Продукція > TOSHIBA > TPH4R606NH,L1Q
TPH4R606NH,L1Q

TPH4R606NH,L1Q Toshiba

TPH4R606NH_datasheet_en_20140107-1140021.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.56 грн
10+132.83 грн
100+81.66 грн
500+65.92 грн
1000+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R606NH,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH4R606NH,L1Q за ціною від 37.68 грн до 209.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.30 грн
10+130.28 грн
100+89.76 грн
500+67.96 грн
1000+62.73 грн
2000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q Виробник : Toshiba TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q
Код товару: 179170
Додати до обраних Обраний товар

TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Виробник : Toshiba 3032docget.jsplangenpidtph4r606nhtypedatasheet.jsplangenpidtph4r606nh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.