Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > Всі товари виробника RENESAS ELECTRONICS CORPORATION (28586) > Сторінка 270 з 477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 47 94 141 188 235 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 282 329 376 423 470 477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NP180N04TUK-E1-AY NP180N04TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n04tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.34 грн
10+321.88 грн
100+233.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n055tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n055tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.13 грн
10+282.99 грн
100+203.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18686EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18686EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np36p04sdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.48 грн
5000+48.24 грн
7500+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np36p04sdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.68 грн
10+112.34 грн
100+76.84 грн
500+57.87 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18687EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.68 грн
1600+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18687EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.10 грн
10+125.65 грн
100+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18008EJ5V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18008EJ5V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.32 грн
10+110.67 грн
100+75.66 грн
500+56.94 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756 Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756 Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.61 грн
10+100.61 грн
100+68.66 грн
500+51.59 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18688EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.55 грн
1600+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18688EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.74 грн
10+168.77 грн
100+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D19072EJ2V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D19072EJ2V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.67 грн
10+85.18 грн
100+78.21 грн
500+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06kdg-datasheet?r=499781 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06kdg-datasheet?r=499781 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.60 грн
10+151.14 грн
100+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06sdg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.20 грн
5000+60.83 грн
7500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06sdg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.17 грн
10+137.22 грн
100+94.88 грн
500+72.08 грн
1000+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY NP75P03YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p03ydg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY NP75P03YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p03ydg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.46 грн
10+134.35 грн
100+93.20 грн
500+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY NP75P04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p04ylg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY NP75P04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p04ylg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.03 грн
10+135.26 грн
100+93.85 грн
500+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY NP89N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np89n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.65 грн
1600+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY NP89N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np89n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.53 грн
10+138.81 грн
100+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NDDDLK#20 R5F566NDDDLK#20 Renesas Electronics Corporation rx66n-group-datasheet?r=1170201 Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 145TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 145-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 29x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-TFLGA (7x7)
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.87 грн
10+790.13 грн
25+737.25 грн
80+644.76 грн
416+599.54 грн
832+585.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNDDBG#20 R5F566NNDDBG#20 Renesas Electronics Corporation rx66n Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFBGA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1186.98 грн
10+907.30 грн
25+848.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNDDFC#30 R5F566NNDDFC#30 Renesas Electronics Corporation rh850f1l-rh850f1m-rh850f1h-datasheet Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 8x12b, 21x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LFQFP (24x24)
Part Status: Active
Number of I/O: 136
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1255.33 грн
10+959.43 грн
40+870.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNHDFC#30 R5F566NNHDFC#30 Renesas Electronics Corporation rx66n Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 29x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LFQFP (24x24)
Part Status: Active
Number of I/O: 136
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1204.26 грн
10+921.38 грн
40+836.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XLL525085.000000I XLL525085.000000I Renesas Electronics Corporation xl-family-low-phase-noise-quartz-based-pll-oscillators-datasheet Description: XTAL OSC XO 85.0000MHZ LVDS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 34mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 85 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123AP-E Renesas Electronics Corporation Description: IC UNI-LOGIC GATE BUFFER SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSSC3230BC1D-ES Renesas Electronics Corporation Description: IC CAP SENSOR SIGNAL COND ENG SM
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Output Type: I²C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Capacitive Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Input Type: Analog, Digital
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Supply: 1.1 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA2E1S00001BE RTK7EKA2E1S00001BE Renesas Electronics Corporation ek-ra2e1-v1-users-manual Description: EK-RA2E1 R7FA2E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Utilized IC / Part: RA2E1, R7FA2E1
Platform: EK-RA2E1
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3846.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA4M1S00001BU RTK7EKA4M1S00001BU Renesas Electronics Corporation Description: EK-RA4M1 R7FA4M1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Utilized IC / Part: RA4M1, R7FA4M1
Platform: EK-RA4M1
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2799.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M1S00001BU RTK7EKA6M1S00001BU Renesas Electronics Corporation Description: EK-RA6M1 R7FA6M1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Utilized IC / Part: RA6M1, R7FA6M1
