Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (105092) > Сторінка 926 з 1752

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 175 350 525 700 875 921 922 923 924 925 926 927 928 929 930 931 1050 1225 1400 1575 1750 1752  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.82 грн
30+364.80 грн
120+307.94 грн
510+258.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6035KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.86 грн
10+632.56 грн
100+523.70 грн
500+427.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-40NZC9 RB095T-40NZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB095T-40NZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 6A TO220FN
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-220FN
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
50+105.89 грн
100+87.12 грн
500+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-90 RB095T-90 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB095T-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 3A TO220FN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FN
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
17+17.83 грн
100+6.97 грн
1000+2.74 грн
2500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL RB085BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-252
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL RB085BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-252
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.91 грн
10+89.17 грн
100+60.34 грн
500+45.03 грн
1000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR BD4958G-TR Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR BD4958G-TR Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
11+28.21 грн
25+26.33 грн
100+19.76 грн
250+18.35 грн
500+15.52 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.87 грн
10+56.94 грн
100+44.37 грн
500+34.40 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T45ANZC9 RBQ10T45ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T45ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: RBQ10T45ANZ IS LOW IR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+72.08 грн
100+56.23 грн
500+43.59 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 RBQ10T65ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.14 грн
10+70.59 грн
100+55.07 грн
500+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+63.13 грн
100+49.26 грн
500+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL R6015FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX R6015FNX Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 BSM300C12P3E201 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+54407.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
6000+2.82 грн
9000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
31+9.85 грн
100+6.45 грн
500+4.80 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
37+8.21 грн
100+5.19 грн
500+3.54 грн
1000+3.16 грн
2000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.78 грн
16000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
21+14.25 грн
100+8.40 грн
500+6.32 грн
1000+5.53 грн
2000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
6000+2.82 грн
9000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
30+10.15 грн
100+6.25 грн
500+4.60 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
10+66.26 грн
100+48.75 грн
500+36.12 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.69 грн
10+66.41 грн
100+51.66 грн
500+41.09 грн
1000+33.47 грн
2000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.64 грн
10+76.86 грн
100+58.18 грн
500+44.52 грн
1000+39.63 грн
2000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.99 грн
10+57.23 грн
100+42.26 грн
500+31.12 грн
1000+28.38 грн
2000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.78 грн
10+97.45 грн
100+67.26 грн
500+50.33 грн
1000+46.21 грн
2000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR UT6J3TCR Rohm Semiconductor ut6j3tcr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.39 грн
10+45.00 грн
100+29.42 грн
500+21.30 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 SFR10EZPF1001 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Resistance: 1 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Features: Anti-Sulfur
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.53 грн
10000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 SFR10EZPF1001 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Resistance: 1 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Features: Anti-Sulfur
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
28+10.75 грн
53+5.69 грн
100+3.96 грн
500+2.39 грн
1000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.45 грн
10+110.21 грн
100+75.44 грн
500+56.82 грн
1000+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB161SS-207HFT2R Rohm Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A KMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: KMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 BU7233SF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Part Status: Active
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Quiescent (Max): 25µA
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Supplier Device Package: 8-SOP
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: CMOS
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: CMOS, Open-Drain
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.87 грн
5000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 BU7233SF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Part Status: Active
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Quiescent (Max): 25µA
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Supplier Device Package: 8-SOP
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: CMOS
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: CMOS, Open-Drain
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+49.18 грн
25+44.38 грн
100+36.76 грн
250+34.41 грн
500+33.00 грн
1000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
26+11.72 грн
100+7.31 грн
500+5.07 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.62 грн
10+321.24 грн
100+233.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13 RGWS80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWS80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 202 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Gate Charge: 83 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.16 грн
30+194.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65DHRC11 RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Gate Charge: 48 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.35 грн
30+370.69 грн
120+313.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65DHRC11 RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 114 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.06 грн
30+402.01 грн
120+372.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13 RGWS00TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.04 грн
30+259.46 грн
120+217.34 грн
510+175.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.89 грн
10+353.48 грн
100+258.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11 RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.22 грн
30+273.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+647.82 грн
30+364.80 грн
120+307.94 грн
