Продукція > TPH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TPH-005THE PI HUTDescription: THE PI HUT - TPH-005 - POE+ HAT CASE FOR RASPBERRY PI 4 V2
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: 69mm
Außenhöhe: 33mm
Zur Verwendung mit: Raspberry Pi 4
usEccn: EAR99
Außenbreite: 98mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+718.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-100Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-100Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 100A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-125Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-125Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 125A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-150Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-150Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 150A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-200Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-200Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 200A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-225Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-225Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 225A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-250Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-250Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 250A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 250A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-300Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-300Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-400Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-400Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-450Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-450Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 450A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-500Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-500Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 500A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-600Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-600Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 600A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-70Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-70Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-80Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-80Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 80A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-HT
Код товару: 21596
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
товару немає в наявності
1+401.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH0001SolidRunHummingBoardThermal Pad20*20*0.5MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH0603-100M-F0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.34 грн
10+41.71 грн
100+23.91 грн
250+23.84 грн
500+18.54 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.48 грн
10+36.55 грн
100+24.08 грн
500+17.53 грн
1000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.77 грн
15+55.21 грн
100+34.91 грн
500+27.05 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.91 грн
500+27.05 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 40A 23nC MOSFET
на замовлення 89514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.87 грн
100+26.12 грн
250+25.90 грн
500+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 29746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.41 грн
100+27.99 грн
500+23.59 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.22 грн
500+22.22 грн
1000+16.84 грн
5000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.07 грн
100+29.22 грн
500+22.22 грн
1000+16.84 грн
5000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.01 грн
10+141.47 грн
25+121.63 грн
100+93.13 грн
250+82.90 грн
500+76.66 грн
1000+70.29 грн
2500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.94 грн
10+137.90 грн
25+111.82 грн
50+105.20 грн
100+89.75 грн
250+83.87 грн
500+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.50 грн
500+129.51 грн
1000+96.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.27 грн
10+172.48 грн
100+153.50 грн
500+129.51 грн
1000+96.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshibaMOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.50 грн
500+57.02 грн
1000+48.60 грн
2500+45.34 грн
5000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+70.73 грн
203+60.15 грн
237+51.55 грн
250+47.10 грн
500+40.84 грн
1000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.43 грн
11+81.37 грн
100+67.43 грн
500+56.17 грн
1000+47.82 грн
5000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshibaMOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.04 грн
10+114.21 грн
100+78.72 грн
250+72.54 грн
500+66.21 грн
1000+54.00 грн
2500+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 11253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.24 грн
10+113.19 грн
100+77.48 грн
500+58.37 грн
1000+53.75 грн
2000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.47 грн
500+59.93 грн
1000+48.53 грн
5000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.88 грн
10+113.06 грн
100+79.47 грн
500+59.93 грн
1000+48.53 грн
5000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.13 грн
10+63.79 грн
100+39.65 грн
500+31.86 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+56.71 грн
100+44.12 грн
500+35.10 грн
1000+28.59 грн
2000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.85 грн
14+61.24 грн
100+43.74 грн
500+32.65 грн
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.85 грн
15000+30.93 грн
30000+28.78 грн
45000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+32.65 грн
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+53.30 грн
261+46.88 грн
297+41.17 грн
310+38.00 грн
500+33.24 грн
1000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.69 грн
10+70.73 грн
100+47.82 грн
500+40.54 грн
1000+31.12 грн
2500+31.05 грн
5000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+75.48 грн
100+50.51 грн
500+37.36 грн
1000+32.81 грн
2000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.64 грн
500+42.23 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+18.67 грн
658+18.56 грн
684+17.84 грн
1000+16.90 грн
2000+15.56 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 654
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.91 грн
12+74.28 грн
100+53.64 грн
500+42.23 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANHToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.49 грн
10+97.29 грн
25+72.02 грн
100+57.97 грн
250+52.82 грн
500+46.27 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 9307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
10+90.12 грн
100+61.78 грн
500+46.33 грн
1000+41.39 грн
2000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.09 грн
10+97.38 грн
100+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+71.38 грн
201+60.80 грн
235+52.06 грн
248+47.56 грн
500+41.21 грн
1000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.04 грн
10+109.14 грн
25+88.28 грн
100+73.20 грн
250+68.42 грн
500+59.00 грн
1000+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.48 грн
500+71.12 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.20 грн
10+116.37 грн
100+87.48 грн
500+71.12 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 8889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.06 грн
10+107.44 грн
100+76.43 грн
500+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshibaMOSFETs TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 16558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.06 грн
10+118.44 грн
25+100.05 грн
100+73.42 грн
500+60.25 грн
1000+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.67 грн
10+80.19 грн
25+78.98 грн
50+73.84 грн
100+64.42 грн
250+60.62 грн
