TPH4R606NH,L1Q
Код товару: 179170
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TPH4R606NH,L1Q за ціною від 42.21 грн до 187.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH4R606NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V |
на замовлення 3227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TPH4R606NH,L1Q | Toshiba |
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TPH4R606NH,L1Q | Toshiba |
N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| TPH4R606NH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.81 грн |
| 10+ | 117.19 грн |
| 100+ | 80.75 грн |
| 500+ | 62.23 грн |
| TPH4R606NH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TPH4R606NH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 42.21 грн |