Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > Всі товари виробника RENESAS ELECTRONICS CORPORATION (27613) > Сторінка 265 з 461

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 46 92 138 184 230 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 276 322 368 414 460 461  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
8T73S1802NLGI/W 8T73S1802NLGI/W Renesas Electronics Corporation 8t73s1802-datasheet Description: IC CLK BUFFER 1:2 1GHZ 16VFQFPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVPECL
Type: Fanout Buffer (Distribution), Divider
Input: CML, LVDS, LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 16-VFQFPN (3x3)
Part Status: Active
Frequency - Max: 1 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
8T73S1802NLGI/W 8T73S1802NLGI/W Renesas Electronics Corporation 8t73s1802-datasheet Description: IC CLK BUFFER 1:2 1GHZ 16VFQFPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVPECL
Type: Fanout Buffer (Distribution), Divider
Input: CML, LVDS, LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 16-VFQFPN (3x3)
Part Status: Active
Frequency - Max: 1 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p04plg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+243.96 грн
1600+201.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p04plg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.93 грн
10+326.71 грн
100+264.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.76 грн
10+288.45 грн
100+208.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np109n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np109n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.11 грн
10+229.74 грн
100+162.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.09 грн
10+286.59 грн
100+214.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np110n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.86 грн
10+275.84 грн
100+197.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY NP15P04SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p04slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.03 грн
5000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY NP15P04SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p04slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.68 грн
10+94.86 грн
100+64.26 грн
500+48.02 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p06slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.03 грн
5000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np15p06slg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.68 грн
10+94.86 грн
100+64.26 грн
500+48.02 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP179N055TUK-E1-AY NP179N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np179n055tuk-data-sheet?r=499346 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.40 грн
10+508.82 грн
25+473.88 грн
80+397.91 грн
230+374.51 грн
800+351.10 грн
1600+310.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY NP180N04TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n04tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+197.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY NP180N04TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n04tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.87 грн
10+344.09 грн
100+250.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n055tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+181.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np180n055tukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.44 грн
10+302.53 грн
100+217.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18686EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18686EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np36p04sdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.87 грн
5000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np36p04sdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.07 грн
10+113.13 грн
100+77.40 грн
500+58.28 грн
1000+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18687EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.14 грн
1600+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18687EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.98 грн
10+134.32 грн
100+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18008EJ5V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.98 грн
5000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18008EJ5V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.71 грн
10+111.44 грн
100+76.22 грн
500+57.36 грн
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756 Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756 Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.83 грн
10+107.55 грн
100+73.40 грн
500+55.15 грн
1000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18688EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.01 грн
1600+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D18688EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.73 грн
10+180.42 грн
100+126.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D19072EJ2V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation D19072EJ2V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.42 грн
10+91.06 грн
100+83.61 грн
500+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06kdg-datasheet?r=499781 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06kdg-datasheet?r=499781 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.17 грн
10+164.57 грн
100+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06sdg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np50p06sdg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 157059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.86 грн
10+138.12 грн
100+95.57 грн
500+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY NP75P03YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p03ydg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY NP75P03YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p03ydg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.97 грн
10+160.93 грн
100+111.62 грн
500+84.97 грн
1000+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY NP75P04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p04ylg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY NP75P04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np75p04ylg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.62 грн
10+145.80 грн
100+101.20 грн
500+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY NP89N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np89n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.35 грн
1600+84.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY NP89N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np89n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.06 грн
10+148.39 грн
100+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NDDDLK#20 R5F566NDDDLK#20 Renesas Electronics Corporation rx66n-group-datasheet?r=1170201 Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 145TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 145-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 29x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-TFLGA (7x7)
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1112.71 грн
10+844.66 грн
25+788.14 грн
80+689.26 грн
416+640.92 грн
832+626.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNDDFC#30 R5F566NNDDFC#30 Renesas Electronics Corporation rh850f1l-rh850f1m-rh850f1h-datasheet Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 8x12b, 21x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LFQFP (24x24)
Part Status: Active
Number of I/O: 136
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1341.97 грн
10+1025.64 грн
