Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > Всі товари виробника RENESAS ELECTRONICS CORPORATION (29330) > Сторінка 271 з 489

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 48 96 144 192 240 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 288 336 384 432 480 489  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R5F10NPGDFB#35 R5F10NPGDFB#35 Renesas Electronics Corporation rl78i1c-datasheet Description: IC MCU 16BIT 128KB FLSH 100LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 6x10b, 4x24b Sigma-Delta
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LFQFP (14x14)
Number of I/O: 60
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.02 грн
10+268.71 грн
90+226.76 грн
180+204.64 грн
270+200.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F10NPJDFB#35 R5F10NPJDFB#35 Renesas Electronics Corporation rl78i1c-datasheet-rev210 Description: IC MCU 16BIT 256KB FLSH 100LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 6x10b, 4x24b Sigma-Delta
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LFQFP (14x14)
Number of I/O: 60
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.01 грн
10+387.70 грн
25+369.66 грн
90+301.21 грн
270+287.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11BBCGFP#30 R5F11BBCGFP#30 Renesas Electronics Corporation rl78g1f-data-sheet Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 32LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 32-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 5.5K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 13x8/10b; D/A 2x8b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.6V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Number of I/O: 25
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+116.29 грн
25+109.91 грн
80+89.40 грн
250+84.81 грн
500+80.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11BBEGFP#30 R5F11BBEGFP#30 Renesas Electronics Corporation rl78g1f-data-sheet Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 32LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 32-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 5.5K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 13x8/10b; D/A 2x8b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.6V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Number of I/O: 25
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+188.54 грн
25+178.26 грн
80+144.98 грн
250+137.54 грн
500+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11BGCGFB#30 R5F11BGCGFB#30 Renesas Electronics Corporation rl78g1f-datasheet-rev112 Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 48LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 5.5K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 17x8/10b; D/A 2x8b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.6V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.62 грн
10+160.87 грн
25+151.70 грн
80+121.30 грн
250+113.90 грн
500+99.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11BGEGFB#30 R5F11BGEGFB#30 Renesas Electronics Corporation rl78g1f-datasheet-rev112 Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 48LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 5.5K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 17x8/10b; D/A 2x8b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.6V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+183.00 грн
25+172.61 грн
80+138.03 грн
250+129.60 грн
500+113.40 грн
1000+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11TLEDFB#35 R5F11TLEDFB#35 Renesas Electronics Corporation rl78i1c-datasheet Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 64LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 4x10/24b Sigma-Delta
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10)
Part Status: Active
Number of I/O: 27
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.85 грн
10+233.19 грн
25+211.89 грн
160+171.10 грн
320+163.93 грн
480+160.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP75N04YLG-E1-AY NP75N04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75n04ylg-data-sheet Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75N04YLG-E1-AY NP75N04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75n04ylg-data-sheet Description: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.46 грн
10+135.66 грн
100+93.60 грн
500+70.97 грн
1000+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P9221-RAHGI8 P9221-RAHGI8 Renesas Electronics Corporation p9221-r-datasheet Description: IC WIRELESS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 1.98V, 4.5V ~ 5.5V
Applications: Wireless Power Receiver
Current - Supply: 3mA
Supplier Device Package: 52-WLCSP (2.64x3.94)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P9225-RAHGI8 P9225-RAHGI8 Renesas Electronics Corporation p9225-r-datasheet Description: WIRELESS PWR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 1.98V, 4.5V ~ 5.5V
Applications: Wireless Power Receiver
Current - Supply: 3mA
Supplier Device Package: 52-WLCSP (2.64x3.94)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTKA788152DE0000BU Renesas Electronics Corporation Description: RS-485 HI VOD TRANSCEIVER EVAL B
Packaging: Bulk
Function: Transceiver, RS-485
Type: Interface
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2564.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0603DPN-A0#T2 RJK0603DPN-A0#T2 Renesas Electronics Corporation rjk0603dpn-a0-datasheet-0?language=en&r=1342431 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220ABA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4053P-E Renesas Electronics Corporation 74HC4053.pdf Description: 74HC4053 TRIPLE SINGLE-POLE, DOU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS2711-1-M-A PS2711-1-M-A Renesas Electronics Corporation ps2711-1-data-sheet Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4-SOP
на замовлення 22408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
20+44.46 грн
100+36.23 грн
500+28.68 грн
1000+26.93 грн
2000+25.45 грн
5000+23.44 грн
10000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AY NP60N04VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AY NP60N04VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
10+108.14 грн
100+73.81 грн
500+55.47 грн
1000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.41 грн
10+106.42 грн
100+72.51 грн
500+54.44 грн
1000+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAJ2800024H11HPF#GB0 RAJ2800024H11HPF#GB0 Renesas Electronics Corporation raj2800024h11hpf-datasheet?r=501086 Description: POWER TRS2 HIGHT SIDE IPD(MCP)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Current - Supply: 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAJ2800024H11HPF#GB0 RAJ2800024H11HPF#GB0 Renesas Electronics Corporation raj2800024h11hpf-datasheet?r=501086 Description: POWER TRS2 HIGHT SIDE IPD(MCP)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Current - Supply: 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.21 грн