Platform: EK-RA6M1
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3504.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M5S00001BE RTK7EKA6M5S00001BE Renesas Electronics Corporation ek-ra6m5-v1-users-manual?language=en&r=1494266 Description: EK-RA6M5 R7FA6M5 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6M5, R7FA6M5
Platform: EK-RA6M5
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4018.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA4E1S00001BE RTK7FPA4E1S00001BE Renesas Electronics Corporation fpb-ra4e1-users-manual Description: FPB-RA4E1 R7FA4E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA4E1, R7FA4E1
Platform: FPB-RA4E1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1546.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA6E1S00001BE RTK7FPA6E1S00001BE Renesas Electronics Corporation fpb-ra6e1-users-manual Description: FPB-RA6E1 R7FA6E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6E1, R7FA6E1
Platform: FPB-RA6E1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1789.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL68301IRAZ-T7A ISL68301IRAZ-T7A Renesas Electronics Corporation Description: SNGL PH DIG DC/DC CONT
Number of Outputs: 1
Clock Sync: Yes
Output Phases: 1
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 16V, 4.5V ~ 5.5V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316035NX0IBCY Renesas Electronics Corporation m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Memory Format: RAM
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LFBGA
Packaging: Tray
Memory Organization: 1M x 16
Access Time: 35 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4120.26 грн
10+3663.11 грн
25+3543.77 грн
50+3242.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316045NX0IBCY Renesas Electronics Corporation m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Memory Organization: 1M x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Memory Format: RAM
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2211ACCSP-10YV#SC0 RV1S2211ACCSP-10YV#SC0 Renesas Electronics Corporation rv1s2211a-data-sheet-r08ds0184ej0100 Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Voltage - Output (Max): 40V
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Packaging: Strip
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 1mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 40mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.26 грн
20+84.35 грн
100+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2285ACCSP-10YC#SC0 RV1S2285ACCSP-10YC#SC0 Renesas Electronics Corporation rv1s2285a-data-sheet-r08ds0186ej0100 Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 30mA
Input Type: AC, DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Strip
на замовлення 5292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.90 грн
10+87.30 грн
100+67.19 грн
500+56.99 грн
1000+48.98 грн
2000+46.31 грн
5000+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2285ACCSP-10YV#SC0 RV1S2285ACCSP-10YV#SC0 Renesas Electronics Corporation rv1s2285a-data-sheet-r08ds0186ej0100 Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 30mA
Input Type: AC, DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Strip
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F2915EVBI F2915EVBI Renesas Electronics Corporation f2915-datasheet Description: RF
Supplied Contents: Board(s)
Type: Switch, SP5T
Frequency: 50MHz ~ 8GHz
For Use With/Related Products: F2915
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2225-80-E#T2 2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics Corporation 2sk2225-80-e-datasheet?r=1336401 Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.44 грн
25+877.74 грн
100+760.82 грн
500+676.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATXP064B-CCUE-T Renesas Electronics Corporation Description: IC FLASH 64MBIT SPI/OCTAL 24CBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-CBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 25µs, 12ms
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT25SL128A-UIUE-T Renesas Electronics Corporation at25sl128a-datasheet?r=1608821 Description: IC FLASH 128MBIT SPI 21WLCSP
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 8
Access Time: 6 ns
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Write Cycle Time - Word, Page: 150µs, 5ms
Supplier Device Package: 21-WLCSP (3.02x3.29)
Technology: FLASH
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 21-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT25SL128A-UIUE-T Renesas Electronics Corporation at25sl128a-datasheet?r=1608821 Description: IC FLASH 128MBIT SPI 21WLCSP
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 8
Access Time: 6 ns
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Write Cycle Time - Word, Page: 150µs, 5ms
Supplier Device Package: 21-WLCSP (3.02x3.29)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 21-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AT25SL128A-SUE-T AT25SL128A-SUE-T Renesas Electronics Corporation Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 150µs, 5ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT25SL641-SUE-T AT25SL641-SUE-T Renesas Electronics Corporation Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
DigiKey Programmable: Verified
Memory Organization: 8M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Write Cycle Time - Word, Page: 150µs, 5ms
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814-Z-E1-AZ 2SK3814-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation 2sk3814-data-sheet Description: MP-3 AL
Packaging: Strip
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.11 грн
10+143.12 грн
100+113.89 грн
500+90.43 грн
1000+76.73 грн
2000+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAA2900014H12HPD#GB2 RAA2900014H12HPD#GB2 Renesas Electronics Corporation Description: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 9V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 708µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAA2900014H12HPD#GB2 RAA2900014H12HPD#GB2 Renesas Electronics Corporation Description: MP-3ZK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 9V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 708µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RAA2900024H12HPD#GB1 RAA2900024H12HPD#GB1 Renesas Electronics Corporation Description: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 9V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 708µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAA2900034H12HPD#GB1 RAA2900034H12HPD#GB1 Renesas Electronics Corporation raa2900034h12hpd-intelligent-power-device Description: MP-3ZK
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Current - Supply: 708µA
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 9V ~ 28V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY np180n04tukmos-field-effect-transistor
NP180N04TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+471.34 грн
