Продукція > TOSHIBA > TK2P90E,RQ(S
TK2P90E,RQ(S

TK2P90E,RQ(S Toshiba

2053docget.jsplangenpidtk2p90etypedatasheet.jsplangenpidtk2p90etypeda.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+78.25 грн
242+58.59 грн
285+49.80 грн
500+41.19 грн
1000+36.11 грн
2000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK2P90E,RQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 80W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm.

Інші пропозиції TK2P90E,RQ(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK2P90E,RQS TK2P90E,RQS Toshiba TK2P90E_datasheet_en_20140917-1289241.pdf MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(S TK2P90E,RQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(S TK2P90E,RQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQS TK2P90E_datasheet_en_20140917-1289241.pdf
TK2P90E,RQS
Виробник: Toshiba
MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(S
TK2P90E,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(S
TK2P90E,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.