UMH9NTN

UMH9NTN Rohm Semiconductor


datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.78 грн
6000+6.80 грн
9000+6.45 грн
15000+5.68 грн
21000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UMH9NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMH9N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UMH9NTN за ціною від 4.72 грн до 37.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UMH9N-TN UMH9N-TN Виробник : Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1305+9.35 грн
1316+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 1305
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9N-TN UMH9N-TN Виробник : Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 67975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1305+9.35 грн
1513+8.07 грн
2000+7.61 грн
3000+6.88 грн
6000+5.27 грн
12000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 1305
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9N-TN UMH9N-TN Виробник : Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 7437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1197+10.20 грн
1237+9.87 грн
2500+9.57 грн
5000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 1197
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN UMH9NTN Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 26841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
15+20.94 грн
100+13.28 грн
500+9.33 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN UMH9NTN Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=UMH9N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 70MA SOT-363
на замовлення 24443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.36 грн
13+26.92 грн
100+10.01 грн
1000+7.75 грн
3000+6.25 грн
9000+5.87 грн
24000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9NTN UMH9NTN Виробник : ROHM umh9ntn-e.pdf Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH9N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.92 грн
37+23.39 грн
100+11.15 грн
500+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9 N TN Виробник : ROHM
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9 N TN Виробник : ROHM SOT26/SOT363
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9 N TN Виробник : ROHM SOT363-H9 PB-FRE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMH9N-TN UMH9N-TN Виробник : Rohm Semiconductor umh9ntn-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.