10+282.92 грн
25+260.98 грн
100+222.23 грн
250+211.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UPD166031AT1U-E1-AY UPD166031AT1U-E1-AY Renesas Electronics Corporation upd166031at1u-data-sheet Description: POWER TRS MP-3ZK HIGHT SIDE IPD(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 2.2mA
Supplier Device Package: TO-252-7
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPD166032T1U-E1-AY UPD166032T1U-E1-AY Renesas Electronics Corporation upd166032t1u-data-sheet?r=501201 Description: POWER TRANSISTOR IPD MP-3ZK HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 2.2mA
Supplier Device Package: TO-252-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPD166033T1U-E1-AY UPD166033T1U-E1-AY Renesas Electronics Corporation upd166033t1u-data-sheet Description: POWER DEVICE E IPD MP-3ZK HIGHT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 2.2mA
Supplier Device Package: TO-252-7
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPD166034T1U-E1-AY UPD166034T1U-E1-AY Renesas Electronics Corporation upd166034t1u-data-sheet?r=501211 Description: POWER TRS2 IPD MP-3ZK HIGH SIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 2.2mA
Supplier Device Package: TO-252-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS9531L2-AX PS9531L2-AX Renesas Electronics Corporation ps9531ps9531l1ps9531l2ps9531l3-datasheet Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 75ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 175ns, 175ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Supplier Device Package: 8-SMD
Approval Agency: CSA, SEMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.56V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.83 грн
50+180.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS9531L3-AX PS9531L3-AX Renesas Electronics Corporation ps9531ps9531l1ps9531l2ps9531l3-datasheet Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD
Pulse Width Distortion (Max): 75ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 175ns, 175ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Supplier Device Package: 8-SMD
Approval Agency: CSA, SEMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.56V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.73 грн
50+178.32 грн
100+146.06 грн
500+115.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0 RBN25H125S1FPQ-A0#CB0 Renesas Electronics Corporation rbn25h125s1fpq-a0-datasheet-0 Description: IGBT TRENCH 1250V 50A TO-247A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.34V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247A
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/109ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 Renesas Electronics Corporation rbn40h125s1fpq-a0-datasheet-0 Description: IGBT TRENCH 1250V 80A TO247A
Power - Max: 319 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 85 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/124ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.34V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 156 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+622.08 грн
10+541.46 грн
25+516.27 грн
100+420.69 грн
250+401.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 Renesas Electronics Corporation rbn40h65t1fpq-a0-datasheet-0 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO-247A
Power - Max: 185 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 40A, 16Ohm, 15V
Switching Energy: 620µJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/96ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0 RBN50H65T1FPQ-A0#CB0 Renesas Electronics Corporation rbn50h65t1fpq-a0-datasheet-0 Description: IGBT TRENCH 650V 100A TO-247A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247A
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/93ns
Switching Energy: 830µJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 Renesas Electronics Corporation rbn75h65t1fpq-a0-datasheet Description: IGBT TRENCH 650V 150A TO-247A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247A
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/113ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 54 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJP65T43DPM-00#T1 RJP65T43DPM-00#T1 Renesas Electronics Corporation rjp65t43dpm-datasheet Description: IGBT TRENCH 650V 40A TO-3PFM
Power - Max: 68.8 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 70 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 170µJ (on), 110µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/107ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJP65T54DPM-A0#T2 RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics Corporation rjp65t54dpm-a0-data-sheet-650v-30a-igbt-application-partial-switching-circuit Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Power - Max: 63.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 72 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 330µJ (on), 760µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/120ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PFP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-94
Packaging: Tube
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.67 грн
25+440.41 грн
100+373.76 грн
500+321.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics Corporation rmlv0414e-series-datasheet-rev300 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.70 грн
10+247.47 грн
25+240.13 грн
50+220.14 грн
135+212.68 грн
270+207.51 грн
540+199.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 RMLV0816BGSD-4S2#AA1 Renesas Electronics Corporation rmlv0816bgsd-4s2-datasheet Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.89 грн
10+394.43 грн
25+386.86 грн
40+360.43 грн
80+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 RMWV6416AGSA-5S2#AA0 Renesas Electronics Corporation rmwv6416a-series-datasheet Description: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5026.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8T73S1802NLGI/W 8T73S1802NLGI/W Renesas Electronics Corporation 8t73s1802-datasheet Description: IC CLK BUFFER 1:2 1GHZ 16VFQFPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVPECL
Type: Fanout Buffer (Distribution), Divider
Input: CML, LVDS, LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 16-VFQFPN (3x3)
Part Status: Active
Frequency - Max: 1 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5F52316ADFP#10 R5F52316ADFP#10 Renesas Electronics Corporation rx200-series-microcontrollers-brochure Description: IC MCU 32BIT 256KB FLSH 100LFQFP