40+930.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XLL525085.000000I XLL525085.000000I Renesas Electronics Corporation xl-family-low-phase-noise-quartz-based-pll-oscillators-datasheet Description: XTAL OSC XO 85.0000MHZ LVDS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 34mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 85 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123AP-E Renesas Electronics Corporation Description: IC UNI-LOGIC GATE BUFFER SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSSC3230BC1D-ES Renesas Electronics Corporation Description: IC CAP SENSOR SIGNAL COND ENG SM
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Output Type: I²C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Capacitive Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Input Type: Analog, Digital
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Supply: 1.1 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA2E1S00001BE RTK7EKA2E1S00001BE Renesas Electronics Corporation ek-ra2e1-v1-users-manual Description: EK-RA2E1 R7FA2E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Utilized IC / Part: RA2E1, R7FA2E1
Platform: EK-RA2E1
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4097.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA4M1S00001BU RTK7EKA4M1S00001BU Renesas Electronics Corporation Description: EK-RA4M1 R7FA4M1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Utilized IC / Part: RA4M1, R7FA4M1
Platform: EK-RA4M1
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2992.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M1S00001BU RTK7EKA6M1S00001BU Renesas Electronics Corporation Description: EK-RA6M1 R7FA6M1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Utilized IC / Part: RA6M1, R7FA6M1
Platform: EK-RA6M1
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3746.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M5S00001BE RTK7EKA6M5S00001BE Renesas Electronics Corporation ek-ra6m5-v1-users-manual?language=en&r=1494266 Description: EK-RA6M5 R7FA6M5 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6M5, R7FA6M5
Platform: EK-RA6M5
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4281.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA4E1S00001BE RTK7FPA4E1S00001BE Renesas Electronics Corporation fpb-ra4e1-users-manual Description: FPB-RA4E1 R7FA4E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA4E1, R7FA4E1
Platform: FPB-RA4E1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1653.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA6E1S00001BE RTK7FPA6E1S00001BE Renesas Electronics Corporation fpb-ra6e1-users-manual Description: FPB-RA6E1 R7FA6E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6E1, R7FA6E1
Platform: FPB-RA6E1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1913.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL68301IRAZ-T7A ISL68301IRAZ-T7A Renesas Electronics Corporation Description: SNGL PH DIG DC/DC CONT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 200kHz ~ 1MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 16V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Enable, Power Good
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Output Phases: 1
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316035NX0IBCY Renesas Electronics Corporation m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4440.75 грн
10+3947.96 грн
25+3819.31 грн
50+3494.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8T73S1802NLGI/W 8t73s1802-datasheet
8T73S1802NLGI/W
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC CLK BUFFER 1:2 1GHZ 16VFQFPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVPECL
Type: Fanout Buffer (Distribution), Divider
Input: CML, LVDS, LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 16-VFQFPN (3x3)
Part Status: Active
Frequency - Max: 1 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
8T73S1802NLGI/W 8t73s1802-datasheet
8T73S1802NLGI/W
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC CLK BUFFER 1:2 1GHZ 16VFQFPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVPECL
Type: Fanout Buffer (Distribution), Divider
Input: CML, LVDS, LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 16-VFQFPN (3x3)
Part Status: Active
Frequency - Max: 1 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY np100p04plg-datasheet
NP100P04PLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+243.96 грн
1600+201.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AY np100p04plg-datasheet
NP100P04PLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.93 грн
10+326.71 грн
100+264.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY np100p06pdg-datasheet
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+175.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY np100p06pdg-datasheet
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.76 грн
10+288.45 грн
100+208.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY np109n055pukmos-field-effect-transistor
NP109N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AY np109n055pukmos-field-effect-transistor
NP109N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.11 грн
10+229.74 грн
100+162.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY np110n04pukmos-field-effect-transistor
NP110N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N04PUK-E1-AY np110n04pukmos-field-effect-transistor
NP110N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.09 грн
10+286.59 грн
100+214.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY np110n055pukmos-field-effect-transistor
NP110N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY np110n055pukmos-field-effect-transistor
NP110N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.86 грн
10+275.84 грн
100+197.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY np15p04slg-datasheet
NP15P04SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.03 грн
5000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P04SLG-E1-AY np15p04slg-datasheet
NP15P04SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.68 грн
10+94.86 грн
100+64.26 грн
500+48.02 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY np15p06slg-datasheet
NP15P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.03 грн
5000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP15P06SLG-E1-AY np15p06slg-datasheet
NP15P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.68 грн
10+94.86 грн
100+64.26 грн
500+48.02 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP179N055TUK-E1-AY np179n055tuk-data-sheet?r=499346
NP179N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.40 грн
10+508.82 грн
25+473.88 грн
80+397.91 грн
230+374.51 грн
800+351.10 грн
1600+310.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY np180n04tukmos-field-effect-transistor
NP180N04TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+197.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N04TUK-E1-AY np180n04tukmos-field-effect-transistor
NP180N04TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.87 грн
10+344.09 грн
100+250.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY np180n055tukmos-field-effect-transistor
NP180N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+181.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP180N055TUK-E1-AY np180n055tukmos-field-effect-transistor
NP180N055TUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.44 грн
10+302.53 грн
100+217.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive
NP35N055YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive
NP35N055YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY D18686EJ3V0DS00.pdf
NP36P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04KDG-E1-AY D18686EJ3V0DS00.pdf
NP36P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY np36p04sdg-datasheet
NP36P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.87 грн
5000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P04SDG-E1-AY np36p04sdg-datasheet
NP36P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.07 грн
10+113.13 грн
100+77.40 грн
