Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPHR9003NL,L1Q
TPHR9003NL,L1Q

TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 5296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.89 грн
10+120.93 грн
100+85.91 грн
500+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPHR9003NL,L1Q за ціною від 64.96 грн до 194.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Виробник : Toshiba TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.83 грн
10+137.90 грн
50+116.24 грн
100+85.34 грн
500+69.08 грн
1000+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q
Код товару: 128207
Додати до обраних Обраний товар

TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Виробник : Toshiba tphr9003nl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Виробник : Toshiba tphr9003nl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.