Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TPHR9003NL,L1Q за ціною від 64.23 грн до 255.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V |
на замовлення 3708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TPHR9003NL,L1Q | Toshiba |
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V |
на замовлення 3827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPHR9003NL,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.66 грн |
| 10+ | 119.41 грн |
| 100+ | 82.46 грн |
| 500+ | 64.23 грн |
| TPHR9003NL,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 255.65 грн |
| 10000+ | 253.55 грн |
| 15000+ | 251.43 грн |
| 20000+ | 240.40 грн |
| 25000+ | 220.69 грн |
| 50000+ | 210.03 грн |
| TPHR9003NL,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 255.65 грн |
| 10000+ | 253.55 грн |
| 15000+ | 251.43 грн |
| 20000+ | 240.40 грн |
| 25000+ | 220.69 грн |
| 50000+ | 210.03 грн |
| TPHR9003NL,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