500+55.24 грн
1000+50.70 грн
3000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+86.36 грн
144+85.06 грн
148+82.46 грн
158+74.93 грн
250+68.00 грн
500+59.49 грн
1000+54.60 грн
3000+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshibaMOSFET 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.87 грн
10+89.96 грн
100+63.46 грн
500+56.33 грн
1000+49.66 грн
5000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.46 грн
500+56.33 грн
1000+49.66 грн
5000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNHLQ(M1ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+113.89 грн
10+113.29 грн
25+112.69 грн
100+108.08 грн
250+99.54 грн
500+95.04 грн
1000+94.53 грн
3000+94.02 грн
6000+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.65 грн
101+121.36 грн
102+116.40 грн
250+107.20 грн
500+102.36 грн
1000+101.80 грн
3000+101.25 грн
6000+100.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 7767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.93 грн
10+125.91 грн
100+86.55 грн
500+65.43 грн
1000+60.35 грн
2000+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+88.93 грн
500+71.63 грн
1000+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.37 грн
10+117.60 грн
25+100.79 грн
100+74.30 грн
500+60.99 грн
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+93.52 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+87.85 грн
148+82.97 грн
170+72.07 грн
200+66.36 грн
1000+56.21 грн
2000+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.76 грн
10+113.06 грн
100+83.35 грн
500+57.48 грн
1000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+108.04 грн
119+103.20 грн
250+99.06 грн
500+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.35 грн
500+57.48 грн
1000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PBToshibaMOSFETs SOP-ADV 40V 120A N-CH MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1HLQ(OToshiba SOP-ADV 40V 120A N-CH MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1Q(OToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.50 грн
10+129.97 грн
100+89.55 грн
500+67.79 грн
1000+62.57 грн
2000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.25 грн
10+128.60 грн
25+109.62 грн
100+80.19 грн
250+79.45 грн
500+65.03 грн
1000+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PBL1Q(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PBToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+96.73 грн
10+73.41 грн
25+72.67 грн
100+53.58 грн
250+49.57 грн
500+39.76 грн
1000+38.39 грн
3000+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.77 грн
10+94.76 грн
100+56.57 грн
250+56.50 грн
500+45.98 грн
1000+40.76 грн
2500+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 19033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.13 грн
10+85.14 грн
100+57.46 грн
500+46.28 грн
1000+41.36 грн
2000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+79.05 грн
156+78.27 грн
204+59.84 грн
250+57.65 грн
500+44.60 грн
1000+41.34 грн
3000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.25 грн
500+54.64 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.17 грн
10+89.13 грн
100+60.25 грн
500+54.64 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PBL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 4391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
10+77.09 грн
100+59.12 грн
500+47.71 грн
1000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.59 грн
25+49.82 грн
100+47.30 грн
250+43.11 грн
500+40.73 грн
1000+40.07 грн
3000+39.41 грн
6000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+54.48 грн
228+53.65 грн
231+52.83 грн
250+50.14 грн
500+45.69 грн
1000+43.15 грн
3000+42.45 грн
6000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
на замовлення 31959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.75 грн
10+88.83 грн
100+55.47 грн
250+55.25 грн
500+46.50 грн
1000+41.12 грн
2500+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 246A; 132W; SOP8A
Mounting: SMD
Case: SOP8A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 246A
On-state resistance: 1.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 74nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1Q(M
Код товару: 176221
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaTPH1R204PL,LQ(M1
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+43.52 грн
294+41.56 грн
299+40.91 грн
1000+38.20 грн
2000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.78 грн
10+102.37 грн
100+61.06 грн
250+60.99 грн
500+49.29 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 12899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.84 грн
10+96.63 грн
100+65.59 грн
500+49.10 грн
1000+43.92 грн
2000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ транзистор
Код товару: 210299
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaTPH1R204PL1,LQ(M
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.001 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.91 грн
500+51.65 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.001 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.73 грн
10+99.86 грн
100+68.91 грн
500+51.65 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MWTOSHIBACategory: Transistors - Unclassified
Description: TPH1R204PL1,LQ(MW
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MWToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1LQ(MWToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 14954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.34 грн
10+141.47 грн
100+103.00 грн
500+78.43 грн
1000+72.57 грн
2000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaMOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 27898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.14 грн
10+152.29 грн
100+100.05 грн
250+87.55 грн
500+83.87 грн
1000+75.04 грн
2500+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.32 грн
10+151.85 грн
100+111.41 грн
500+94.26 грн
1000+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+117.94 грн
129+95.17 грн
138+88.66 грн
500+76.40 грн
1000+66.02 грн
2000+61.70 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.41 грн
500+94.26 грн
1000+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1L1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 12432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.43 грн
100+89.12 грн
500+67.45 грн
1000+62.25 грн
2000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.84 грн
10+131.98 грн
100+80.92 грн
500+65.40 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOS (U-MOS -H)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
на замовлення 44994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.03 грн
10+153.13 грн
100+93.43 грн
500+76.51 грн
1000+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.38 грн
10+145.30 грн
100+100.71 грн
500+76.62 грн
1000+70.86 грн
2000+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.64 грн
500+79.70 грн
1000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MToshibaTPH1R306PL1,LQ(M
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+128.52 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.78 грн
10+151.03 грн
100+105.64 грн
500+79.70 грн
1000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.39 грн
10+95.33 грн
100+64.55 грн
500+48.21 грн
1000+44.23 грн
2000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.17 грн
10+82.83 грн
100+49.36 грн
500+41.64 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.16 грн
13+65.11 грн
100+53.07 грн
500+42.23 грн
1000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaTPH1R403NL1,LQ(M
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.07 грн
500+42.23 грн
1000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.77 грн
10+96.63 грн
100+65.31 грн
500+48.81 грн
1000+44.80 грн
2000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.04 грн
10+88.83 грн
100+61.58 грн