500+58.28 грн
1000+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY D18687EJ3V0DS00.pdf
NP36P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.14 грн
1600+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06KDG-E1-AY D18687EJ3V0DS00.pdf
NP36P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.98 грн
10+134.32 грн
100+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY D18008EJ5V0DS00.pdf
NP36P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.98 грн
5000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY D18008EJ5V0DS00.pdf
NP36P06SLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.71 грн
10+111.44 грн
100+76.22 грн
500+57.36 грн
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756
NP50N04YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AY np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756
NP50N04YUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.83 грн
10+107.55 грн
100+73.40 грн
500+55.15 грн
1000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY D18688EJ3V0DS00.pdf
NP50P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+100.01 грн
1600+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY D18688EJ3V0DS00.pdf
NP50P04KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.73 грн
10+180.42 грн
100+126.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY D19072EJ2V0DS00.pdf
NP50P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY D19072EJ2V0DS00.pdf
NP50P04SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.42 грн
10+91.06 грн
100+83.61 грн
500+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY np50p06kdg-datasheet?r=499781
NP50P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AY np50p06kdg-datasheet?r=499781
NP50P06KDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.17 грн
10+164.57 грн
100+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY np50p06sdg-data-sheet
NP50P06SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY np50p06sdg-data-sheet
NP50P06SDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 157059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.86 грн
10+138.12 грн
100+95.57 грн
500+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY np75p03ydg-data-sheet
NP75P03YDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P03YDG-E1-AY np75p03ydg-data-sheet
NP75P03YDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.97 грн
10+160.93 грн
100+111.62 грн
500+84.97 грн
1000+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY np75p04ylg-data-sheet
NP75P04YLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP75P04YLG-E1-AY np75p04ylg-data-sheet
NP75P04YLG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.62 грн
10+145.80 грн
100+101.20 грн
500+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY np89n04pukmos-field-effect-transistor
NP89N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.35 грн
1600+84.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N04PUK-E1-AY np89n04pukmos-field-effect-transistor
NP89N04PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.06 грн
10+148.39 грн
100+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NDDDLK#20 rx66n-group-datasheet?r=1170201
R5F566NDDDLK#20
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 145TFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 145-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 29x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-TFLGA (7x7)
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1112.71 грн
10+844.66 грн
25+788.14 грн
80+689.26 грн
416+640.92 грн
832+626.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R5F566NNDDFC#30 rh850f1l-rh850f1m-rh850f1h-datasheet
R5F566NNDDFC#30
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LFQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: RXv3
Data Converters: A/D 8x12b, 21x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG
Peripherals: DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 176-LFQFP (24x24)
Part Status: Active
Number of I/O: 136
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1341.97 грн
10+1025.64 грн
40+930.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XLL525085.000000I xl-family-low-phase-noise-quartz-based-pll-oscillators-datasheet
XLL525085.000000I
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: XTAL OSC XO 85.0000MHZ LVDS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 34mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Frequency: 85 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123AP-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC UNI-LOGIC GATE BUFFER SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZSSC3230BC1D-ES
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC CAP SENSOR SIGNAL COND ENG SM
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Output Type: I²C
Mounting Type: Surface Mount
Type: Capacitive Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Input Type: Analog, Digital
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Supply: 1.1 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA2E1S00001BE ek-ra2e1-v1-users-manual
RTK7EKA2E1S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA2E1 R7FA2E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Utilized IC / Part: RA2E1, R7FA2E1
Platform: EK-RA2E1
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4097.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA4M1S00001BU
RTK7EKA4M1S00001BU
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA4M1 R7FA4M1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Utilized IC / Part: RA4M1, R7FA4M1
Platform: EK-RA4M1
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2992.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M1S00001BU
RTK7EKA6M1S00001BU
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA6M1 R7FA6M1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Utilized IC / Part: RA6M1, R7FA6M1
Platform: EK-RA6M1
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3746.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7EKA6M5S00001BE ek-ra6m5-v1-users-manual?language=en&r=1494266
RTK7EKA6M5S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: EK-RA6M5 R7FA6M5 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), Cable(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6M5, R7FA6M5
Platform: EK-RA6M5
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4281.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA4E1S00001BE fpb-ra4e1-users-manual
RTK7FPA4E1S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: FPB-RA4E1 R7FA4E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA4E1, R7FA4E1
Platform: FPB-RA4E1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1653.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTK7FPA6E1S00001BE fpb-ra6e1-users-manual
RTK7FPA6E1S00001BE
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: FPB-RA6E1 R7FA6E1 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M33
Utilized IC / Part: RA6E1, R7FA6E1
Platform: FPB-RA6E1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1913.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL68301IRAZ-T7A
ISL68301IRAZ-T7A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SNGL PH DIG DC/DC CONT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 200kHz ~ 1MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 16V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Enable, Power Good
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Output Phases: 1
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3016316035NX0IBCY m3004316-m3008316-m3016316-m3032316-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (10x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4440.75 грн
10+3947.96 грн
25+3819.31 грн
50+3494.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 46 92 138 184 230 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 276 322 368 414 460 461  [ Наступна Сторінка >> ]