на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 182+ | 68.16 грн |
| 242+ | 51.04 грн |
| 285+ | 43.38 грн |
| 500+ | 35.88 грн |
| 1000+ | 31.46 грн |
| 2000+ | 28.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2P90E,RQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK2P90E,RQ(S за ціною від 51.07 грн до 126.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK2P90E,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK2P90E,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK2P90E,RQS | Виробник : Toshiba |
 MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
 |
TK2P90E,RQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS |
товару немає в наявності |