500+51.20 грн
1000+44.36 грн
2500+42.38 грн
5000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MDToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 6253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.49 грн
10+88.89 грн
100+60.10 грн
500+44.82 грн
1000+39.91 грн
2000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaMOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.93 грн
10+104.06 грн
100+58.34 грн
500+46.57 грн
1000+39.36 грн
2500+39.29 грн
5000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.06 грн
10+105.64 грн
100+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.06 грн
10+105.64 грн
100+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MDL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 53-62 дні (днів)
3+161.36 грн
10+104.06 грн
100+61.65 грн
250+61.58 грн
500+49.44 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.18 грн
10+95.64 грн
100+64.89 грн
500+48.53 грн
1000+44.56 грн
2000+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.35 грн
500+64.22 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.95 грн
10+110.59 грн
100+83.35 грн
500+64.22 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 10A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR
Код товару: 206744
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.15 грн
10+73.80 грн
25+61.80 грн
100+45.24 грн
250+38.99 грн
500+35.13 грн
1000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKHigh-speed broadband amplifier 1 120MHz 180 V/us 2.5V ~ 5.5V 6.5mA SOT-23-5 GenS TPH2501-TR SOT23-5 3PEAK WOTPH2501 3PE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.86 грн
10+84.30 грн
25+70.81 грн
100+52.18 грн
250+45.16 грн
500+40.85 грн
1000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
10+87.44 грн
25+73.48 грн
100+54.15 грн
250+46.87 грн
500+42.39 грн
1000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.81 грн
10+116.87 грн
25+99.93 грн
100+75.84 грн
250+67.10 грн
500+61.76 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.49 грн
10+82.30 грн
25+69.89 грн
100+52.44 грн
250+46.01 грн
500+42.08 грн
1000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-SR3PEAKDescription: IC OPAMP GP 120MHZ 4 CIR 14-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.02 грн
10+113.42 грн
25+95.91 грн
100+71.45 грн
250+62.35 грн
500+56.74 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.24 грн
10+149.97 грн
100+104.54 грн
500+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 12836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.27 грн
10+162.44 грн
100+112.56 грн
250+103.00 грн
500+93.43 грн
1000+80.19 грн
2500+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.44 грн
500+98.86 грн
1000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 36A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.40 грн
10+159.28 грн
100+125.44 грн
500+98.86 грн
1000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.73 грн
6000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.14 грн
10+67.94 грн
100+39.87 грн
500+31.71 грн
1000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 10657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+66.67 грн
100+50.26 грн
500+37.17 грн
1000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.58 грн
500+32.49 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(SToshibaTPH2R003PL,LQ(S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.60 грн
14+59.92 грн
100+42.58 грн
500+32.49 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 50632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.26 грн
10+71.41 грн
25+56.43 грн
100+43.48 грн
250+43.41 грн
500+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 11371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.22 грн
10+90.43 грн
100+61.10 грн
500+45.53 грн
1000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(SToshibaTPH2R104PL,LQ(S
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+49.94 грн
278+43.92 грн
291+41.97 грн
500+38.28 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0016 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.97 грн
12+72.46 грн
100+58.10 грн
500+46.29 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0016 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.10 грн
500+46.29 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.28 грн
10+110.35 грн
100+78.28 грн
500+59.27 грн
1000+52.38 грн
2000+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q
Код товару: 149945
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.27 грн
10+125.21 грн
25+105.20 грн
100+77.25 грн
500+61.14 грн
1000+55.18 грн
2500+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH 60V 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; 78W; SOP8A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)
на замовлення 16447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.24 грн
10+115.06 грн
100+66.58 грн
250+66.51 грн
500+53.41 грн
1000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 9313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
10+90.12 грн
100+70.64 грн
500+52.97 грн
1000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.88 грн
10+108.11 грн
100+74.03 грн
500+55.33 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaTPH2R306NH1,LQ(M
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.03 грн
500+55.33 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaTPH2R306NH1,LQ(M
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+90.93 грн
141+86.86 грн
250+83.38 грн
500+77.50 грн
1000+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQToshibaPOWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.61 грн
500+73.57 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.61 грн
10+118.02 грн
100+91.61 грн
500+73.57 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 15145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.08 грн
10+108.82 грн
100+74.27 грн
500+56.33 грн
1000+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaMOSFETs SOP N CHAN 80V
на замовлення 105303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.68 грн
10+120.98 грн
100+72.02 грн
500+56.79 грн
1000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaMOSFET Silicon N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.45 грн
10+141.12 грн
100+108.94 грн
500+87.36 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1ToshibaTPH2R408QM,LQ(M1
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+114.69 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.94 грн
500+87.36 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1ToshibaLVMOS SOP8-ADV, ACTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QML1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQ(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 58708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
10+93.72 грн
100+64.46 грн
500+49.91 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
на замовлення 18709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.07 грн
10+102.37 грн
100+61.21 грн
500+49.44 грн
1000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.20 грн
205+59.62 грн
219+55.96 грн
1000+48.79 грн
2000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1ToshibaTPH2R506PL,LQ(M1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.78 грн
500+72.73 грн
1000+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.96 грн
10+117.19 грн
100+90.78 грн
500+72.73 грн
1000+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NHToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel Single
на замовлення 24607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.48 грн
10+86.30 грн
100+57.02 грн
500+45.91 грн
1000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 95171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.49 грн
10+90.81 грн
100+62.59 грн
500+47.18 грн
1000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.82 грн
10+84.18 грн
100+64.37 грн
500+48.13 грн
1000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.69 грн
25+46.96 грн
50+44.59 грн
100+40.64 грн
250+38.39 грн
500+37.77 грн
1000+37.15 грн
3000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+51.36 грн
242+50.58 грн
246+49.80 грн
249+47.26 грн
253+43.07 грн
500+40.67 грн
1000+40.01 грн
3000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 238
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.37 грн
500+48.13 грн
1000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+41.40 грн
300+40.67 грн
315+38.80 грн
320+36.86 грн
500+34.06 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.20 грн
10+92.57 грн
100+62.61 грн
500+46.70 грн
1000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+23.02 грн
544+22.45 грн
558+21.88 грн
1000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.71 грн
500+39.93 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.88 грн
16+53.40 грн
100+46.71 грн
500+39.93 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LSTransphormTransphorm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQATransphormMOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1900.27 грн
10+1727.60 грн
30+1434.58 грн
120+1282.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQATransphormDescription: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.36 грн
50+432.78 грн
100+399.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSBTransphormMOSFET 650V, 150mO
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WSTransphormMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LDTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LDGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PDTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PSTransphormMOSFET GAN FET 650V 20A TO220
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3212PSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3212PSTransphormMOSFET GAN FET 650V 27A TO220
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.74 грн
155+78.94 грн
196+62.38 грн
250+59.56 грн
500+46.23 грн
1000+33.29 грн
3000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.74 грн
10+78.63 грн
100+52.99 грн
500+40.46 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V
на замовлення 5764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.41 грн
10+75.97 грн
100+51.35 грн
500+43.48 грн
1000+33.47 грн
2500+32.88 грн
5000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+90.28 грн
10+74.04 грн
25+73.30 грн
100+55.86 грн
250+51.21 грн
500+41.21 грн
1000+30.91 грн
3000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+73.01 грн
180+67.93 грн
214+57.14 грн
226+52.10 грн
1000+43.52 грн
2000+39.29 грн
5000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.07 грн
10+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
4+96.99 грн
10+67.43 грн
100+45.61 грн
500+38.62 грн
1000+31.49 грн
3000+29.65 грн
6000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.22 грн
16+54.14 грн
100+37.55 грн
500+27.97 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.55 грн
500+27.97 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 12263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.60 грн
10+90.12 грн
100+65.65 грн
500+49.08 грн
1000+45.04 грн
2000+41.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.02 грн
10+97.29 грн
25+77.25 грн
100+62.75 грн
250+59.37 грн
500+50.03 грн
1000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ(M1ToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshibaMOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
на замовлення 3109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.54 грн
10+120.98 грн
100+72.02 грн
500+57.53 грн
1000+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.89 грн
10+106.37 грн
100+72.59 грн
500+54.56 грн
1000+48.96 грн
2000+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0025 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.42 грн
500+70.73 грн
1000+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0025 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.23 грн
10+110.59 грн
100+76.42 грн
500+70.73 грн
1000+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.90 грн
10+81.23 грн
100+54.55 грн
500+40.46 грн
1000+37.01 грн
2000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.27 грн
10+75.64 грн
25+60.77 грн
100+46.13 грн
500+37.30 грн
1000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA TTPH3r203nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.96 грн
13+67.01 грн
100+50.92 грн
500+38.24 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.92 грн
500+38.24 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+28.39 грн
450+27.17 грн
500+25.62 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PLToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+55.47 грн
261+46.77 грн
277+44.17 грн
1000+38.43 грн
2000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.18 грн
500+57.40 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+75.91 грн
169+72.52 грн
250+69.61 грн
500+64.70 грн
1000+57.95 грн
2500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.37 грн
11+76.75 грн
100+67.18 грн
500+57.40 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaMOSFETs SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.72 грн
10+76.82 грн
100+52.01 грн
500+44.07 грн
1000+35.83 грн
3000+33.77 грн
6000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 118A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.72 грн
10+79.39 грн
100+53.24 грн
500+39.45 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 118A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PCLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 85130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.88 грн
10+59.62 грн
100+39.42 грн
500+28.86 грн
1000+26.24 грн
2000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.97 грн
11+58.72 грн
100+39.58 грн
250+35.98 грн
500+27.06 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.96 грн
10000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+21.68 грн
613+19.93 грн
1000+18.80 грн
3000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
на замовлення 6097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.56 грн
10+62.61 грн
100+36.71 грн
250+34.58 грн
500+28.10 грн
1000+24.42 грн
2500+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.04 грн
16+53.97 грн
100+38.21 грн
500+33.64 грн
1000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+29.28 грн
433+28.22 грн
500+26.92 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.21 грн
500+33.64 грн
1000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+45.29 грн
281+43.48 грн
500+41.91 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshibaMOSFETs SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 24521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.65 грн
10+109.14 грн
100+65.99 грн
250+65.92 грн
500+53.48 грн
1000+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 7839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.00 грн
10+98.01 грн
100+68.07 грн
500+53.72 грн
1000+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH Si 100V 150A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH Si 100V 150A T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.28 грн
15000+60.57 грн
30000+56.35 грн
45000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.53 грн
10+102.00 грн
100+69.32 грн
500+51.92 грн
1000+47.70 грн
2000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.13 грн
13+49.90 грн
25+49.40 грн
100+47.26 грн
250+43.42 грн
500+41.34 грн
1000+41.01 грн
3000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaMOSFETs 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
на замовлення 9391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.34 грн
10+96.45 грн
100+59.44 грн
500+49.81 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.74 грн
230+53.20 грн
232+52.78 грн
250+50.50 грн
500+46.38 грн
1000+44.17 грн
3000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.76 грн
500+87.36 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.27 грн
10+141.12 грн
100+109.76 грн
500+87.36 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+93.54 грн
143+85.41 грн
175+69.79 грн
200+62.98 грн
1000+51.64 грн
2000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.72 грн
10+71.66 грн
100+42.67 грн
500+35.83 грн
1000+30.38 грн
2500+29.50 грн
5000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 4086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+65.45 грн
100+44.99 грн
500+34.34 грн
1000+30.50 грн
2000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.31 грн
500+26.52 грн
1000+20.58 грн
5000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.68 грн
17+50.09 грн
100+36.31 грн
500+26.52 грн
1000+20.58 грн
5000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 11854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.97 грн
10+151.43 грн
100+110.31 грн
500+90.04 грн
1000+84.51 грн
2000+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.86 грн
10+169.21 грн
25+144.19 грн
50+142.72 грн
100+106.67 грн
500+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 995000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.08 грн
500000+45.76 грн
750000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.08 грн
10+103.22 грн
25+76.51 грн
100+61.06 грн
250+55.69 грн
500+48.78 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.93 грн
10+94.91 грн
100+75.93 грн
500+60.39 грн
1000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.93 грн
500+60.39 грн
1000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1LQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QMToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaMOSFETs SOP8 N CHAN 80V
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+78.93 грн
25+68.05 грн
100+49.29 грн
250+49.14 грн
500+40.76 грн
1000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+44.36 грн
280+43.68 грн
284+43.00 грн
289+40.80 грн
500+37.17 грн
1000+35.10 грн
3000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.41 грн
10+74.26 грн
100+55.08 грн
500+42.36 грн
1000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.19 грн
25+40.56 грн
100+38.50 грн
250+35.08 грн
500+33.13 грн
1000+32.59 грн
3000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+81.34 грн
184+66.37 грн
200+62.06 грн
1000+53.02 грн
2000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.88 грн
20000+56.54 грн
30000+52.61 грн
40000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.56 грн
12+68.91 грн
100+51.91 грн
500+39.77 грн
1000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.88 грн
140000+56.54 грн
210000+52.61 грн
280000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.91 грн
500+39.77 грн
1000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 92A 75nC MOSFET
на замовлення 12375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.97 грн
10+120.14 грн
100+71.29 грн
500+56.65 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.94 грн
10+103.84 грн
100+71.52 грн
500+53.73 грн
1000+48.20 грн
2000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.47 грн
500+59.31 грн
1000+53.20 грн
5000+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.39 грн
10+117.19 грн
100+80.47 грн
500+59.31 грн
1000+53.20 грн
5000+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 67W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOP8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+119.10 грн
107+115.06 грн
250+111.57 грн
500+104.66 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.86 грн
10+169.21 грн
25+144.19 грн
50+142.72 грн
100+106.67 грн
500+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.97 грн
10+151.43 грн
100+110.31 грн
500+90.74 грн
1000+84.51 грн
2000+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 138A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.49 грн
10+90.12 грн
100+61.76 грн
500+46.11 грн
1000+41.22 грн
2000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
на замовлення 10288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.63 грн
10+96.45 грн
100+57.46 грн
250+57.38 грн
500+46.27 грн
1000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MToshiba UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.70 грн
500+48.43 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.77 грн
10+94.91 грн
100+64.70 грн
500+48.43 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MToshibaTPH4R50ANH1,LQ(M
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+52.63 грн
252+48.56 грн
259+47.18 грн
500+45.34 грн
1000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MWToshiba UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1LQ(MToshibaMOSFETs UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1LQ(MWToshibaMOSFETs UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHLQ(M1WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NHToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q
Код товару: 179170
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.30 грн
10+130.28 грн
100+89.76 грн
500+67.96 грн
1000+62.73 грн
2000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaN-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.56 грн
10+132.83 грн
100+81.66 грн
500+65.92 грн
1000+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.43 грн
500+69.12 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.59 грн
10+130.39 грн
100+92.43 грн
500+69.12 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 38233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+27.57 грн
469+26.03 грн
481+25.38 грн
500+23.77 грн
1000+21.50 грн
5000+19.45 грн
10000+18.82 грн
20000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 26595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.57 грн
10+47.46 грн
100+28.47 грн
250+28.40 грн
500+22.66 грн
1000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+43.37 грн
100+29.93 грн
500+24.55 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(SToshibaTPH4R803PL,LQ(S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.37 грн
19+45.56 грн
100+31.36 грн
500+27.43 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.36 грн
500+27.43 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH520RCADescription: RCA - TPH520 - Connector A:USB Type A Plug
Kabellänge - Imperial: 6
Mantelfarbe: Black
USB-Version: USB 2.0
Elektronische Kennzeichnung / Markierung: -
Steckverbinder auf Steckverbinder: Type A Plug to Type B Plug
Kabellänge - Metrisch: 1.82
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 33895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.16 грн
10+160.75 грн
50+138.31 грн
100+101.52 грн
500+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 16366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.17 грн
10+153.57 грн
100+109.59 грн
500+86.63 грн
1000+80.34 грн
2000+78.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.05 грн
10+152.68 грн
100+112.24 грн
500+86.60 грн
1000+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+103.30 грн
130+94.35 грн
159+77.11 грн
200+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.24 грн
500+86.60 грн
1000+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.72 грн
10+58.85 грн
100+44.70 грн
500+33.72 грн
1000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 150V 64mOhm (VGS=10V) SOP-ADV
на замовлення 12973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.69 грн
10+67.01 грн
100+42.15 грн
500+33.99 грн
1000+27.59 грн
2500+27.51 грн
5000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+68.86 грн
209+58.60 грн
244+50.19 грн
257+45.90 грн
500+39.73 грн
1000+35.82 грн
5000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 7942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.06 грн
10+85.68 грн
100+57.74 грн
500+42.94 грн
1000+39.32 грн
2000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.62 грн
10+90.53 грн
100+53.56 грн
250+53.48 грн
500+42.67 грн
1000+36.27 грн
5000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.09 грн
10+84.18 грн
100+57.36 грн
500+42.76 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.36 грн
500+42.76 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.44 грн
10+112.50 грн
100+76.83 грн
500+57.79 грн
1000+53.19 грн
2000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.32 грн
10+89.68 грн
100+53.34 грн
250+53.26 грн
500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+74.53 грн
193+63.45 грн
225+54.29 грн
237+49.71 грн
500+43.03 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.62 грн
10+86.65 грн
100+58.76 грн
500+49.81 грн
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.76 грн
500+49.81 грн
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1HQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
на замовлення 18312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.60 грн
10+104.06 грн
25+85.34 грн
100+64.23 грн
250+64.08 грн
500+52.60 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.35 грн
10+110.35 грн
100+76.01 грн
500+57.60 грн
1000+50.96 грн
2000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.03 грн
10+123.79 грн
100+97.38 грн
500+73.19 грн
1000+52.06 грн
5000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.03 грн
10+123.79 грн
100+97.38 грн
500+73.19 грн
1000+52.06 грн
5000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NLToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshibaMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.26 грн
10+51.65 грн
100+40.16 грн
500+31.95 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.05 грн
500+36.25 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.35 грн
13+64.45 грн
100+46.05 грн
500+36.25 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 57A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 117A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 49A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.20 грн
25+24.99 грн
50+23.88 грн
100+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
на замовлення 20851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.05 грн
10+46.95 грн
100+28.18 грн
250+28.10 грн
500+22.44 грн
1000+20.53 грн
3000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.71 грн
10+46.29 грн
100+32.03 грн
500+25.11 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.97 грн
500+27.97 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.77 грн
15+56.28 грн
100+36.97 грн
500+27.97 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+68.28 грн
25+57.17 грн
100+41.80 грн
250+35.97 грн
500+32.38 грн
1000+28.88 грн
2500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.38 грн
10+59.48 грн
100+40.24 грн
250+39.21 грн
500+33.03 грн
1000+27.74 грн
2500+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.61 грн
13+68.50 грн
100+51.42 грн
500+42.99 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.42 грн
500+42.99 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
на замовлення 5208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.30 грн
10+76.57 грн
25+66.36 грн
100+45.61 грн
500+36.42 грн
1000+30.97 грн
5000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
10+73.95 грн
100+50.16 грн
500+37.63 грн
1000+32.74 грн
2000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.74 грн
10000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.71 грн
1000+32.47 грн
5000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 54W; SOP8A; ESD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
On-state resistance: 10.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOP8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.68 грн
13+67.51 грн
100+47.62 грн
500+35.71 грн
1000+32.47 грн
5000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOSFETs
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH707KK
Код товару: 21611
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Угловое соединение столешниц 1100х1100 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+9100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH707KK ESD
Код товару: 21612
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Угловое соединение столешниц 1100х1100 мм, нагрузка 150 кг, антистатическое
товару немає в наявності
1+12400.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712
Код товару: 21222
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1200мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм,нагрузка 300 кг,
товару немає в наявності
1+9950.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712 ESD
Код товару: 21223
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1200мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+13400.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712 L
Код товару: 21548
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1200, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+7850.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712L ESD
Код товару: 21585
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1200, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+11600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715 ESD
Код товару: 21225
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+14700.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715 L
Код товару: 21549
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+8200.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715-3
Код товару: 106391
Додати до обраних Обраний товар

Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: TRESTON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715L ESD
Код товару: 21586
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+12900.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718
Код товару: 21226
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг
товару немає в наявності
1+11800.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718 ESD
Код товару: 21227
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+17600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718 L
Код товару: 21550
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+9050.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718L ESD
Код товару: 21587
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+15100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
на замовлення 16501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.09 грн
10+50.00 грн
100+28.77 грн
250+28.62 грн
500+25.01 грн
1000+20.01 грн
2500+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 24886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.87 грн
10+46.52 грн
100+30.83 грн
500+24.97 грн
1000+21.57 грн
2000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.98 грн
10000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.75 грн
15+57.03 грн
100+36.06 грн
500+27.97 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaTRANSISTOR/NFET 60V 64A POWERPAK SO8 6.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.06 грн
500+27.97 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+16.59 грн
38+16.24 грн
100+15.57 грн
250+14.34 грн
500+13.69 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+45.14 грн
100+29.47 грн
500+21.33 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W
на замовлення 21240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.84 грн
10+45.18 грн
100+26.34 грн
250+24.65 грн
500+19.79 грн
1000+18.02 грн
3000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 0.0054 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.09 грн
20+42.25 грн
100+26.90 грн
500+21.30 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 0.0054 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.90 грн
500+21.30 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
на замовлення 17217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.58 грн
10+86.30 грн
25+71.29 грн
100+52.53 грн
250+52.45 грн
500+42.67 грн
1000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
на замовлення 26067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.84 грн
10+88.97 грн
100+60.11 грн
500+44.82 грн
1000+41.09 грн
2000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0061 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.24 грн
500+54.49 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0061 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.79 грн
10+94.08 грн
100+69.24 грн
500+54.49 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshibaMOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+99.70 грн
100+80.17 грн
500+61.81 грн
1000+51.22 грн
2000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 63A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.86 грн
10+55.08 грн
100+33.18 грн
250+32.37 грн
500+26.85 грн
1000+23.54 грн
2500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQ(M1ToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.13 грн
10+100.62 грн
100+71.40 грн
500+56.96 грн
1000+51.53 грн
2000+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.18 грн
10+108.29 грн
25+87.55 грн
100+73.57 грн
250+69.08 грн
500+59.00 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0074 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 61W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.80 грн
500+67.28 грн
1000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0074 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.22 грн
10+100.68 грн
100+75.35 грн
500+57.55 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+39.16 грн
100+25.80 грн
500+18.83 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.87 грн
10+48.99 грн
100+29.13 грн
250+29.06 грн
500+23.03 грн
1000+21.41 грн
3000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+58.26 грн
429+28.47 грн
469+26.03 грн
471+25.01 грн
580+18.80 грн
1000+16.91 грн
2000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH909KK
Код товару: 21615
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Угловое соединение столешниц 1300х1300 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+9300.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH909KK ESD
Код товару: 21616
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Угловое соединение столешниц 1300х1300 мм, нагрузка 150 кг, антистатическое
товару немає в наявності
1+13600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915
Код товару: 21228
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 900х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг
товару немає в наявності
1+11600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915 ESD
Код товару: 21229
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 900х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+16800.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915L
Код товару: 21588
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+9100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915L ESD
Код товару: 21589
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+15000.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH918
Код товару: 21230
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 900х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг
товару немає в наявності
1+12400.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH918 ESD
Код товару: 21231
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 900х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+19700.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH918 L
Код товару: 21551
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 900х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+9950.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH918L ESD
Код товару: 21590
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+17500.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 9mohm
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.61 грн
10+161.59 грн
50+122.12 грн
100+117.71 грн
500+95.64 грн
1000+87.55 грн
5000+72.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.95 грн
10+150.05 грн
100+122.94 грн
500+90.95 грн
1000+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.17 грн
10+212.10 грн
100+160.11 грн
500+129.51 грн
1000+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.11 грн
500+129.51 грн
1000+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQToshibaMOSFETs
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.68 грн
10+125.21 грн
25+106.67 грн
100+76.51 грн
500+62.02 грн
1000+55.25 грн
2500+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.06 грн
10+119.01 грн
100+83.81 грн
500+65.26 грн
1000+58.32 грн
2000+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.15 грн
10+118.02 грн
100+84.18 грн
500+74.64 грн
1000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1ToshibaTPH9R00CQH,LQ(M1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.18 грн
500+74.64 грн
1000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 13499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
10+51.34 грн
100+33.82 грн
500+24.66 грн
1000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.67 грн
10+64.81 грн
100+43.26 грн
500+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.56 грн
6000+19.20 грн
9000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 0.0073 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.15 грн
15+58.18 грн
100+36.81 грн
500+28.58 грн
1000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 0.0073 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.81 грн
500+28.58 грн
1000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-EEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-EBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-EAVEatonDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-EAVBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS 800 AMP BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-ELBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-ELEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MAVEatonDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MAVBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS 800 AMP BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MLBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MLEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-EEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-EBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-EAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-EAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-ELBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-ELEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MAVEatonDescription: FUSE HLDR BLADE
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MLEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MLBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-PBussmann / EatonFuse Holder TPHCS70-250A PULLOUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-PEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-EBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-EEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-EAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-EAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-ELBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-ELEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MBussmann / EatonFuse Holder DISCN. SWITCH 800A METRIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MEaton ElectricalHigh Current Switch 800A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MLBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MLEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-PEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-PBussmann / EatonFuse Holder TPHCS 300-800A PULLOUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHD4-313-36A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHKI-3002+Mini-CircuitsSignal Conditioning TCC SMT THRU-LINE DC - 30 GHz, 50ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1105.48 грн
50+963.63 грн
100+764.37 грн
200+690.07 грн
500+650.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 30110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.81 грн
10+123.99 грн
100+87.24 грн
500+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshibaMOSFETs 30 Volt N-Channel
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.98 грн
10+131.14 грн
100+80.19 грн
500+65.03 грн
1000+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,LQ(M1ToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)
на замовлення 42566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.37 грн
10+131.14 грн
50+105.20 грн
100+77.98 грн
500+65.99 грн
1000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 6972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.67 грн
10+126.14 грн
100+96.29 грн
500+73.63 грн
1000+72.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+113.88 грн
100+83.91 грн
500+70.33 грн
1000+64.52 грн
2000+56.77 грн
5000+54.10 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ(MToshibaTPHR6503PL1,LQ(M
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+158.61 грн
78+157.60 грн
96+128.11 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 410µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.26 грн
500+62.76 грн
1000+53.90 грн
5000+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.76 грн
10+120.49 грн
100+93.26 грн
500+62.76 грн
1000+53.90 грн
5000+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PUToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU L1QToshiba SOP N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.74 грн
10+115.54 грн
100+78.98 грн
500+67.59 грн
1000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.98 грн
500+67.59 грн
1000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PUL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PBToshibaMOSFETs SOPADVANCE N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1HLQ(OToshiba SOPADVANCE N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1Q(OToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshibaMOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 8185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.42 грн
10+131.14 грн
100+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.43 грн
10+163.46 грн
100+113.99 грн
500+87.16 грн
1000+80.79 грн
2000+78.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ(OToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+137.06 грн
93+131.84 грн
100+127.36 грн
250+119.09 грн
500+107.27 грн
1000+100.46 грн
2500+98.24 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PBL1Q(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL
Код товару: 144412
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.97 грн
10+124.37 грн
100+77.25 грн
250+76.51 грн
500+62.53 грн
1000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+106.49 грн
137+89.27 грн
162+72.91 грн
500+58.43 грн
1000+55.57 грн
3000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 9844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.67 грн
10+114.80 грн
100+81.97 грн
500+63.47 грн
1000+57.09 грн
2000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+98.88 грн
10+83.29 грн
25+82.89 грн
100+67.70 грн
500+54.25 грн
1000+51.60 грн
3000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; 170W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,LQ(M1WToshiba SOP N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0007 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.32 грн
10+137.82 грн
100+107.29 грн
500+85.83 грн
1000+72.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0007 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.29 грн
500+85.83 грн
1000+72.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MWToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1LQ(MWToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLLQ(M1WToshibaMOSFETs SOP N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NCToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.32 грн
5+171.66 грн
7+146.37 грн
18+138.71 грн
100+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 10566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.42 грн
10+128.13 грн
100+90.92 грн
500+70.85 грн
1000+64.28 грн
2000+61.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q
Код товару: 128207
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.83 грн
10+137.90 грн
50+116.24 грн
100+85.34 грн
500+69.08 грн
1000+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaN-MOSFET 30V 60A 1.6W 0.9mΩ TPHR9003NL,L1Q Toshiba TTPHR9003nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,LQ(M1ToshibaTPHR9003NL,LQ(M1
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+102.69 грн
128+95.57 грн
152+80.53 грн
200+73.44 грн
1000+61.28 грн
2000+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.30 грн
10+105.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
на замовлення 13307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.11 грн
10+118.44 грн
100+69.74 грн
500+55.76 грн
1000+47.53 грн
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.00077 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.74 грн
10+115.54 грн
100+78.65 грн
500+55.48 грн
1000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.00077 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.65 грн
500+55.48 грн
1000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MToshibaTPHR9003NL1,LQ(M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+104.14 грн
123+99.49 грн
250+95.49 грн
500+88.76 грн
1000+79.50 грн
2500+74.07 грн
5000+72.08 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.33 грн
10+91.37 грн
100+63.49 грн
500+51.06 грн
1000+43.33 грн
5000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.75 грн
10+98.93 грн
100+67.17 грн
500+50.25 грн
1000+46.14 грн
2000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+82.26 грн
156+78.49 грн
175+70.06 грн
200+64.90 грн
500+60.01 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,LQ(M1ToshibaTPHR9203PL,LQ(M1
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+79.42 грн
500+76.04 грн
1000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
на замовлення 40507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+82.83 грн
100+48.56 грн
500+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.53 грн
10+102.15 грн
100+69.48 грн
500+52.06 грн
1000+47.83 грн
2000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.89 грн
11+81.29 грн
100+54.88 грн
500+45.44 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ(MToshibaLVMOS SOP-8-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.88 грн
500+45.44 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PLL1Q(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHWC-EUVENTIONCategory: Computer Adapters
Description: Hub USB; USB 3.0,USB 3.2; white; Number of ports: 12; 0.25m; ABS
Colour: white
Standard: Power Delivery
Insulation colour: white
Cable length: 0.25m
Type of PC accessories: hub USB
Version: USB 3.2; USB 3.0
Number of ports: 12
Kind of connector: DC 5V female; HDMI socket; Jack 3.5mm socket; microSD; RJ45 socket; SD; USB A socket x3; USB C socket x2; VGA
Contact plating: nickel plated
Enclosure material: ABS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5337.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.