Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > UMH9NTN
UMH9NTN

UMH9NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.65 грн
6000+6.69 грн
9000+6.34 грн
15000+5.59 грн
21000+5.37 грн
30000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMH9NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMH9N Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції UMH9NTN за ціною від 6.09 грн до 38.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UMH9N-TN UMH9N-TN Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 6237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+13.72 грн
1104+13.27 грн
2500+12.88 грн
5000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9N-TN UMH9N-TN Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 67370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+28.22 грн
1042+14.06 грн
2000+13.38 грн
3000+11.96 грн
12000+10.11 грн
24000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9N-TN UMH9N-TN Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
774+28.22 грн
1042+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN UMH9NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 36236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.91 грн
15+20.63 грн
100+13.06 грн
500+9.18 грн
1000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN UMH9NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 70MA SOT-363
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+35.46 грн
15+21.54 грн
100+11.89 грн
500+8.95 грн
1000+7.90 грн
3000+6.47 грн
6000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN UMH9NTN ROHM datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN UMH9NTN ROHM umh9ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.01 грн
30+26.51 грн
100+12.19 грн
1000+9.02 грн
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9 N TN ROHM
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9N-TN umh9ntn-e.pdf
UMH9N-TN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 6237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1068+13.72 грн
1104+13.27 грн
2500+12.88 грн
5000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9N-TN umh9ntn-e.pdf
UMH9N-TN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 67370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
770+28.22 грн
1042+14.06 грн
2000+13.38 грн
3000+11.96 грн
12000+10.11 грн
24000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9N-TN umh9ntn-e.pdf
UMH9N-TN
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
774+28.22 грн
1042+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH9NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 36236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.91 грн
15+20.63 грн
100+13.06 грн
500+9.18 грн
1000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH9NTN
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DUAL NPN 50V 70MA SOT-363
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.46 грн
15+21.54 грн
100+11.89 грн
500+8.95 грн
1000+7.90 грн
3000+6.47 грн
6000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH9NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN umh9ntn-e.pdf
UMH9NTN
Виробник: ROHM
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+38.01 грн
30+26.51 грн
100+12.19 грн
1000+9.02 грн
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9 N TN
Виробник: ROHM
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.