VN2460N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 108.67 грн |
| 25+ | 87.34 грн |
| 100+ | 78.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2460N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: VN2460, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції VN2460N3-G за ціною від 76.89 грн до 166.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VN2460N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 600V 20Ohm |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
VN2460N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: VN2460 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
VN2460N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
VN2460N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
VN2460N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
VN2460N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
VN2460N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
VN2460N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
|
VN2460N3-G Код товару: 104102
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||
|
|
VN2460N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
VN2460N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |




,TO-226_straightlead.jpg)