Продукція > TOSHIBA > TPH4R606NH,L1Q
TPH4R606NH,L1Q

TPH4R606NH,L1Q Toshiba

A5F75D45DACBC48E71FD91611CD3DBBE73B1305CD12578A2F5BA5BC14C6328A5.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.10 грн
10+134.93 грн
100+82.28 грн
500+68.11 грн
1000+67.50 грн
2500+65.37 грн
5000+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R606NH,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH4R606NH,L1Q за ціною від 39.20 грн до 216.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.75 грн
10+134.91 грн
100+92.95 грн
500+70.38 грн
1000+64.96 грн
2000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q Виробник : Toshiba TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q
Код товару: 179170
Додати до обраних Обраний товар

TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Виробник : Toshiba 3032docget.jsplangenpidtph4r606nhtypedatasheet.jsplangenpidtph4r606nh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.