UMH9NTN Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.61 грн |
| 6000+ | 6.65 грн |
| 9000+ | 6.30 грн |
| 15000+ | 5.55 грн |
| 21000+ | 5.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMH9NTN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMH9N Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UMH9NTN за ціною від 3.26 грн до 37.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMH9N-TN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH9N-TN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 67975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH9N-TN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
на замовлення 7437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMH9NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH9NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 26841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMH9NTN | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 70MA SOT-363 |
на замовлення 24443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UMH9NTN | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - UMH9NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMH9N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| UMH9 N TN | Виробник : ROHM |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| UMH9 N TN | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| UMH9 N TN | Виробник : ROHM | SOT363-H9 PB-FRE |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
UMH9N-TN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
товару немає в наявності |