510+258.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ4C13 datasheet?p=R6035KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+726.86 грн
10+632.56 грн
100+523.70 грн
500+427.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-40NZC9 datasheet?p=RB095T-40NZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB095T-40NZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 6A TO220FN
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-220FN
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
50+105.89 грн
100+87.12 грн
500+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-90 datasheet?p=RB095T-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB095T-90
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 3A TO220FN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FN
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
17+17.83 грн
100+6.97 грн
1000+2.74 грн
2500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-252
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-252
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.91 грн
10+89.17 грн
100+60.34 грн
500+45.03 грн
1000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR bd48xxg-e.pdf
BD4958G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR bd48xxg-e.pdf
BD4958G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
11+28.21 грн
25+26.33 грн
100+19.76 грн
250+18.35 грн
500+15.52 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BM65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BM65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.87 грн
10+56.94 грн
100+44.37 грн
500+34.40 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T45ANZC9 datasheet?p=RBQ10T45ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T45ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RBQ10T45ANZ IS LOW IR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.46 грн
10+72.08 грн
100+56.23 грн
500+43.59 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T65ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.14 грн
10+70.59 грн
100+55.07 грн
500+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.62 грн
10+63.13 грн
100+49.26 грн
500+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSM300C12P3E201
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+54407.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.10 грн
6000+2.82 грн
9000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.72 грн
31+9.85 грн
100+6.45 грн
500+4.80 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
37+8.21 грн
100+5.19 грн
500+3.54 грн
1000+3.16 грн
2000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.78 грн
16000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
21+14.25 грн
100+8.40 грн
500+6.32 грн
1000+5.53 грн
2000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.10 грн
6000+2.82 грн
9000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.82 грн
30+10.15 грн
100+6.25 грн
500+4.60 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
10+66.26 грн
100+48.75 грн
500+36.12 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.69 грн
10+66.41 грн
100+51.66 грн
500+41.09 грн
1000+33.47 грн
2000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.64 грн
10+76.86 грн
100+58.18 грн
500+44.52 грн
1000+39.63 грн
2000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.99 грн
10+57.23 грн
100+42.26 грн
500+31.12 грн
1000+28.38 грн
2000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.78 грн
10+97.45 грн
100+67.26 грн
500+50.33 грн
1000+46.21 грн
2000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR ut6j3tcr-e.pdf
UT6J3TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.39 грн
10+45.00 грн
100+29.42 грн
500+21.30 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 sfr-e.pdf
SFR10EZPF1001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Resistance: 1 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Features: Anti-Sulfur
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.53 грн
10000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 sfr-e.pdf
SFR10EZPF1001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Resistance: 1 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Features: Anti-Sulfur
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
28+10.75 грн
53+5.69 грн
100+3.96 грн
500+2.39 грн
1000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.45 грн
10+110.21 грн
100+75.44 грн
500+56.82 грн
1000+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB161SS-207HFT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A KMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: KMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU7233SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Part Status: Active
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Quiescent (Max): 25µA
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Supplier Device Package: 8-SOP
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: CMOS
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: CMOS, Open-Drain
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.87 грн
5000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU7233SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Part Status: Active
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Quiescent (Max): 25µA
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Supplier Device Package: 8-SOP
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: CMOS
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: CMOS, Open-Drain
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.52 грн
10+49.18 грн
25+44.38 грн
100+36.76 грн
250+34.41 грн
500+33.00 грн
1000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
26+11.72 грн
100+7.31 грн
500+5.07 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.62 грн
10+321.24 грн
100+233.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13 datasheet?p=RGWS80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWS80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 202 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Gate Charge: 83 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+347.16 грн
30+194.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65DHRC11 datasheet?p=RGS80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS80TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Gate Charge: 48 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+656.35 грн
30+370.69 грн
120+313.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65DHRC11 datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGSX5TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 114 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.06 грн
30+402.01 грн
120+372.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13 datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWS00TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.04 грн
30+259.46 грн
120+217.34 грн
510+175.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH00TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+540.89 грн
10+353.48 грн
100+258.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11 datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWX5TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+450.22 грн
30+273.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 175 350 525 700 875 921 922 923 924 925 926 927 928 929 930 931 1050 1225 1400 1575 1750 1752  [ Наступна Сторінка >> ]