Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH-005THE PI HUTDescription: THE PI HUT - TPH-005 - POE+ HAT CASE FOR RASPBERRY PI 4 V2
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: 69mm
Außenhöhe: 33mm
Zur Verwendung mit: Raspberry Pi 4
usEccn: EAR99
Außenbreite: 98mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-100Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 100A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-100Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-125Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-125Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 125A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-150Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-150Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 150A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-200Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 200A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-200Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-225Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-225Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 225A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-250Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 250A 170VDC CYLINDR
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Part Status: Active
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 250A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-250Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-300Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-300Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-400Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-400Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-450Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 450A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-450Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-500Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-500Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 500A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-600Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 600A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-600Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-70Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-70Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-80Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 80A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-80Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-HT
Код товару: 21596
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
товару немає в наявності
1+401.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH0603-100M-F0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH080808ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 08-08-08
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH100810ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 10 08 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.46 грн
100+26.34 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+18.62 грн
788+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NLLQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 40A 23nC MOSFET
на замовлення 88832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 29746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.91 грн
100+27.56 грн
500+23.23 грн
1000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+139.33 грн
25+119.80 грн
100+91.72 грн
250+81.65 грн
500+75.50 грн
1000+69.23 грн
2500+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshibaMOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.32 грн
10+91.81 грн
25+83.96 грн
50+74.00 грн
100+58.54 грн
250+50.12 грн
500+43.91 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+104.84 грн
154+92.26 грн
168+84.38 грн
184+74.37 грн
215+58.84 грн
250+50.37 грн
500+44.13 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.49 грн
10+111.48 грн
100+76.32 грн
500+57.49 грн
1000+52.94 грн
2000+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.69 грн
100+43.12 грн
500+31.79 грн
1000+29.00 грн
2000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.23 грн
15000+35.85 грн
30000+33.36 грн
45000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+61.79 грн
261+54.34 грн
297+47.73 грн
310+44.05 грн
500+38.53 грн
1000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.14 грн
100+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+21.64 грн
658+21.52 грн
684+20.68 грн
1000+19.59 грн
2000+18.03 грн
5000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANHToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 14651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.12 грн
100+60.93 грн
500+45.44 грн
1000+41.66 грн
2000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.74 грн
201+70.48 грн
235+60.35 грн
248+55.13 грн
500+47.78 грн
1000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0141 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0141ohm
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0141 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0141ohm
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]