TK15J50D
Виробник:
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK15J50D
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 15A, Power dissipation: 210W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TK15J50D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TK15J50D | Toshiba | MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
TK15J50D(F) | TOSHIBA |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 210W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TK15J50D(F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.