Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102285) > Сторінка 421 з 1705

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 416 417 418 419 420 421 422 423 424 425 426 510 680 850 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSB6.8ZST2N RSB6.8ZST2N Rohm Semiconductor rsb6.8zs.pdf Description: TVS DIODE 3.5VWM GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TL RSJ10HN06TL Rohm Semiconductor RSJ10HN06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.89 грн
2000+91.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TL RSJ400N06TL Rohm Semiconductor RSJ400N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL RSJ400N10TL Rohm Semiconductor rsj400n10tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ450N04TL RSJ450N04TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL RSJ550N10TL Rohm Semiconductor rsj550n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL RSJ650N10TL Rohm Semiconductor rsj650n10-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TL RSJ800N06TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: LPTS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL RSR010N10TL Rohm Semiconductor rsr010n10tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTL R6004CNDTL Rohm Semiconductor r6004cndtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTL R6006ANDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006AND&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.57 грн
10+126.14 грн
100+100.39 грн
500+79.72 грн
1000+67.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTL R6008FNJTL Rohm Semiconductor r6008fnj-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10B3STL RFN10B3STL Rohm Semiconductor RFN10B3S.pdf Description: DIODE STANDARD 350V 10A CPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CPD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K11TCR MP6K11TCR Rohm Semiconductor mp6k11.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K12TCR MP6K12TCR Rohm Semiconductor MP6K12.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K13TCR MP6K13TCR Rohm Semiconductor MP6K13.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K14TCR MP6K14TCR Rohm Semiconductor MP6K14.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K31TCR MP6K31TCR Rohm Semiconductor MP6K31.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6M11TCR MP6M11TCR Rohm Semiconductor MP6M11.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6M14TCR MP6M14TCR Rohm Semiconductor MP6M14.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TR QS8K51TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCR QS8M12TCR Rohm Semiconductor QS8M12.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR QS8M51TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 35532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.41 грн
10+87.44 грн
100+58.98 грн
500+45.98 грн
1000+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ300N20TL RCJ300N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ300N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ330N25TL RCJ330N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ330N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ450N20TL RCJ450N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ450N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.22 грн
10+211.05 грн
25+181.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ510N25TL RCJ510N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ510N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.76 грн
10+276.65 грн
25+241.98 грн
100+190.65 грн
250+172.96 грн
500+162.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ700N20TL RCJ700N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ700N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 70A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.41 грн
10+295.81 грн
25+259.14 грн
100+204.57 грн
250+185.83 грн
500+174.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF201L4STE25 RF201L4STE25 Rohm Semiconductor rf201l4s.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L6STE25 RFN1L6STE25 Rohm Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L7STE25 RFN1L7STE25 Rohm Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH10NS6STL RFUH10NS6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFUH10NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.76 грн
10+64.68 грн
100+52.19 грн
500+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH20NS6STL RFUH20NS6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFUH20NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 20A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.96 грн
10+112.96 грн
100+81.18 грн
500+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E075RPTR RP1E075RPTR Rohm Semiconductor RP1E075RP.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E100XNTR RP1E100XNTR Rohm Semiconductor RP1E100XN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E125XNTR RP1E125XNTR Rohm Semiconductor RP1E125XN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1L080SNTR RP1L080SNTR Rohm Semiconductor RP1L080SN.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100MNTB1 RQ3E100MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E100MN Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.56 грн
10+71.96 грн
100+56.10 грн
500+43.49 грн
1000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E130MNTB1 RQ3E130MNTB1 Rohm Semiconductor rq3e130mn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150MNTB1 RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E150MN Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSB33VTE-17 RSB33VTE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RSB33V&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TVS DIODE 25VWM UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25V
Supplier Device Package: UMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 29.7V
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 148028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
15+21.23 грн
100+14.45 грн
500+10.17 грн
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSB36VTE-17 RSB36VTE-17 Rohm Semiconductor rsb36v.pdf Description: TVS DIODE 27VWM UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 27V
Supplier Device Package: UMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 32.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
15+21.30 грн
100+13.20 грн