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.52 грн
10+296.68 грн
25+273.96 грн
100+233.72 грн
250+222.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F52316ADLA#20 R5F52316ADLA#20 Renesas Electronics Corporation rx200-series-microcontrollers-brochure Description: IC MCU 32BIT 256KB FLSH 100TFLGA
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.87 грн
10+287.41 грн
25+265.49 грн
100+226.51 грн
300+213.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p04plg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+225.62 грн
1600+186.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p04plg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.56 грн
10+302.14 грн
100+244.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+173.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.89 грн
10+289.65 грн
100+209.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AY NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np109n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.06 грн
1600+122.00 грн
2400+119.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AY NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np109n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.36 грн
10+230.87 грн
100+164.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np109n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np109n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.53 грн
10+204.24 грн
100+144.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.20 грн
10+265.04 грн
100+198.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.07 грн
10+258.76 грн
50+203.38 грн
100+174.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY NP15P04SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p04slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY NP15P04SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p04slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
10+95.28 грн
100+64.53 грн
500+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p06slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.22 грн
5000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p06slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
10+95.28 грн
100+64.53 грн
500+48.22 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP179N055TUK-E1-AY NP179N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np179n055tuk-data-sheet?r=499346 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.05 грн
10+470.56 грн
25+438.25 грн
80+367.99 грн
230+346.35 грн
800+324.70 грн
1600+287.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY NP180N04TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n04tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+182.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY NP180N04TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n04tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.98 грн
10+318.22 грн
100+231.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n055tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+167.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F10NPGDFB#35 rl78i1c-datasheet
R5F10NPGDFB#35
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 128KB FLSH 100LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 6x10b, 4x24b Sigma-Delta
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LFQFP (14x14)
Number of I/O: 60
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.02 грн
10+268.71 грн
90+226.76 грн
180+204.64 грн
270+200.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F10NPJDFB#35 rl78i1c-datasheet-rev210
R5F10NPJDFB#35
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 256KB FLSH 100LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 6x10b, 4x24b Sigma-Delta
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LFQFP (14x14)
Number of I/O: 60
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.01 грн
10+387.70 грн
25+369.66 грн
90+301.21 грн
270+287.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11BBCGFP#30 rl78g1f-data-sheet
R5F11BBCGFP#30
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 32LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 32-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 5.5K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 13x8/10b; D/A 2x8b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.6V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Number of I/O: 25
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.36 грн
10+116.29 грн
25+109.91 грн
80+89.40 грн
250+84.81 грн
500+80.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11BBEGFP#30 rl78g1f-data-sheet
R5F11BBEGFP#30
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 32LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 32-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 5.5K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 13x8/10b; D/A 2x8b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.6V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Number of I/O: 25
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.23 грн
10+188.54 грн
25+178.26 грн
80+144.98 грн
250+137.54 грн
500+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11BGCGFB#30 rl78g1f-datasheet-rev112
R5F11BGCGFB#30
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 48LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 5.5K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 17x8/10b; D/A 2x8b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.6V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.62 грн
10+160.87 грн
25+151.70 грн
80+121.30 грн
250+113.90 грн
500+99.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11BGEGFB#30 rl78g1f-datasheet-rev112
R5F11BGEGFB#30
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 48LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 5.5K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 17x8/10b; D/A 2x8b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.6V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.24 грн
10+183.00 грн
25+172.61 грн
80+138.03 грн
250+129.60 грн
500+113.40 грн
1000+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5F11TLEDFB#35 rl78i1c-datasheet
R5F11TLEDFB#35
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 64LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: RL78
Data Converters: A/D 4x10/24b Sigma-Delta
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSI, I2C, IrDA, LINbus, UART/USART
Peripherals: LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10)
Part Status: Active
Number of I/O: 27
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.85 грн
10+233.19 грн
25+211.89 грн
160+171.10 грн
