Результат пошуку "BSS84" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9434
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 22
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 37
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2602
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 27
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 55
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 45
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 27
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10792
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 200
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 23
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 22
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 41
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4465
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS84 Код товару: 187507
Додати до обраних
Обраний товар
|
UMW |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Монтаж: SMD |
у наявності: 2755 шт
2692 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84-7-F Код товару: 122664
Додати до обраних
Обраний товар
|
Diodes |
![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,3 A Rds(on),Om: 10 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 45/ Монтаж: SMD |
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
|
|
||||||||||||||||
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSCJ |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 785 шт
485 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Харків 200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BSS84P Код товару: 122858
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Id,A: 0,17 A Rds(on),Om: 8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 15/1 Монтаж: SMD |
у наявності: 650 шт
450 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ 50 шт - РАДІОМАГ-Харків 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC |
на замовлення 11706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11706 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | MDD |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS84 | Microdiode Electronics |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 762000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | onsemi / Fairchild |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 101573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 57699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | EVVO |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2058000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 53000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 3853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 57699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 54306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2058000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
BSS84 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS84 | HT Jinyu Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | GALAXY |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | UMW |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | HOTTECH |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | ON-Semicoductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5739 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | AnBon |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | HT SEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | YFW |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | YY |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | NXP |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | AnBon |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 216 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | SHIKUES |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | HXY MOSFET |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 | YFW |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84 B84 | JUXING |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JUXING TBSS84 JUX кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BSS84 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V |
на замовлення 27277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 RFG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84 RFG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 41535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 316254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 119852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 316254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 49740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | Nexperia |
![]() |
на замовлення 19147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
BSS84 Код товару: 187507
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
у наявності: 2755 шт
2692 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
36 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 2.50 грн |
10+ | 2.10 грн |
100+ | 1.80 грн |
1000+ | 1.50 грн |
BSS84-7-F Код товару: 122664
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Diodes
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,3 A
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 45/
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,3 A
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 45/
Монтаж: SMD
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 2.50 грн |
10+ | 2.00 грн |
100+ | 1.70 грн |
1000+ | 1.40 грн |
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: JSCJ
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 785 шт
485 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 2.00 грн |
10+ | 1.60 грн |
100+ | 1.35 грн |
BSS84P Код товару: 122858
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 650 шт
450 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 3.50 грн |
10+ | 2.80 грн |
100+ | 2.40 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
на замовлення 11706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 24.90 грн |
28+ | 14.27 грн |
100+ | 11.16 грн |
250+ | 10.04 грн |
388+ | 2.39 грн |
1066+ | 2.31 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.88 грн |
17+ | 17.78 грн |
100+ | 13.39 грн |
250+ | 12.05 грн |
388+ | 2.87 грн |
1066+ | 2.77 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 23.18 грн |
25+ | 13.07 грн |
30+ | 10.65 грн |
100+ | 7.42 грн |
250+ | 6.15 грн |
500+ | 5.37 грн |
1000+ | 4.64 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.33 грн |
6000+ | 1.99 грн |
9000+ | 1.87 грн |
15000+ | 1.62 грн |
21000+ | 1.54 грн |
30000+ | 1.46 грн |
75000+ | 1.28 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: MDD