10+321.88 грн
100+233.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY np180n055tukmos-field-effect-transistor
NP180N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+169.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY np180n055tukmos-field-effect-transistor
NP180N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+439.13 грн
10+282.99 грн
100+203.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive
NP35N055YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive
NP35N055YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY D18686EJ3V0DS00.pdf
NP36P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY D18686EJ3V0DS00.pdf
NP36P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY np36p04sdg-datasheet
NP36P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+53.48 грн
5000+48.24 грн
7500+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY np36p04sdg-datasheet
NP36P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.68 грн
10+112.34 грн
100+76.84 грн
500+57.87 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY D18687EJ3V0DS00.pdf
NP36P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+64.68 грн
1600+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY D18687EJ3V0DS00.pdf
NP36P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+201.10 грн
10+125.65 грн
100+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY D18008EJ5V0DS00.pdf
NP36P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY D18008EJ5V0DS00.pdf
NP36P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.32 грн
10+110.67 грн
100+75.66 грн
500+56.94 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756
NP50N04YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756
NP50N04YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+162.61 грн
10+100.61 грн
100+68.66 грн
500+51.59 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY D18688EJ3V0DS00.pdf
NP50P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+93.55 грн
1600+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY D18688EJ3V0DS00.pdf
NP50P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.74 грн
10+168.77 грн
100+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY D19072EJ2V0DS00.pdf
NP50P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY D19072EJ2V0DS00.pdf
NP50P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+213.67 грн
10+85.18 грн
100+78.21 грн
500+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY np50p06kdg-datasheet?r=499781
NP50P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY np50p06kdg-datasheet?r=499781
NP50P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.60 грн
10+151.14 грн
100+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY np50p06sdg-data-sheet
NP50P06SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+67.20 грн
5000+60.83 грн
7500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY np50p06sdg-data-sheet
NP50P06SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+219.17 грн
10+137.22 грн
100+94.88 грн
500+72.08 грн
1000+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY np75p03ydg-data-sheet
NP75P03YDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY np75p03ydg-data-sheet
NP75P03YDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+214.46 грн
10+134.35 грн
100+93.20 грн
500+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY np75p04ylg-data-sheet
NP75P04YLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY np75p04ylg-data-sheet
NP75P04YLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+216.03 грн
10+135.26 грн
100+93.85 грн
500+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY np89n04pukmos-field-effect-transistor
NP89N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+82.65 грн
1600+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY np89n04pukmos-field-effect-transistor
NP89N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.53 грн
10+138.81 грн
100+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NDDDLK#20 rx66n-group-datasheet?r=1170201
R5F566NDDDLK#20
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 145TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 145-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 29x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-TFLGA (7x7)
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1040.87 грн
10+790.13 грн
25+737.25 грн
80+644.76 грн
416+599.54 грн
832+585.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNDDBG#20 rx66n
R5F566NNDDBG#20
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFBGA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1186.98 грн
10+907.30 грн
25+848.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNDDFC#30 rh850f1l-rh850f1m-rh850f1h-datasheet
R5F566NNDDFC#30
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 8x12b, 21x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LFQFP (24x24)
Part Status: Active
Number of I/O: 136
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1255.33 грн
10+959.43 грн
40+870.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNHDFC#30 rx66n
R5F566NNHDFC#30
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 29x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LFQFP (24x24)
Part Status: Active
Number of I/O: 136
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1204.26 грн
10+921.38 грн
40+836.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XLL525085.000000I xl-family-low-phase-noise-quartz-based-pll-oscillators-datasheet
XLL525085.000000I
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: XTAL OSC XO 85.0000MHZ LVDS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 34mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 85 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123AP-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC UNI-LOGIC GATE BUFFER SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSSC3230BC1D-ES
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC CAP SENSOR SIGNAL COND ENG SM
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Output Type: I²C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Capacitive Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Input Type: Analog, Digital
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Supply: 1.1 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA2E1S00001BE ek-ra2e1-v1-users-manual
RTK7EKA2E1S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA2E1 R7FA2E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Utilized IC / Part: RA2E1, R7FA2E1
Platform: EK-RA2E1
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3846.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA4M1S00001BU
RTK7EKA4M1S00001BU
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA4M1 R7FA4M1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Utilized IC / Part: RA4M1, R7FA4M1
Platform: EK-RA4M1
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2799.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M1S00001BU
RTK7EKA6M1S00001BU
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA6M1 R7FA6M1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Utilized IC / Part: RA6M1, R7FA6M1
