C | onsemi |  IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252 | на замовлення 2749 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | ISL9V3040S3ST-F085C | onsemi |  IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT | на замовлення 1203 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | ISL9V5045S3ST-F085 | onsemi / Fairchild |  IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT | на замовлення 10594 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
| ISL9V5045S3ST-F085C | onsemi |  IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263 | на замовлення 1158 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | |||||||||||||
| ISL9V3040D3ST-F085C | ON Semiconductor |   | на замовлення 4720 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| HUF76633S3ST-F085 Код товару: 132414 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ISL9V3040D3ST-F085C | ONSEMI |  Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ISL9V3040S3ST-F085C | ONSEMI |  Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ISL9V5045S3ST-F085C | ONSEMI |  Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 450V; 43A; 300W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 43A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | 
| HUFA76407DK8T-F085 |  | 
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Dual N-Channel LogicLevel PwrMOSFET
    MOSFETs 60V Dual N-Channel LogicLevel PwrMOSFET
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 189.77 грн | 
| 10+ | 121.20 грн | 
| 100+ | 72.24 грн | 
| 500+ | 57.50 грн | 
| 1000+ | 55.90 грн | 
| 2500+ | 48.26 грн | 
| HUFA76645S3ST-F085 |  | 
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 75A 0.015ohm N-CH
    MOSFETs 100V 75A 0.015ohm N-CH
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 369.75 грн | 
| 10+ | 240.63 грн | 
| 100+ | 164.19 грн | 
| 500+ | 145.86 грн | 
| 800+ | 129.06 грн | 
| ISL9V3040D3ST-F085C |  | 
Виробник: onsemi
IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252
    IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 199.57 грн | 
| 10+ | 126.46 грн | 
| 100+ | 65.14 грн | 
| 500+ | 56.51 грн | 
| ISL9V3040S3ST-F085C |  | 
Виробник: onsemi
IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT
    IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 269.07 грн | 
| 10+ | 173.01 грн | 
| 100+ | 105.39 грн | 
| 500+ | 85.53 грн | 
| ISL9V5045S3ST-F085 |  | 
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
    IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
на замовлення 10594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 380.44 грн | 
| 10+ | 290.69 грн | 
| 100+ | 181.75 грн | 
| 500+ | 171.83 грн | 
| 800+ | 151.21 грн | 
| ISL9V5045S3ST-F085C |  | 
Виробник: onsemi
IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
    IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 260.16 грн | 
| 10+ | 176.52 грн | 
| 100+ | 131.35 грн | 
| 500+ | 130.59 грн | 
| 800+ | 124.48 грн | 
| ISL9V3040D3ST-F085C |  | 
Виробник: ON Semiconductor
    на замовлення 4720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| HUF76633S3ST-F085 Код товару: 132414 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  | 
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.
| ISL9V3040D3ST-F085C |  | 
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
    Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.
| ISL9V3040S3ST-F085C |  | 
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
    Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.
| ISL9V5045S3ST-F085C |  | 
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 43A; 300W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 43A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
    Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 43A; 300W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 43A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
    В кошику
     од. на суму     грн.