Description: MOSFET SOT-23 P Channel 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET SOT-23 P Channel 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12000+ | 6.30 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: Microdiode Electronics
BSS84
BSS84
на замовлення 762000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9434+ | 1.30 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
на замовлення 101573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 39.38 грн |
16+ | 23.41 грн |
100+ | 14.23 грн |
500+ | 12.78 грн |
1000+ | 11.40 грн |
3000+ | 9.72 грн |
6000+ | 8.80 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 57699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 40.78 грн |
50+ | 24.55 грн |
100+ | 17.00 грн |
500+ | 14.59 грн |
1500+ | 12.07 грн |
BSS84 |
![]() |
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 9.11 грн |
58+ | 5.58 грн |
100+ | 3.44 грн |
500+ | 2.33 грн |
1000+ | 2.03 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2058000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.55 грн |
6000+ | 8.70 грн |
9000+ | 7.47 грн |
24000+ | 6.72 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.04 грн |
6000+ | 8.82 грн |
9000+ | 7.98 грн |
15000+ | 7.32 грн |
21000+ | 7.15 грн |
30000+ | 6.89 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2602+ | 11.78 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 12.42 грн |
46+ | 6.94 грн |
100+ | 4.28 грн |
500+ | 2.92 грн |
1000+ | 2.56 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 57699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 17.00 грн |
500+ | 14.59 грн |
1500+ | 12.07 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.04 грн |
6000+ | 1.74 грн |
9000+ | 1.62 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 54306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 34.77 грн |
16+ | 20.25 грн |
100+ | 14.17 грн |
500+ | 11.88 грн |
1000+ | 10.65 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
55+ | 11.05 грн |
56+ | 10.93 грн |
100+ | 10.82 грн |
500+ | 10.33 грн |
1000+ | 9.47 грн |
3000+ | 8.90 грн |
6000+ | 8.11 грн |
9000+ | 6.96 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
45+ | 7.45 грн |
67+ | 4.78 грн |
109+ | 2.94 грн |
500+ | 1.99 грн |
1000+ | 1.74 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.38 грн |
6000+ | 9.46 грн |
9000+ | 8.12 грн |
24000+ | 7.31 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 12.50 грн |
6000+ | 12.33 грн |
9000+ | 12.05 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.47 грн |
9000+ | 8.67 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2058000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.86 грн |
6000+ | 8.08 грн |
9000+ | 6.94 грн |
24000+ | 6.24 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.30 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 12.42 грн |
49+ | 6.62 грн |
60+ | 5.39 грн |
100+ | 3.71 грн |
250+ | 3.04 грн |
500+ | 2.63 грн |
1000+ | 2.25 грн |
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.26 грн |
6000+ | 10.27 грн |
9000+ | 8.81 грн |
24000+ | 7.93 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10792+ | 1.14 грн |
60000+ | 0.97 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: GALAXY
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 1.09 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 1.11 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 0.88 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: HOTTECH
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 1.15 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 Replacement: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84 TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 Replacement: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84 TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5739 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 2.98 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 1.19 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.64 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 1.15 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: YY
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.80 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: NXP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.92 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 1.19 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 1.11 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 1.16 грн |
BSS84 |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 1.15 грн |
BSS84 B84 |
Виробник: JUXING
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JUXING TBSS84 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JUXING TBSS84 JUX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 0.88 грн |
BSS84 RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.54 грн |
6000+ | 2.23 грн |
9000+ | 1.73 грн |
BSS84 RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
на замовлення 27277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 14.90 грн |
37+ | 8.77 грн |
100+ | 4.03 грн |
500+ | 3.58 грн |
1000+ | 3.17 грн |
BSS84 RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 15.56 грн |
6000+ | 15.41 грн |
9000+ | 15.25 грн |
BSS84 RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs -60, -0.15, Single P-Channel
MOSFETs -60, -0.15, Single P-Channel
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 16.88 грн |
35+ | 10.12 грн |
100+ | 4.06 грн |
500+ | 3.83 грн |
1000+ | 3.44 грн |
3000+ | 2.45 грн |
6000+ | 2.22 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 17.17 грн |
61+ | 6.58 грн |
100+ | 5.48 грн |
411+ | 2.29 грн |
1130+ | 2.16 грн |
3000+ | 2.07 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.46 грн |
6000+ | 2.16 грн |
9000+ | 2.09 грн |
15000+ | 1.90 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 316254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
41+ | 21.29 грн |
75+ | 11.50 грн |
153+ | 5.64 грн |
500+ | 4.78 грн |
1000+ | 3.50 грн |
5000+ | 2.31 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.27 грн |
6000+ | 2.14 грн |
9000+ | 2.12 грн |
15000+ | 1.81 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 119852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4465+ | 2.75 грн |
4602+ | 2.66 грн |
5000+ | 2.59 грн |
10000+ | 2.44 грн |
25000+ | 2.21 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 316254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 4.78 грн |
1000+ | 3.50 грн |
5000+ | 2.31 грн |
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 49740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 18.21 грн |
34+ | 9.65 грн |
100+ | 4.97 грн |
500+ | 4.25 грн |
1000+ | 3.37 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]