Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH-005THE PI HUTDescription: THE PI HUT - TPH-005 - POE+ HAT CASE FOR RASPBERRY PI 4 V2
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: 69mm
Außenhöhe: 33mm
Zur Verwendung mit: Raspberry Pi 4
usEccn: EAR99
Außenbreite: 98mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+700.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-100Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-100Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 100A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-125Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-125Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 125A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-150Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 150A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-150Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-200Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-200Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 200A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-225Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 225A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-225Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-250Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-250Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 250A 170VDC CYLINDR
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Part Status: Active
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 250A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-300Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-300Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-400Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-400Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-450Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-450Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 450A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-500Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 500A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-500Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-600Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-600Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 600A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-70Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-70Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-80Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 80A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-80Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-HT
Код товару: 21596
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
товару немає в наявності
1+401.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH0603-100M-F0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH080808ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 08-08-08
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH100810ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 10 08 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.67 грн
100+23.50 грн
500+17.11 грн
1000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+58.75 грн
100+33.83 грн
500+26.44 грн
1000+24.16 грн
3000+20.37 грн
6000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.16 грн
15+53.88 грн
100+34.07 грн
500+26.40 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.07 грн
500+26.40 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 29746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.61 грн
100+27.31 грн
500+23.02 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 40A 23nC MOSFET
на замовлення 88832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.91 грн
100+22.30 грн
500+22.16 грн
1000+22.02 грн
3000+19.81 грн
6000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
50+76.67 грн
100+67.01 грн
500+50.41 грн
1500+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.01 грн
500+50.41 грн
1500+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
10+138.06 грн
25+118.70 грн
100+90.88 грн
250+80.90 грн
500+74.81 грн
1000+68.60 грн
2500+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.85 грн
10+138.14 грн
100+88.36 грн
500+73.87 грн
1000+68.97 грн
5000+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.85 грн
10+128.06 грн
100+97.45 грн
500+74.79 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.45 грн
500+74.79 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshibaMOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.18 грн
203+69.88 грн
237+59.88 грн
250+54.72 грн
500+47.44 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.85 грн
500+55.64 грн
1000+47.43 грн
2500+44.25 грн
5000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.20 грн
11+79.41 грн
100+65.80 грн
500+54.82 грн
1000+46.67 грн
5000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.46 грн
100+75.62 грн
500+56.96 грн
1000+52.45 грн
2000+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.45 грн
10+157.86 грн
100+90.20 грн
500+63.19 грн
1000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.20 грн
500+63.19 грн
1000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+58.67 грн
100+38.52 грн
500+30.86 грн
1000+27.27 грн
2500+25.82 грн
5000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.09 грн
100+42.73 грн
500+31.50 грн
1000+28.73 грн
2000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.32 грн
15000+35.93 грн
30000+33.43 грн
45000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.00 грн
12+72.16 грн
100+50.82 грн
500+37.77 грн
1000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+61.93 грн
261+54.46 грн
297+47.84 грн
310+44.15 грн
500+38.62 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.74 грн
500+37.17 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
10+72.47 грн
100+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+66.37 грн
100+44.87 грн
500+38.04 грн
1000+29.20 грн
2500+29.13 грн
5000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+21.69 грн
658+21.56 грн
684+20.72 грн
1000+19.64 грн
2000+18.07 грн
5000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.37 грн
500+35.15 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
11+74.10 грн
100+49.37 грн
500+35.15 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANHToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+51.98 грн
500+41.35 грн
1000+38.94 грн
2500+35.35 грн
5000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 14651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.30 грн
100+60.37 грн
500+45.02 грн
1000+41.28 грн
2000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.73 грн
500+44.80 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.92 грн
201+70.64 грн
235+60.48 грн
248+55.25 грн
500+47.88 грн
1000+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.94 грн
10+90.20 грн
100+60.73 грн
500+44.80 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.84 грн
10+102.41 грн
25+82.84 грн
100+68.69 грн
250+64.20 грн
500+55.37 грн
1000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.91 грн
10+113.56 грн
100+87.79 грн
500+70.75 грн
1000+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.98 грн
500+68.28 грн
1000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshibaMOSFETs TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+119.88 грн
100+71.80 грн
500+57.92 грн
1000+54.12 грн
5000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.91 грн
10+104.70 грн
100+74.59 грн
500+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.18 грн
10+100.33 грн
25+98.82 грн
50+92.38 грн
100+80.60 грн
250+75.84 грн
500+69.11 грн
1000+63.44 грн
3000+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]