500+10.06 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RSB39VTE-17 RSB39VTE-17 Rohm Semiconductor rsb39v.pdf Description: TVS DIODE 30VWM UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: UMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 35.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 109778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.49 грн
22+14.02 грн
100+9.42 грн
500+6.81 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RSB5.6SMT2N RSB5.6SMT2N Rohm Semiconductor datasheet?p=RSB5.6SM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TVS DIODE 2.5VWM EMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Supplier Device Package: EMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.76V
Power - Peak Pulse: 10W
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 23974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
13+23.76 грн
100+12.60 грн
500+7.78 грн
1000+5.29 грн
2000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8CST2RA RSB6.8CST2RA Rohm Semiconductor RSB6.8CS_DS.pdf Description: TVS DIODE 3.5VWM VMN2
на замовлення 7111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.79 грн
10+31.11 грн
100+21.18 грн
500+14.91 грн
1000+11.18 грн
2000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8ZST2N RSB6.8ZST2N Rohm Semiconductor rsb6.8zs.pdf Description: TVS DIODE 3.5VWM GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TL RSJ10HN06TL Rohm Semiconductor RSJ10HN06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.72 грн
10+164.76 грн
100+119.49 грн
500+94.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TL RSJ400N06TL Rohm Semiconductor RSJ400N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL RSJ400N10TL Rohm Semiconductor rsj400n10tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.79 грн
10+219.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ450N04TL RSJ450N04TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.04 грн
10+120.16 грн
100+86.18 грн
500+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL RSJ550N10TL Rohm Semiconductor rsj550n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.32 грн
10+245.53 грн
100+175.46 грн
500+136.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL RSJ650N10TL Rohm Semiconductor rsj650n10-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.20 грн
10+328.76 грн
100+248.02 грн
500+209.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TL RSJ800N06TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: LPTS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.12 грн
10+186.68 грн
100+136.67 грн
500+107.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TR RSQ015P10TR Rohm Semiconductor rsq015p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL RSR010N10TL Rohm Semiconductor rsr010n10tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.17 грн
10+48.51 грн
100+31.73 грн
500+22.99 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RF301B2STL RF301B2STL Rohm Semiconductor RF301B2S.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF501B2STL RF501B2STL Rohm Semiconductor RF501B2STL.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355VMTE-17 1SS355VMTE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=1SS355VM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 80V 100MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 593809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
39+7.97 грн
100+4.93 грн
500+3.36 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8ZST2N rsb6.8zs.pdf
RSB6.8ZST2N
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 3.5VWM GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TL RSJ10HN06.pdf
RSJ10HN06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL rsj250p10tl-e.pdf
RSJ250P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+98.89 грн
2000+91.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TL RSJ400N06.pdf
RSJ400N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL rsj400n10tl-e.pdf
RSJ400N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ450N04TL
RSJ450N04TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL rsj550n10.pdf
RSJ550N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL rsj650n10-e.pdf
RSJ650N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TL
RSJ800N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: LPTS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL rsr010n10tl-e.pdf
RSR010N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTL r6004cndtl-e.pdf
R6004CNDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTL datasheet?p=R6006AND&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006ANDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.57 грн
10+126.14 грн
100+100.39 грн
500+79.72 грн
1000+67.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTL r6008fnj-e.pdf
R6008FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10B3STL RFN10B3S.pdf
RFN10B3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 350V 10A CPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CPD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K11TCR mp6k11.pdf
MP6K11TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K12TCR MP6K12.pdf
MP6K12TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K13TCR MP6K13.pdf
MP6K13TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K14TCR MP6K14.pdf
MP6K14TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6K31TCR MP6K31.pdf
MP6K31TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6M11TCR MP6M11.pdf
MP6M11TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP6M14TCR MP6M14.pdf
MP6M14TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K51TR datasheet?p=QS8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8K51TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M12TCR QS8M12.pdf
QS8M12TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M51TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 35532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.41 грн
10+87.44 грн
100+58.98 грн
500+45.98 грн
1000+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ300N20TL datasheet?p=RCJ300N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ300N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ330N25TL datasheet?p=RCJ330N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ330N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ450N20TL datasheet?p=RCJ450N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ450N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.22 грн
10+211.05 грн
