Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TPH4R606NH,L1Q за ціною від 42.58 грн до 196.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPH4R606NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V |
на замовлення 3227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TPH4R606NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TPH4R606NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nhкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
TPH4R606NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
TPH4R606NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |



