Продукція > TPH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TPH-005THE PI HUTDescription: THE PI HUT - TPH-005 - POE+ HAT CASE FOR RASPBERRY PI 4 V2
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: 69mm
Außenhöhe: 33mm
Zur Verwendung mit: Raspberry Pi 4
usEccn: EAR99
Außenbreite: 98mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+781.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-100Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 100A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-100Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-125Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 125A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-125Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-150Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 150A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-150Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-200Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 200A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-200Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-225Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 225A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-225Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-250Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 250A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 250A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-250Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-300Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-300Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-400Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-400Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-450Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 450A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-450Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-500Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-500Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 500A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-600Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 600A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-600Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-70Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-70Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-80Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-80Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 80A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 170 VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH-HT
Код товару: 21596
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
товару немає в наявності
1+401.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH0001SolidRunHummingBoardThermal Pad20*20*0.5MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH0603-100M-F0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH080808ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories High Temp T Piece NC 08-08-08
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.50 грн
10+57.44 грн
100+32.82 грн
500+26.81 грн
1000+26.17 грн
3000+22.57 грн
6000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.80 грн
10+39.77 грн
100+26.20 грн
500+19.07 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.64 грн
15+60.07 грн
100+37.98 грн
500+29.43 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.98 грн
500+29.43 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 29746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.35 грн
100+30.45 грн
500+25.67 грн
1000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 40A 23nC MOSFET
на замовлення 88832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.20 грн
100+25.85 грн
500+25.69 грн
1000+25.53 грн
3000+22.97 грн
6000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.71 грн
500+56.20 грн
1500+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBATPH11006NL SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.26 грн
40+30.52 грн
108+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+149.05 грн
50+85.48 грн
100+74.71 грн
500+56.20 грн
1500+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.90 грн
10+153.92 грн
25+132.34 грн
100+101.32 грн
250+90.19 грн
500+83.40 грн
1000+76.48 грн
2500+70.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.27 грн
10+160.17 грн
100+102.45 грн
500+85.65 грн
1000+79.96 грн
5000+67.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.87 грн
10+187.66 грн
100+167.01 грн
500+140.91 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.01 грн
500+140.91 грн
1000+104.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshibaMOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.53 грн
500+62.03 грн
1000+52.87 грн
2500+49.33 грн
5000+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.57 грн
11+88.53 грн
100+73.36 грн
500+61.12 грн
1000+52.03 грн
5000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+73.46 грн
203+62.47 грн
237+53.53 грн
250+48.92 грн
500+42.41 грн
1000+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshibaMOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.28 грн
10+124.27 грн
100+85.65 грн
250+78.92 грн
500+72.04 грн
1000+58.75 грн
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 11253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.28 грн
10+123.15 грн
100+84.30 грн
500+63.50 грн
1000+58.48 грн
2000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.91 грн
10+110.44 грн
100+86.56 грн
500+68.95 грн
1000+59.42 грн
5000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.56 грн
500+68.95 грн
1000+59.42 грн
5000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.92 грн
10+68.02 грн
100+44.66 грн
500+35.78 грн
1000+31.62 грн
2500+29.94 грн
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.76 грн
10+71.45 грн
100+47.63 грн
500+35.12 грн
1000+32.03 грн
2000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+55.36 грн
261+48.68 грн
297+42.76 грн
310+39.47 грн
500+34.52 грн
1000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.16 грн
13+72.01 грн
100+54.41 грн
500+40.61 грн
1000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.52 грн
1000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.15 грн
15000+32.12 грн
30000+29.89 грн
45000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.55 грн
10+76.71 грн
100+51.33 грн
500+37.96 грн
1000+34.67 грн
2000+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.32 грн
10+76.95 грн
100+52.03 грн
500+44.10 грн
1000+33.86 грн
2500+33.78 грн
5000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.17 грн
500+43.94 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+127.50 грн
11+82.07 грн
100+59.17 грн
500+43.94 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+19.39 грн
658+19.28 грн
684+18.53 грн
1000+17.55 грн
2000+16.16 грн
5000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 654
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NHL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANHToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.42 грн
10+103.10 грн
100+60.27 грн
500+47.95 грн
1000+45.14 грн
2500+40.98 грн
5000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 14713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.52 грн
10+93.38 грн
100+63.12 грн
500+47.08 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+74.13 грн
201+63.15 грн
235+54.06 грн
248+49.39 грн
500+42.80 грн
1000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.28 грн
10+105.95 грн
100+76.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.74 грн
10+118.74 грн
25+96.05 грн
100+79.64 грн
250+74.44 грн
500+64.19 грн
1000+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.97 грн
10+126.61 грн
100+97.87 грн
500+78.88 грн
1000+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.98 грн
500+76.12 грн
1000+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.52 грн
10+116.73 грн
100+83.16 грн
500+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1QToshibaMOSFETs TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 16558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.35 грн
10+128.87 грн
25+108.86 грн
100+79.88 грн
500+65.56 грн
1000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+89.69 грн
144+88.34 грн
148+85.64 грн
158+77.82 грн
250+70.62 грн
500+61.78 грн
1000+56.71 грн
3000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.66 грн
10+96.09 грн
25+94.65 грн
50+88.48 грн
100+77.20 грн
250+72.64 грн
500+66.19 грн
1000+60.76 грн
3000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshibaMOSFET 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.05 грн
500+61.28 грн
1000+54.03 грн
5000+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.56 грн
10+97.87 грн
100+69.05 грн
500+61.28 грн
1000+54.03 грн
5000+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNHLQ(M1ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH160816ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 16-08-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.27 грн
10+96.65 грн
100+73.64 грн
500+68.12 грн
1000+62.99 грн
2500+59.87 грн
5000+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.48 грн
10+135.76 грн
25+135.04 грн
100+129.52 грн
250+119.29 грн
500+113.90 грн
1000+113.27 грн
3000+112.66 грн
6000+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.38 грн
101+126.04 грн
102+120.89 грн
250+111.33 грн
500+106.30 грн
1000+105.72 грн
3000+105.15 грн
6000+104.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 6247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.21 грн
10+127.40 грн
100+87.59 грн
500+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+106.57 грн
500+85.84 грн
1000+80.22 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+112.20 грн
119+107.18 грн
250+102.88 грн
500+95.63 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.34 грн
500+83.38 грн
1000+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+91.23 грн
148+86.17 грн
170+74.85 грн
200+68.91 грн
1000+58.38 грн
2000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+213.70 грн
10+134.69 грн
100+111.34 грн
500+83.38 грн
1000+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PBToshibaMOSFETs SOP-ADV 40V 120A N-CH MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1HLQ(OToshiba SOP-ADV 40V 120A N-CH MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1Q(OToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.40 грн
10+112.06 грн
100+76.49 грн
500+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.64 грн
10+139.91 грн
25+119.26 грн
100+87.25 грн
250+86.45 грн
500+70.76 грн
1000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PBL1Q(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PBToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 27763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.26 грн
10+94.38 грн
100+63.92 грн
500+47.73 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.69 грн
10+103.10 грн
100+61.55 грн
250+61.47 грн
500+50.03 грн
1000+44.34 грн
2500+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+82.10 грн
156+81.53 грн
208+61.19 грн
250+58.41 грн
500+47.49 грн
1000+43.50 грн
3000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.75 грн
10+87.97 грн
25+87.35 грн
100+63.22 грн
250+57.95 грн
500+48.84 грн
1000+46.60 грн
3000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.12 грн
500+57.45 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.95 грн
10+104.16 грн
100+71.12 грн
500+57.45 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PBL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
на замовлення 15083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.18 грн
10+74.93 грн
100+53.55 грн
500+50.51 грн
1000+47.95 грн
5000+41.62 грн
10000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.26 грн
10+94.38 грн
100+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+60.62 грн
25+59.70 грн
100+56.69 грн
250+51.66 грн
500+48.81 грн
1000+48.01 грн
3000+47.23 грн
6000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+56.58 грн
228+55.72 грн
231+54.87 грн
250+52.08 грн
500+47.45 грн
1000+44.81 грн
3000+44.08 грн
6000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1Q(M
Код товару: 176221
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaTPH1R204PL,LQ(M1
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+45.19 грн
294+43.17 грн
299+42.49 грн
1000+39.67 грн
2000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ
Код товару: 210299
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.51 грн
10+101.47 грн
100+68.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.22 грн
10+111.38 грн
100+66.44 грн
250+66.36 грн
500+53.63 грн
1000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1240 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+432.80 грн
50+273.86 грн
250+210.11 грн
1000+164.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaTPH1R204PL1,LQ(M
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.71 грн
150+84.48 грн
161+79.15 грн
200+64.43 грн
1000+56.04 грн
2000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1240 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+273.86 грн
250+210.11 грн
1000+164.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ(MWToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1LQ(MWToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaMOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 25255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.38 грн
10+159.25 грн
100+99.25 грн
500+84.85 грн
1000+78.44 грн
2500+74.36 грн
5000+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 9539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.84 грн
10+150.25 грн
100+104.23 грн
500+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+205.28 грн
97+130.94 грн
120+105.60 грн
500+95.31 грн
1000+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.22 грн
500+102.55 грн
1000+76.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.48 грн
10+165.22 грн
100+121.22 грн
500+102.55 грн
1000+76.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1L1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 9611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.40 грн
10+130.99 грн
100+90.19 грн
500+69.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.52 грн
10+144.52 грн
100+86.45 грн
500+70.92 грн
5000+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A
Case: SOP8A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 170W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOS (U-MOS -H)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.64 грн
10+147.08 грн
100+101.92 грн
500+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.73 грн
10+161.09 грн
100+97.65 грн
500+82.44 грн
1000+81.64 грн
2500+80.84 грн
5000+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.54 грн
10+169.71 грн
100+118.52 грн
500+89.21 грн
1000+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.12 грн
500+95.88 грн
1000+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MToshibaTPH1R306PL1,LQ(M
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+212.88 грн
94+136.01 грн
116+109.82 грн
500+99.38 грн
1000+81.46 грн
2000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+167.97 грн
10+103.72 грн
100+70.23 грн
500+52.46 грн
1000+48.13 грн
2000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.87 грн
10+84.69 грн
100+49.63 грн
500+47.23 грн
1000+46.34 грн
2500+42.74 грн
5000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.93 грн
500+50.19 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.32 грн
11+88.98 грн
100+63.93 грн
500+50.19 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaTPH1R403NL1,LQ(M
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+170.57 грн
10+105.14 грн
100+71.05 грн
500+53.11 грн
1000+48.74 грн
2000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MDToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshibaMOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 38299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.52 грн
10+93.38 грн
100+63.12 грн
500+47.08 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0017 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+564.79 грн
50+382.51 грн
250+258.60 грн
1000+176.76 грн
3000+160.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+146.14 грн
117+108.97 грн
129+98.84 грн
200+69.89 грн
500+63.43 грн
1000+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0017 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+564.79 грн
50+382.51 грн
250+258.60 грн
1000+176.76 грн
3000+160.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MDL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200812ABB Installation Products HIGH TEMP T PIECE NC20-NC08-NC12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200816ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-08-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH200820ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-08-20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.84 грн
10+104.06 грн
100+70.60 грн
500+52.80 грн
1000+48.48 грн
2000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.69 грн
10+110.46 грн
100+64.03 грн
500+51.55 грн
1000+48.43 грн
5000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 10A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.69 грн
500+69.87 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.01 грн
10+117.63 грн
100+77.94 грн
500+58.45 грн
1000+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH201216ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-12-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.67 грн
10+45.69 грн
25+41.22 грн
100+33.99 грн
250+31.76 грн
500+30.42 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKHigh-speed broadband amplifier 1 120MHz 180 V/us 2.5V ~ 5.5V 6.5mA SOT-23-5 GenS TPH2501-TR SOT23-5 3PEAK WOTPH2501 3PE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2501-TR
Код товару: 206744
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.39 грн
10+56.36 грн
25+50.93 грн
100+42.18 грн
250+39.50 грн
500+37.88 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.39 грн
10+56.36 грн
25+50.93 грн
100+42.18 грн
250+39.50 грн
500+37.88 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+112.56 грн
10+79.46 грн
25+72.14 грн
100+60.13 грн
250+56.52 грн
500+54.34 грн
1000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.33 грн
10+89.55 грн
25+76.04 грн
100+57.06 грн
250+50.06 грн
500+45.79 грн
1000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-SR3PEAKDescription: IC OPAMP GP 120MHZ 4 CIR 14-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR
Код товару: 215710
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+114.29 грн
10+80.79 грн
25+73.27 грн
100+61.12 грн
250+57.47 грн
500+55.26 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2861-DF4R-S3PEAKDescription: IC OPAMP 8GHZ 1 CIR 8-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 19mA
Slew Rate: 2700V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 GHz
Current - Input Bias: 23 µA
Voltage - Input Offset: 200 µV
Supplier Device Package: 8-DFN (2x2)
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 120 mA
-3db Bandwidth: 2.3 GHz
Voltage - Supply Span (Min): 3.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2861-DF4R-S3PEAKDescription: IC OPAMP 8GHZ 1 CIR 8-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 19mA
Slew Rate: 2700V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 GHz
Current - Input Bias: 23 µA
Voltage - Input Offset: 200 µV
Supplier Device Package: 8-DFN (2x2)
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 120 mA
-3db Bandwidth: 2.3 GHz
Voltage - Supply Span (Min): 3.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.89 грн
10+294.91 грн
25+272.11 грн
100+231.88 грн
250+220.67 грн
500+213.92 грн
1000+204.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.44 грн
10+151.91 грн
100+105.54 грн
500+84.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 12836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.72 грн
10+176.73 грн
100+122.47 грн
250+112.06 грн
500+101.65 грн
1000+87.25 грн
2500+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.36 грн
10+173.30 грн
100+136.48 грн
500+107.56 грн
1000+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.48 грн
500+107.56 грн
1000+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 36A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.68 грн
10+76.37 грн
100+51.08 грн
500+37.77 грн
1000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.52 грн
10+70.97 грн
100+41.06 грн
500+37.70 грн
1000+34.58 грн
3000+29.62 грн
6000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.57 грн
6000+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.18 грн
500+43.69 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(SToshibaTPH2R003PL,LQ(S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.24 грн
12+77.04 грн
100+51.18 грн
500+43.69 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 7795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.93 грн
10+91.63 грн
100+61.84 грн
500+46.08 грн
1000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 43913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.77 грн
10+73.18 грн
100+44.50 грн
500+44.02 грн
1000+43.22 грн
3000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(SToshibaTPH2R104PL,LQ(S
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+51.87 грн
278+45.62 грн
291+43.59 грн
500+39.75 грн
1000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.09 грн
500+56.95 грн
1000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.95 грн
10+94.28 грн
100+73.09 грн
500+56.95 грн
1000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q
Код товару: 149945
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.02 грн
10+115.98 грн
100+79.35 грн
500+59.74 грн
1000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
на замовлення 6778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.84 грн
10+127.03 грн
100+76.44 грн
500+60.83 грн
1000+59.31 грн
2500+58.99 грн
5000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH 60V 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.56 грн
10+115.06 грн
100+68.12 грн
500+54.99 грн
1000+52.51 грн
2500+52.27 грн
5000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+171.44 грн
10+105.72 грн
100+71.96 грн
500+53.96 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 2300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+553.12 грн
50+367.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 2300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+553.12 грн
50+367.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaTPH2R306NH1,LQ(M
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+207.81 грн
125+101.37 грн
138+92.08 грн
200+72.58 грн
1000+62.90 грн
2000+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQToshibaPOWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.15 грн
10+128.40 грн
100+99.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 27561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.50 грн
10+109.81 грн
100+74.97 грн
500+56.35 грн
1000+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaMOSFETs SOP8 N-CH 80V 120A
на замовлення 92297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.24 грн
10+123.35 грн
100+73.64 грн
500+58.51 грн
1000+56.59 грн
2500+55.31 грн
5000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaMOSFET Silicon N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+118.27 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.44 грн
500+88.38 грн
1000+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1ToshibaLVMOS SOP8-ADV, ACTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1ToshibaTPH2R408QM,LQ(M1
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+219.99 грн
10+129.30 грн
100+110.44 грн
500+88.38 грн
1000+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QML1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QMLQ(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
на замовлення 9464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.42 грн
10+109.54 грн
100+64.11 грн
500+51.87 грн
1000+48.75 грн
2500+46.99 грн
5000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 48248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.32 грн
10+98.39 грн
100+66.74 грн
500+49.93 грн
1000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+200.21 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+516.30 грн
50+344.80 грн
250+264.89 грн
1000+213.45 грн
3000+181.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1ToshibaTPH2R506PL,LQ(M1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+137.70 грн
138+92.08 грн
149+85.32 грн
200+69.65 грн
1000+60.94 грн
2000+52.79 грн
5000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+344.80 грн
250+264.89 грн
1000+213.45 грн
3000+181.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NHToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.39 грн
10+93.47 грн
100+63.24 грн
500+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel Single
на замовлення 12751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.67 грн
10+99.41 грн
100+61.63 грн
500+48.99 грн
1000+45.46 грн
5000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.13 грн
500+56.95 грн
1000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+55.79 грн
25+55.63 грн
50+52.06 грн
100+48.05 грн
250+44.79 грн
500+44.62 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.14 грн
10+110.44 грн
100+77.13 грн
500+56.95 грн
1000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+52.07 грн
245+51.92 грн
252+50.39 грн
253+48.44 грн
260+43.54 грн
500+41.65 грн
1000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.51 грн
10+100.72 грн
100+68.12 грн
500+50.81 грн
1000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.10 грн
10+66.37 грн
100+44.12 грн
500+32.43 грн
1000+29.54 грн
2000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.98 грн
15+61.15 грн
100+40.59 грн
500+29.52 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+23.91 грн
544+23.32 грн
558+22.72 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.59 грн
500+29.52 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LSTransphormTransphorm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQATransphormDescription: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQATransphormMOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2067.51 грн
10+1879.65 грн
30+1560.84 грн
120+1395.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.24 грн
50+470.87 грн
100+434.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSBTransphormMOSFET 650V, 150mO
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WSTransphormMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LDGRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PSTransphormMOSFET GAN FET 650V 20A TO220
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3212PSRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 72mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3212PSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+82.81 грн
155+81.98 грн
196+64.78 грн
250+61.85 грн
500+48.01 грн
1000+34.57 грн
3000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.34 грн
10+81.21 грн
100+54.55 грн
500+40.48 грн
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.19 грн
10+88.73 грн
25+87.84 грн
100+66.93 грн
250+61.36 грн
500+49.38 грн
1000+37.04 грн
3000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+75.83 грн
180+70.55 грн
214+59.34 грн
226+54.11 грн
1000+45.19 грн
2000+40.80 грн
5000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.96 грн
10+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.87 грн
10+78.24 грн
100+46.02 грн
500+36.58 грн
1000+33.38 грн
3000+28.34 грн
6000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.84 грн
500+41.52 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.59 грн
11+82.88 грн
100+56.84 грн
500+41.52 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.32 грн
10+97.80 грн
100+66.26 грн
500+49.53 грн
1000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.67 грн
10+105.86 грн
25+84.04 грн
100+68.28 грн
250+64.59 грн
500+54.43 грн
1000+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ(M1ToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.10 грн
10+111.73 грн
100+76.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshibaMOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.97 грн
10+126.11 грн
100+74.36 грн
500+61.79 грн
1000+58.43 грн
5000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+744.37 грн
50+483.08 грн
250+327.74 грн
1000+274.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+744.37 грн
50+483.08 грн
250+327.74 грн
1000+274.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA TTPH3r203nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.21 грн
10+82.13 грн
100+55.20 грн
500+40.94 грн
1000+37.45 грн
2000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.20 грн
10+84.69 грн
100+51.39 грн
500+41.70 грн
1000+38.10 грн
2500+37.62 грн
5000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.08 грн
500+39.69 грн
1000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+29.48 грн
450+28.21 грн
500+26.61 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.28 грн
13+71.38 грн
100+52.08 грн
500+39.69 грн
1000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PLToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.07 грн
10+117.63 грн
100+81.08 грн
500+63.78 грн
1000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+57.61 грн
261+48.57 грн
277+45.87 грн
1000+39.91 грн
2000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.08 грн
500+63.78 грн
1000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+78.84 грн
169+75.32 грн
250+72.29 грн
500+67.20 грн
1000+60.19 грн
2500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 118A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.13 грн
10+86.38 грн
100+57.92 грн
500+42.92 грн
1000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 118A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQToshibaMOSFETs SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.01 грн
10+88.64 грн
100+51.55 грн
500+40.66 грн
1000+37.22 грн
3000+34.18 грн
6000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PCLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.94 грн
10000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.20 грн
11+70.36 грн
100+47.43 грн
250+43.12 грн
500+32.42 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 83091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.18 грн
10+59.45 грн
100+40.08 грн
500+29.73 грн
1000+25.52 грн
2000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+22.51 грн
613+20.70 грн
1000+19.52 грн
3000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.79 грн
10+65.17 грн
100+37.62 грн
500+29.78 грн
1000+25.21 грн
2500+24.81 грн
5000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 3000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+125.71 грн
12+79.74 грн
100+62.05 грн
500+48.69 грн
1000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+30.41 грн
433+29.31 грн
500+27.96 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+47.04 грн
281+45.15 грн
500+43.52 грн
1000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 3000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.05 грн
500+48.69 грн
1000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.63 грн
10+109.14 грн
100+74.44 грн
500+55.90 грн
1000+54.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1QToshibaMOSFETs SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 26465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.56 грн
10+115.98 грн
100+70.20 грн
500+56.91 грн
1000+54.83 грн
2500+53.55 грн
5000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH Si 100V 150A T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.84 грн
15000+62.90 грн
30000+58.52 грн
45000+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH Si 100V 150A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+55.81 грн
230+55.26 грн
232+54.82 грн
250+52.44 грн
500+48.17 грн
1000+45.87 грн
3000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaMOSFETs 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
на замовлення 8484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.66 грн
10+79.99 грн
100+57.15 грн
500+51.95 грн
1000+49.95 грн
2500+48.83 грн
5000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.66 грн
13+59.80 грн
25+59.20 грн
100+56.63 грн
250+52.03 грн
500+49.54 грн
1000+49.15 грн
3000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.10 грн
10+110.98 грн
100+75.42 грн
500+56.49 грн
1000+51.90 грн
2000+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.42 грн
500+95.05 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+97.15 грн
143+88.70 грн
175+72.48 грн
200+65.41 грн
1000+53.63 грн
2000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.87 грн
10+153.54 грн
100+119.42 грн
500+95.05 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.35 грн
10+73.21 грн
100+48.87 грн
500+36.07 грн
1000+32.92 грн
2000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.73 грн
10+75.11 грн
100+45.54 грн
500+36.74 грн
1000+32.74 грн
2500+32.18 грн
5000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+97.87 грн
15+63.39 грн
100+44.00 грн
500+32.85 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.00 грн
500+32.85 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.27 грн
10+184.10 грн
100+115.26 грн
500+105.66 грн
1000+104.86 грн
2500+103.26 грн
5000+89.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 10959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.27 грн
10+177.93 грн
100+124.65 грн
500+103.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 995000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.01 грн
500000+47.53 грн
750000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQToshibaMOSFETs SOP8 N-CH 80V 146A
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.63 грн
10+110.46 грн
100+66.04 грн
500+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.30 грн
10+117.63 грн
100+91.59 грн
500+73.62 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.59 грн
500+73.62 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1LQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QMToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.27 грн
10+86.30 грн
100+58.06 грн
500+43.16 грн
1000+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+46.07 грн
280+45.36 грн
284+44.65 грн
289+42.37 грн
500+38.60 грн
1000+36.45 грн
3000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaMOSFETs SOP8 N-CH 80V 86A
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.88 грн
10+61.21 грн
100+45.46 грн
500+43.06 грн
1000+40.18 грн
2500+39.54 грн
5000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.36 грн
25+48.60 грн
100+46.13 грн
250+42.04 грн
500+39.71 грн
1000+39.05 грн
3000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.83 грн
500+50.03 грн
1000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+84.48 грн
184+68.93 грн
200+64.46 грн
1000+55.07 грн
2000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.26 грн
20000+58.72 грн
30000+54.64 грн
40000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+86.29 грн
14+68.15 грн
100+57.83 грн
500+50.03 грн
1000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.26 грн
140000+58.72 грн
210000+54.64 грн
280000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.36 грн
10+110.14 грн
100+75.12 грн
500+56.43 грн
1000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 92A 75nC MOSFET
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.16 грн
10+120.58 грн
100+72.28 грн
500+57.47 грн
1000+55.39 грн
2500+54.19 грн
5000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+123.69 грн
107+119.49 грн
250+115.87 грн
500+108.69 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.79 грн
500+66.62 грн
1000+58.49 грн
5000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+101.37 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.26 грн
10+128.40 грн
100+89.79 грн
500+66.62 грн
1000+58.49 грн
5000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.58 грн
10+173.97 грн
100+110.46 грн
500+105.66 грн
1000+100.85 грн
2500+96.85 грн
5000+89.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 9435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.27 грн
10+177.93 грн
100+124.65 грн
500+103.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 138A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
на замовлення 6553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.35 грн
10+104.94 грн
100+61.23 грн
500+49.31 грн
1000+45.94 грн
2500+42.42 грн
5000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.85 грн
10+95.88 грн
100+64.86 грн
500+48.43 грн
1000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.40 грн
500+52.69 грн
1000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.34 грн
10+103.26 грн
100+70.40 грн
500+52.69 грн
1000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MToshibaTPH4R50ANH1,LQ(M
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+54.66 грн
252+50.43 грн
259+49.00 грн
500+47.08 грн
1000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MToshiba UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MWToshiba UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1LQ(MToshibaMOSFETs UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1LQ(MWToshibaMOSFETs UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHLQ(M1WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NHToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaN-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q
Код товару: 179170
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.38 грн
10+143.60 грн
100+86.45 грн
500+71.56 грн
2500+70.20 грн
5000+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.27 грн
10+131.82 грн
100+90.83 грн
500+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.07 грн
10+122.12 грн
100+87.01 грн
500+69.62 грн
1000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 38233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+28.64 грн
469+27.03 грн
481+26.36 грн
500+24.68 грн
1000+22.33 грн
5000+20.20 грн
10000+19.55 грн
20000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.01 грн
500+69.62 грн
1000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.30 грн
10+61.62 грн
100+40.80 грн
500+29.89 грн
1000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 26398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.23 грн
10+48.60 грн
100+29.22 грн
500+25.93 грн
3000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.02 грн
500+23.10 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(SToshibaTPH4R803PL,LQ(S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+49.56 грн
23+40.50 грн
100+28.02 грн
500+23.10 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH520RCADescription: RCA - TPH520 - Connector A:USB Type A Plug
Kabellänge - Imperial: 6
Mantelfarbe: Black
USB-Version: USB 2.0
Elektronische Kennzeichnung / Markierung: -
Steckverbinder auf Steckverbinder: Type A Plug to Type B Plug
Kabellänge - Metrisch: 1.82
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 8786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.35 грн
10+184.10 грн
100+113.66 грн
500+100.05 грн
2500+98.45 грн
5000+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.95 грн
10+167.01 грн
100+116.70 грн
500+95.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.38 грн
500+115.90 грн
1000+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+279.25 грн
10+191.26 грн
100+137.38 грн
500+115.90 грн
1000+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+219.64 грн
119+107.28 грн
131+97.15 грн
200+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 150V 64mOhm (VGS=10V) SOP-ADV
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.19 грн
10+70.88 грн
100+44.02 грн
500+35.06 грн
1000+30.74 грн
2500+30.34 грн
5000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.71 грн
10+64.03 грн
100+48.63 грн
500+36.69 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+71.52 грн
209+60.86 грн
244+52.13 грн
257+47.67 грн
500+41.26 грн
1000+37.20 грн
5000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.27 грн
10+94.81 грн
100+53.87 грн
500+44.50 грн
1000+41.30 грн
2500+40.42 грн
5000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 7942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.39 грн
10+93.22 грн
100+62.83 грн
500+46.72 грн
1000+42.78 грн
2000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.16 грн
500+51.61 грн
1000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.56 грн
10+101.46 грн
100+67.16 грн
500+51.61 грн
1000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.67 грн
10+91.04 грн
100+58.59 грн
1000+55.63 грн
2500+51.47 грн
5000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.41 грн
10+122.40 грн
100+83.59 грн
500+62.87 грн
1000+57.87 грн
2000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.09 грн
500+66.20 грн
1000+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+77.41 грн
193+65.89 грн
225+56.39 грн
237+51.63 грн
500+44.69 грн
1000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.97 грн
10+98.77 грн
100+73.09 грн
500+66.20 грн
1000+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1HQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.63 грн
10+120.06 грн
100+82.70 грн
500+62.67 грн
1000+55.44 грн
2000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
на замовлення 18312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.01 грн
10+113.22 грн
25+92.85 грн
100+69.88 грн
250+69.72 грн
500+57.23 грн
1000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.064 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+399.57 грн
50+265.78 грн
250+205.62 грн
1000+165.09 грн
3000+140.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.064 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+399.57 грн
50+265.78 грн
250+205.62 грн
1000+165.09 грн
3000+140.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NLToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.60 грн
10+84.69 грн
100+49.55 грн
500+39.46 грн
1000+36.10 грн
3000+33.70 грн
6000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.00 грн
10+56.20 грн
100+43.70 грн
500+34.76 грн
1000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.10 грн
500+39.44 грн
1000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.69 грн
13+70.13 грн
100+50.10 грн
500+39.44 грн
1000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 49A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.19 грн
25+29.94 грн
50+28.62 грн
100+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.61 грн
10+50.36 грн
100+34.84 грн
500+27.32 грн
1000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
на замовлення 20067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.07 грн
10+49.15 грн
100+29.54 грн
500+26.33 грн
3000+23.77 грн
6000+22.49 грн
9000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+65.37 грн
17+53.43 грн
100+36.90 грн
500+30.60 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.90 грн
500+30.60 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.33 грн
10+76.03 грн
100+43.86 грн
500+34.66 грн
1000+31.22 грн
2500+28.66 грн
5000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.55 грн
10+74.29 грн
25+62.20 грн
100+45.48 грн
250+39.14 грн
500+35.23 грн
1000+31.43 грн
2500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.94 грн
500+46.78 грн
1000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+99.67 грн
13+74.53 грн
100+55.94 грн
500+46.78 грн
1000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.41 грн
10+77.21 грн
100+51.69 грн
500+38.24 грн
1000+34.93 грн
2000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
на замовлення 13527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.07 грн
10+83.95 грн
100+48.83 грн
500+38.98 грн
1000+35.14 грн
2500+34.58 грн
5000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOSFETs
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.25 грн
500+45.11 грн
1000+37.56 грн
5000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.99 грн
11+89.34 грн
100+60.25 грн
500+45.11 грн
1000+37.56 грн
5000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH707KK
Код товару: 21611
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Угловое соединение столешниц 1100х1100 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+9100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH707KK ESD
Код товару: 21612
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Угловое соединение столешниц 1100х1100 мм, нагрузка 150 кг, антистатическое
товару немає в наявності
1+12400.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712
Код товару: 21222
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1200мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм,нагрузка 300 кг,
товару немає в наявності
1+9950.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712 ESD
Код товару: 21223
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1200мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+13400.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712 L
Код товару: 21548
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1200, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+7850.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712L ESD
Код товару: 21585
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1200, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+11600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715 ESD
Код товару: 21225
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+14700.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715 L
Код товару: 21549
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+8200.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715-3
Код товару: 106391
Додати до обраних Обраний товар

Інструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: TRESTON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715L ESD
Код товару: 21586
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+12900.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718
Код товару: 21226
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг
товару немає в наявності
1+11800.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718 ESD
Код товару: 21227
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 700х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+17600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718 L
Код товару: 21550
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 700х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+9050.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718L ESD
Код товару: 21587
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 700х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+15100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.34 грн
10+58.64 грн
100+29.78 грн
500+24.25 грн
1000+21.45 грн
2500+21.21 грн
5000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.25 грн
10000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+27.81 грн
500+24.90 грн
1000+24.75 грн
3000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 15895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.91 грн
10+55.20 грн
100+36.39 грн
500+26.54 грн
1000+24.09 грн
2000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.17 грн
500+27.26 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.28 грн
15+63.84 грн
100+37.17 грн
500+27.26 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+72.73 грн
233+54.40 грн
274+46.29 грн
500+38.20 грн
1000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaTRANSISTOR/NFET 60V 64A POWERPAK SO8 6.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.39 грн
10+49.03 грн
100+26.77 грн
500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.83 грн
6000+19.26 грн
9000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W
на замовлення 13920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.91 грн
10+53.30 грн
100+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
776+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 776
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 5400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.49 грн
16+58.01 грн
100+31.61 грн
500+23.18 грн
1000+21.32 грн
5000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+67.83 грн
383+33.11 грн
500+30.33 грн
1000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 5400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.61 грн
500+23.18 грн
1000+21.32 грн
5000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+37.66 грн
351+36.15 грн
500+34.85 грн
1000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 337
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
на замовлення 16523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.66 грн
10+91.87 грн
100+54.99 грн
500+47.63 грн
1000+44.02 грн
2500+40.58 грн
5000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
на замовлення 26067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.58 грн
10+96.80 грн
100+65.40 грн
500+48.77 грн
1000+44.71 грн
2000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.87 грн
500+55.36 грн
1000+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+20.87 грн
615+20.61 грн
625+20.27 грн
1000+19.22 грн
5000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 608
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+125.71 грн
10+99.67 грн
100+68.87 грн
500+55.36 грн
1000+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.90 грн
10+108.39 грн
100+73.93 грн
500+55.52 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshibaMOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 63A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.48 грн
10+59.92 грн
100+36.10 грн
250+35.22 грн
500+29.22 грн
1000+25.61 грн
2500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQ(M1ToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.81 грн
10+117.82 грн
25+95.25 грн
100+80.04 грн
250+75.16 грн
500+64.19 грн
1000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.40 грн
10+109.48 грн
100+77.68 грн
500+61.97 грн
1000+56.06 грн
2000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+350.19 грн
50+233.46 грн
250+179.58 грн
1000+144.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 61W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.46 грн
250+179.58 грн
1000+144.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.13 грн
10+42.61 грн
100+28.07 грн
500+20.49 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.25 грн
10+59.83 грн
100+35.06 грн
500+34.58 грн
1000+31.22 грн
3000+26.33 грн
6000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+60.50 грн
429+29.57 грн
469+27.03 грн
471+25.97 грн
580+19.52 грн
1000+17.56 грн
2000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH909KK
Код товару: 21615
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Угловое соединение столешниц 1300х1300 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+9300.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH909KK ESD
Код товару: 21616
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Угловое соединение столешниц 1300х1300 мм, нагрузка 150 кг, антистатическое
товару немає в наявності
1+13600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915
Код товару: 21228
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 900х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг
товару немає в наявності
1+11600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915 ESD
Код товару: 21229
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 900х1500мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+16800.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915L
Код товару: 21588
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+9100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915L ESD
Код товару: 21589
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1500, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+15000.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH918
Код товару: 21230
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 900х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг
товару немає в наявності
1+12400.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH918 ESD
Код товару: 21231
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол с полками, 900х1800мм, высота столешницы 650-900мм, высота полки 1080-1550мм, нагрузка 300 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+19700.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH918 L
Код товару: 21551
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль с полками 900х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг
товару немає в наявності
1+9950.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH918L ESD
Код товару: 21590
Додати до обраних Обраний товар

TRESTONІнструмент та обладнання > Промислові меблі Treston
Описание: Монтажный стол приставной вдоль, с полками 900х1800, высота столешницы 650-900 мм, нагрузка 150 кг, антистатический
товару немає в наявності
1+17500.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.89 грн
10+163.25 грн
100+133.75 грн
500+98.95 грн
1000+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 9mohm
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.61 грн
10+175.81 грн
50+132.87 грн
100+128.07 грн
500+104.06 грн
1000+95.25 грн
5000+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+297.21 грн
10+230.76 грн
100+174.20 грн
500+140.91 грн
1000+111.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.20 грн
500+140.91 грн
1000+111.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 9723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.34 грн
10+127.07 грн
100+87.36 грн
500+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQToshibaMOSFETs
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.84 грн
10+136.23 грн
25+116.06 грн
100+83.24 грн
500+67.48 грн
1000+60.11 грн
2500+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.59 грн
500+81.21 грн
1000+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.81 грн
10+128.40 грн
100+91.59 грн
500+81.21 грн
1000+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1ToshibaTPH9R00CQH,LQ(M1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.90 грн
6000+24.04 грн
9000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.24 грн
10+70.51 грн
100+47.07 грн
500+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 31414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.50 грн
10+64.62 грн
100+42.85 грн
500+31.46 грн
1000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 0.0073 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.05 грн
500+31.10 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 0.0073 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.32 грн
15+63.30 грн
100+40.05 грн
500+31.10 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-EEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-EBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-EAVBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS 800 AMP BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-EAVEatonDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-ELEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-ELBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MAVBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS 800 AMP BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MAVEatonDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MLBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS-B-MLEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-EBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-EEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-EAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-EAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-ELBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-ELEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MAVEatonDescription: FUSE HLDR BLADE
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MLBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-MLEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-PBussmann / EatonFuse Holder TPHCS70-250A PULLOUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS250-PEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-EBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-EEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-EAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-EAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-ELBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-ELEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MEaton ElectricalHigh Current Switch 800A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MBussmann / EatonFuse Holder DISCN. SWITCH 800A METRIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MLBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-MLEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-PBussmann / EatonFuse Holder TPHCS 300-800A PULLOUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHCS800-PEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHD4-313-36A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHKI-3002+Mini-CircuitsSignal Conditioning TCC SMT THRU-LINE DC - 30 GHz, 50ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1202.78 грн
50+1048.44 грн
100+831.65 грн
200+750.80 грн
500+707.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshibaMOSFETs 30 Volt N-Channel
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.05 грн
10+143.60 грн
100+86.45 грн
500+70.20 грн
1000+67.24 грн
2500+65.40 грн
5000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 22534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.54 грн
10+130.24 грн
100+89.64 грн
500+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,LQ(M1ToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)
на замовлення 26101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.11 грн
10+146.36 грн
100+75.72 грн
500+72.28 грн
1000+70.20 грн
2500+67.80 грн
5000+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.56 грн
10+130.82 грн
100+80.75 грн
500+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+136.46 грн
100+100.56 грн
500+84.27 грн
1000+77.31 грн
2000+68.03 грн
5000+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 410µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.38 грн
500+83.38 грн
1000+76.27 грн
5000+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ(MToshibaTPHR6503PL1,LQ(M
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+164.73 грн
78+163.67 грн
96+133.05 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.44 грн
10+150.85 грн
100+93.38 грн
500+83.38 грн
1000+76.27 грн
5000+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PUToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU L1QToshiba SOP N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1QToshibaMOSFETs 40V UMOS9 SOP-ADV(N) 0.65mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.40 грн
500+100.89 грн
1000+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.40 грн
10+164.32 грн
100+128.40 грн
500+100.89 грн
1000+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PUL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PBToshibaMOSFETs SOPADVANCE N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1HLQ(OToshiba SOPADVANCE N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1Q(OToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.27 грн
10+177.85 грн
100+124.02 грн
500+94.83 грн
1000+87.91 грн
2000+85.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshibaMOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.58 грн
10+132.55 грн
100+96.05 грн
1000+88.85 грн
2500+84.85 грн
5000+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ(OToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+142.34 грн
93+136.92 грн
100+132.27 грн
250+123.68 грн
500+111.40 грн
1000+104.33 грн
2500+102.03 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PBL1Q(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL
Код товару: 144412
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 22288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.55 грн
10+122.23 грн
100+83.86 грн
500+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
на замовлення 33725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.77 грн
10+125.19 грн
100+77.08 грн
500+66.12 грн
1000+64.59 грн
2500+63.63 грн
5000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,LQ(M1WToshiba SOP N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 850 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+579.16 грн
50+359.17 грн
250+298.11 грн
1000+230.12 грн
3000+198.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 850 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+579.16 грн
50+359.17 грн
250+298.11 грн
1000+230.12 грн
3000+198.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MWToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1LQ(MWToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLLQ(M1WToshibaMOSFETs SOP N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NCToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 78W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4mΩ
Case: SOP8A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+248.90 грн
5+216.12 грн
25+184.10 грн
100+166.09 грн
500+163.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 78W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4mΩ
Case: SOP8A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+207.42 грн
5+173.43 грн
25+153.42 грн
100+138.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q
Код товару: 128207
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.44 грн
10+148.20 грн
100+91.25 грн
500+75.72 грн
1000+75.00 грн
2500+74.36 грн
5000+64.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.60 грн
10+134.32 грн
100+92.76 грн
500+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.38 грн
10000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 220A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 220A
Power dissipation: 78W
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+99.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.08 грн
10000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaN-MOSFET 30V 60A 1.6W 0.9mΩ TPHR9003NL,L1Q Toshiba TTPHR9003nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,LQ(M1ToshibaTPHR9003NL,LQ(M1
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+197.67 грн
132+96.30 грн
146+87.01 грн
200+68.75 грн
1000+59.74 грн
2000+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.57 грн
10+120.58 грн
100+70.92 грн
500+56.67 грн
1000+55.07 грн
5000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MToshibaTPHR9003NL1,LQ(M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+110.18 грн
121+105.25 грн
250+101.03 грн
500+93.91 грн
1000+84.11 грн
2500+78.36 грн
5000+76.25 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.60 грн
10+158.93 грн
100+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.90 грн
10+107.64 грн
100+73.08 грн
500+54.67 грн
1000+50.20 грн
2000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.82 грн
10+110.46 грн
100+64.35 грн
500+51.87 грн
1000+48.75 грн
5000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+85.43 грн
156+81.52 грн
175+72.76 грн
200+67.41 грн
500+62.32 грн
1000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,LQ(M1ToshibaTPHR9203PL,LQ(M1
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+82.48 грн
500+78.98 грн
1000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.10 грн
10+111.14 грн
100+75.59 грн
500+56.64 грн
1000+52.04 грн
2000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
на замовлення 30225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.46 грн
10+85.51 грн
100+52.19 грн
1000+51.23 грн
2500+47.31 грн
5000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.10 грн
500+59.95 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ(MToshibaLVMOS SOP-8-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.40 грн
10+92.49 грн
100+65.10 грн
500+59.95 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PLL1Q(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHWC-EUVENTIONCategory: Computer Adapters
Description: Hub USB; USB 3.0,USB 3.1 Gen 1; white; Number of ports: 12; 0.25m
Kind of connector: DC 5V female; HDMI socket; Jack 3.5mm socket; microSD; RJ45 socket; SD; USB A socket x3; USB C socket x2; VGA
Colour: white
Insulation colour: white
Version: USB 3.1 Gen 1; USB 3.0
Type of PC accessories: hub USB
Contact plating: nickel plated
Standard: Power Delivery
Cable length: 0.25m
Number of ports: 12
Enclosure material: ABS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+6474.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPHWC-EUVENTIONCategory: Computer Adapters
Description: Hub USB; USB 3.0,USB 3.1 Gen 1; white; Number of ports: 12; 0.25m
Kind of connector: DC 5V female; HDMI socket; Jack 3.5mm socket; microSD; RJ45 socket; SD; USB A socket x3; USB C socket x2; VGA
Colour: white
Insulation colour: white
Version: USB 3.1 Gen 1; USB 3.0
Type of PC accessories: hub USB
Contact plating: nickel plated
Standard: Power Delivery
Cable length: 0.25m
Number of ports: 12
Enclosure material: ABS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5395.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.