25+181.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ510N25TL datasheet?p=RCJ510N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ510N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.76 грн
10+276.65 грн
25+241.98 грн
100+190.65 грн
250+172.96 грн
500+162.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ700N20TL datasheet?p=RCJ700N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ700N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 70A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.41 грн
10+295.81 грн
25+259.14 грн
100+204.57 грн
250+185.83 грн
500+174.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF201L4STE25 rf201l4s.pdf
RF201L4STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L6STE25
RFN1L6STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN1L7STE25
RFN1L7STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH10NS6STL datasheet?p=RFUH10NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFUH10NS6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+64.68 грн
100+52.19 грн
500+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH20NS6STL datasheet?p=RFUH20NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFUH20NS6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 20A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.96 грн
10+112.96 грн
100+81.18 грн
500+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E075RPTR RP1E075RP.pdf
RP1E075RPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E100XNTR RP1E100XN.pdf
RP1E100XNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1E125XNTR RP1E125XN.pdf
RP1E125XNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RP1L080SNTR RP1L080SN.pdf
RP1L080SNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100MNTB1 RQ3E100MN
RQ3E100MNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.56 грн
10+71.96 грн
100+56.10 грн
500+43.49 грн
1000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E130MNTB1 rq3e130mn.pdf
RQ3E130MNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150MNTB1 RQ3E150MN
RQ3E150MNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSB33VTE-17 datasheet?p=RSB33V&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSB33VTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 25VWM UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25V
Supplier Device Package: UMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 29.7V
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 148028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
15+21.23 грн
100+14.45 грн
500+10.17 грн
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSB36VTE-17 rsb36v.pdf
RSB36VTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 27VWM UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 27V
Supplier Device Package: UMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 32.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
15+21.30 грн
100+13.20 грн
500+10.06 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RSB39VTE-17 rsb39v.pdf
RSB39VTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 30VWM UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: UMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 35.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 109778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
22+14.02 грн
100+9.42 грн
500+6.81 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RSB5.6SMT2N datasheet?p=RSB5.6SM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSB5.6SMT2N
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 2.5VWM EMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Supplier Device Package: EMD2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.76V
Power - Peak Pulse: 10W
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 23974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
13+23.76 грн
100+12.60 грн
500+7.78 грн
1000+5.29 грн
2000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8CST2RA RSB6.8CS_DS.pdf
RSB6.8CST2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 3.5VWM VMN2
на замовлення 7111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.79 грн
10+31.11 грн
100+21.18 грн
500+14.91 грн
1000+11.18 грн
2000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSB6.8ZST2N rsb6.8zs.pdf
RSB6.8ZST2N
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 3.5VWM GMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ10HN06TL RSJ10HN06.pdf
RSJ10HN06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL rsj250p10tl-e.pdf
RSJ250P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 9542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.72 грн
10+164.76 грн
100+119.49 грн
500+94.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TL RSJ400N06.pdf
RSJ400N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL rsj400n10tl-e.pdf
RSJ400N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.79 грн
10+219.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ450N04TL
RSJ450N04TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.04 грн
10+120.16 грн
100+86.18 грн
500+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL rsj550n10.pdf
RSJ550N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.32 грн
10+245.53 грн
100+175.46 грн
500+136.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL rsj650n10-e.pdf
RSJ650N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.20 грн
10+328.76 грн
100+248.02 грн
500+209.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TL
RSJ800N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: LPTS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.12 грн
10+186.68 грн
100+136.67 грн
500+107.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TR rsq015p10.pdf
RSQ015P10TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL rsr010n10tl-e.pdf
RSR010N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.17 грн
10+48.51 грн
100+31.73 грн
500+22.99 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RF301B2STL RF301B2S.pdf
RF301B2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF501B2STL RF501B2STL.pdf
RF501B2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355VMTE-17 datasheet?p=1SS355VM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
1SS355VMTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 593809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
39+7.97 грн
100+4.93 грн
500+3.36 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 416 417 418 419 420 421 422 423 424 425 426 510 680 850 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]