320+163.93 грн
480+160.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP75N04YLG-E1-AY np75n04ylg-data-sheet
NP75N04YLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP75N04YLG-E1-AY np75n04ylg-data-sheet
NP75N04YLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.46 грн
10+135.66 грн
100+93.60 грн
500+70.97 грн
1000+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P9221-RAHGI8 p9221-r-datasheet
P9221-RAHGI8
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC WIRELESS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 1.98V, 4.5V ~ 5.5V
Applications: Wireless Power Receiver
Current - Supply: 3mA
Supplier Device Package: 52-WLCSP (2.64x3.94)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P9225-RAHGI8 p9225-r-datasheet
P9225-RAHGI8
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: WIRELESS PWR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 1.98V, 4.5V ~ 5.5V
Applications: Wireless Power Receiver
Current - Supply: 3mA
Supplier Device Package: 52-WLCSP (2.64x3.94)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTKA788152DE0000BU
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RS-485 HI VOD TRANSCEIVER EVAL B
Packaging: Bulk
Function: Transceiver, RS-485
Type: Interface
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2564.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0603DPN-A0#T2 rjk0603dpn-a0-datasheet-0?language=en&r=1342431
RJK0603DPN-A0#T2
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220ABA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4053P-E 74HC4053.pdf
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 74HC4053 TRIPLE SINGLE-POLE, DOU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
357+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS2711-1-M-A ps2711-1-data-sheet
PS2711-1-M-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4-SOP
на замовлення 22408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.00 грн
20+44.46 грн
100+36.23 грн
500+28.68 грн
1000+26.93 грн
2000+25.45 грн
5000+23.44 грн
10000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AY np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861
NP60N04VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AY np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861
NP60N04VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.74 грн
10+108.14 грн
100+73.81 грн
500+55.47 грн
1000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AY np60n04vukmos-field-effect-transistor
NP60N04VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AY np60n04vukmos-field-effect-transistor
NP60N04VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.41 грн
10+106.42 грн
100+72.51 грн
500+54.44 грн
1000+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAJ2800024H11HPF#GB0 raj2800024h11hpf-datasheet?r=501086
RAJ2800024H11HPF#GB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2 HIGHT SIDE IPD(MCP)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Current - Supply: 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAJ2800024H11HPF#GB0 raj2800024h11hpf-datasheet?r=501086
RAJ2800024H11HPF#GB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2 HIGHT SIDE IPD(MCP)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Current - Supply: 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.21 грн
10+282.92 грн
25+260.98 грн
100+222.23 грн
250+211.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UPD166031AT1U-E1-AY upd166031at1u-data-sheet
UPD166031AT1U-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS MP-3ZK HIGHT SIDE IPD(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 2.2mA
Supplier Device Package: TO-252-7
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPD166032T1U-E1-AY upd166032t1u-data-sheet?r=501201
UPD166032T1U-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRANSISTOR IPD MP-3ZK HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 2.2mA
Supplier Device Package: TO-252-7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPD166033T1U-E1-AY upd166033t1u-data-sheet
UPD166033T1U-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER DEVICE E IPD MP-3ZK HIGHT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 2.2mA
Supplier Device Package: TO-252-7
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPD166034T1U-E1-AY upd166034t1u-data-sheet?r=501211
UPD166034T1U-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2 IPD MP-3ZK HIGH SIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-7, DPak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 2.2mA
Supplier Device Package: TO-252-7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS9531L2-AX ps9531ps9531l1ps9531l2ps9531l3-datasheet
PS9531L2-AX
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 75ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 175ns, 175ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Supplier Device Package: 8-SMD
Approval Agency: CSA, SEMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.56V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.83 грн
50+180.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS9531L3-AX ps9531ps9531l1ps9531l2ps9531l3-datasheet
PS9531L3-AX
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD
Pulse Width Distortion (Max): 75ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 175ns, 175ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Supplier Device Package: 8-SMD
Approval Agency: CSA, SEMKO, UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.56V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.73 грн
50+178.32 грн
100+146.06 грн
500+115.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0 rbn25h125s1fpq-a0-datasheet-0
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 1250V 50A TO-247A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.34V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247A
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/109ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 rbn40h125s1fpq-a0-datasheet-0
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 1250V 80A TO247A
Power - Max: 319 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 85 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/124ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.34V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 156 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+622.08 грн
10+541.46 грн
25+516.27 грн
100+420.69 грн
250+401.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 rbn40h65t1fpq-a0-datasheet-0
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO-247A
Power - Max: 185 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 40A, 16Ohm, 15V