Platform: EK-RA6M1
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3504.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M5S00001BE ek-ra6m5-v1-users-manual?language=en&r=1494266
RTK7EKA6M5S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA6M5 R7FA6M5 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6M5, R7FA6M5
Platform: EK-RA6M5
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4018.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA4E1S00001BE fpb-ra4e1-users-manual
RTK7FPA4E1S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: FPB-RA4E1 R7FA4E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA4E1, R7FA4E1
Platform: FPB-RA4E1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1546.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA6E1S00001BE fpb-ra6e1-users-manual
RTK7FPA6E1S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: FPB-RA6E1 R7FA6E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6E1, R7FA6E1
Platform: FPB-RA6E1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1789.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL68301IRAZ-T7A
ISL68301IRAZ-T7A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SNGL PH DIG DC/DC CONT
Number of Outputs: 1
Clock Sync: Yes
Output Phases: 1
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 16V, 4.5V ~ 5.5V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316035NX0IBCY m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Memory Format: RAM
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LFBGA
Packaging: Tray
Memory Organization: 1M x 16
Access Time: 35 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4120.26 грн
10+3663.11 грн
25+3543.77 грн
50+3242.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316045NX0IBCY m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Memory Organization: 1M x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Memory Format: RAM
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2211ACCSP-10YV#SC0 rv1s2211a-data-sheet-r08ds0184ej0100
RV1S2211ACCSP-10YV#SC0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Voltage - Output (Max): 40V
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Packaging: Strip
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 1mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 40mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.26 грн
20+84.35 грн
100+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2285ACCSP-10YC#SC0 rv1s2285a-data-sheet-r08ds0186ej0100
RV1S2285ACCSP-10YC#SC0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 30mA
Input Type: AC, DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Strip
на замовлення 5292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.90 грн
10+87.30 грн
100+67.19 грн
500+56.99 грн
1000+48.98 грн
2000+46.31 грн
5000+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1S2285ACCSP-10YV#SC0 rv1s2285a-data-sheet-r08ds0186ej0100
RV1S2285ACCSP-10YV#SC0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: OPTO COUPLER IN 4PIN SSOP
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 5µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-LSSOP
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 30mA
Input Type: AC, DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-SOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Strip
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+104.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F2915EVBI f2915-datasheet
F2915EVBI
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF
Supplied Contents: Board(s)
Type: Switch, SP5T
Frequency: 50MHz ~ 8GHz
For Use With/Related Products: F2915
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2225-80-E#T2 2sk2225-80-e-datasheet?r=1336401
2SK2225-80-E#T2
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1423.44 грн
25+877.74 грн
100+760.82 грн
500+676.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ATXP064B-CCUE-T
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/OCTAL 24CBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-CBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 25µs, 12ms
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT25SL128A-UIUE-T at25sl128a-datasheet?r=1608821
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC FLASH 128MBIT SPI 21WLCSP
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 8
Access Time: 6 ns
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Write Cycle Time - Word, Page: 150µs, 5ms
Supplier Device Package: 21-WLCSP (3.02x3.29)
Technology: FLASH
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 21-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT25SL128A-UIUE-T at25sl128a-datasheet?r=1608821
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC FLASH 128MBIT SPI 21WLCSP
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 8
Access Time: 6 ns
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Write Cycle Time - Word, Page: 150µs, 5ms
Supplier Device Package: 21-WLCSP (3.02x3.29)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 21-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AT25SL128A-SUE-T
AT25SL128A-SUE-T
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 150µs, 5ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT25SL641-SUE-T
AT25SL641-SUE-T
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
DigiKey Programmable: Verified
Memory Organization: 8M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Write Cycle Time - Word, Page: 150µs, 5ms
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 133 MHz
Technology: FLASH
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3814-Z-E1-AZ 2sk3814-data-sheet
2SK3814-Z-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MP-3 AL
Packaging: Strip
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.11 грн
10+143.12 грн
100+113.89 грн
500+90.43 грн
1000+76.73 грн
2000+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAA2900014H12HPD#GB2
RAA2900014H12HPD#GB2
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 9V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 708µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAA2900014H12HPD#GB2
RAA2900014H12HPD#GB2
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MP-3ZK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 9V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 708µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RAA2900024H12HPD#GB1
RAA2900024H12HPD#GB1
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 9V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 708µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAA2900034H12HPD#GB1 raa2900034h12hpd-intelligent-power-device
RAA2900034H12HPD#GB1
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MP-3ZK
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Current - Supply: 708µA
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 9V ~ 28V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 47 94 141 188 235 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 282 329 376 423 470 477  [ Наступна Сторінка >> ]