Switching Energy: 620µJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/96ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0 rbn50h65t1fpq-a0-datasheet-0
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 650V 100A TO-247A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247A
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/93ns
Switching Energy: 830µJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 rbn75h65t1fpq-a0-datasheet
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 650V 150A TO-247A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247A
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/113ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 54 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJP65T43DPM-00#T1 rjp65t43dpm-datasheet
RJP65T43DPM-00#T1
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 650V 40A TO-3PFM
Power - Max: 68.8 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 70 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 170µJ (on), 110µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/107ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJP65T54DPM-A0#T2 rjp65t54dpm-a0-data-sheet-650v-30a-igbt-application-partial-switching-circuit
RJP65T54DPM-A0#T2
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Power - Max: 63.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 72 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 330µJ (on), 760µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/120ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3PFP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-94
Packaging: Tube
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+748.67 грн
25+440.41 грн
100+373.76 грн
500+321.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 rmlv0414e-series-datasheet-rev300
RMLV0414EGSB-4S2#AA1
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.70 грн
10+247.47 грн
25+240.13 грн
50+220.14 грн
135+212.68 грн
270+207.51 грн
540+199.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 rmlv0816bgsd-4s2-datasheet
RMLV0816BGSD-4S2#AA1
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.89 грн
10+394.43 грн
25+386.86 грн
40+360.43 грн
80+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 rmwv6416a-series-datasheet
RMWV6416AGSA-5S2#AA0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5026.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8T73S1802NLGI/W 8t73s1802-datasheet
8T73S1802NLGI/W
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC CLK BUFFER 1:2 1GHZ 16VFQFPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVPECL
Type: Fanout Buffer (Distribution), Divider
Input: CML, LVDS, LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 16-VFQFPN (3x3)
Part Status: Active
Frequency - Max: 1 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5F52316ADFP#10 rx200-series-microcontrollers-brochure
R5F52316ADFP#10
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLSH 100LFQFP
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.52 грн
10+296.68 грн
25+273.96 грн
100+233.72 грн
250+222.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F52316ADLA#20 rx200-series-microcontrollers-brochure
R5F52316ADLA#20
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLSH 100TFLGA
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+389.87 грн
10+287.41 грн
25+265.49 грн
100+226.51 грн
300+213.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY np100p04plg-datasheet
NP100P04PLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+225.62 грн
1600+186.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY np100p04plg-datasheet
NP100P04PLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.56 грн
10+302.14 грн
100+244.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY np100p06pdg-datasheet
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+173.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY np100p06pdg-datasheet
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.89 грн
10+289.65 грн
100+209.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AY np109n04pukmos-field-effect-transistor
NP109N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+135.06 грн
1600+122.00 грн
2400+119.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AY np109n04pukmos-field-effect-transistor
NP109N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+360.36 грн
10+230.87 грн
100+164.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY np109n055pukmos-field-effect-transistor
NP109N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY np109n055pukmos-field-effect-transistor
NP109N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.53 грн
10+204.24 грн
100+144.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY np110n04pukmos-field-effect-transistor
NP110N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY np110n04pukmos-field-effect-transistor
NP110N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.20 грн
10+265.04 грн
100+198.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY np110n055pukmos-field-effect-transistor
NP110N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY np110n055pukmos-field-effect-transistor
NP110N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.07 грн
10+258.76 грн
50+203.38 грн
100+174.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY np15p04slg-datasheet
NP15P04SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY np15p04slg-datasheet
NP15P04SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.55 грн
10+95.28 грн
100+64.53 грн
500+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY np15p06slg-datasheet
NP15P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.22 грн
5000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY np15p06slg-datasheet
NP15P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.55 грн
10+95.28 грн
100+64.53 грн
500+48.22 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP179N055TUK-E1-AY np179n055tuk-data-sheet?r=499346
NP179N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+570.05 грн
10+470.56 грн
25+438.25 грн
80+367.99 грн
230+346.35 грн
800+324.70 грн
1600+287.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY np180n04tukmos-field-effect-transistor
NP180N04TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+182.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY np180n04tukmos-field-effect-transistor
NP180N04TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.98 грн
10+318.22 грн
100+231.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY np180n055tukmos-field-effect-transistor
NP180N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+167.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 48 96 144 192 240 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 288 336 384 432 480 489  [ Наступна Сторінка >> ]