Результат пошуку "6n90" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 182
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
6N90 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
AOTF6N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.9A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF6N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.9A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQAF6N90 | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQP6N90C | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF6N90C | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
G6N90F | Goford Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P | IXYS |
![]() |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P | Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S29GL256N90FAIR10A | Spansion |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STB16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: STB16N90K5 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STB16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STD6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STD6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 5606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 29.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 29.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF16N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STI6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STU6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STU6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW6N90K5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WMK6N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WML6N90D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Gate charge: 86.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WML6N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
XR-A6N9-0204D | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30] |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CAT28C256N-90 |
на замовлення 589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
FQA6N90 |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
FQA6N90C_F109 | FAIRCHILD |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
FQB6N90 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQB6N90 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQB6N90 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQP6N90 | FSC |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQPF6N90 | FAIRCHIL |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
GL256N90FFIR1 | SPANSION | BGA 09+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFM6N90 | IXY |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IXFN26N90 | IXYS |
![]() ![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFN26N90 | IXYS |
![]() ![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXFN26N90 | IXYS |
![]() ![]() |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
LH52256N-90L |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
LH52256N-90L | 09+ |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
LH52256N-90LL |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
LH52256N90L | SHARP |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
LH52256N90LL | SHARP |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
MTH6N90 |
на замовлення 4004 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
MTM6N90 | MOTOROLA |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
S29GL256N90 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10 | SPANSION | 06+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10 | SPANSION | BGA |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10 | SPANSION | 06+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10A | SPANSION | BGA |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
AOTF6N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 89.29 грн |
6+ | 74.14 грн |
17+ | 58.20 грн |
45+ | 55.01 грн |
AOTF6N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.14 грн |
5+ | 92.39 грн |
17+ | 69.84 грн |
45+ | 66.01 грн |
FQAF6N90 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
182+ | 117.38 грн |
FQP6N90C |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 121.04 грн |
FQPF6N90C |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 101.19 грн |
G6N90F |
![]() |
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.18 грн |
10+ | 76.21 грн |
IXFN56N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4786.68 грн |
10+ | 4041.49 грн |
IXFN56N90P |
![]() |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4237.85 грн |
10+ | 3117.55 грн |
100+ | 3028.01 грн |
S29GL256N90FAIR10A |
![]() |
Виробник: Spansion
Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 1456.22 грн |
STB16N90K5 |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 286.75 грн |
STB16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 366.08 грн |
10+ | 292.20 грн |
100+ | 220.41 грн |
500+ | 208.93 грн |
1000+ | 186.74 грн |
STB16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 185.78 грн |
STB16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 299.69 грн |
10+ | 239.72 грн |
100+ | 218.98 грн |
STD6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 90.15 грн |
STD6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 68.11 грн |
STD6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 247.33 грн |
10+ | 158.42 грн |
100+ | 101.02 грн |
500+ | 84.95 грн |
1000+ | 81.12 грн |
2500+ | 68.73 грн |
STD6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 220.21 грн |
10+ | 137.68 грн |
100+ | 95.33 грн |
500+ | 75.21 грн |
STF16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 440.43 грн |
3+ | 327.65 грн |
8+ | 310.11 грн |
STF16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 528.51 грн |
3+ | 408.30 грн |
8+ | 372.14 грн |
100+ | 358.74 грн |
STF16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 406.26 грн |
10+ | 265.79 грн |
100+ | 183.68 грн |
500+ | 164.54 грн |
1000+ | 140.05 грн |
2000+ | 132.40 грн |
STF6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 163.12 грн |
10+ | 121.18 грн |
11+ | 87.69 грн |
30+ | 82.91 грн |
STF6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 195.74 грн |
10+ | 151.00 грн |
11+ | 105.23 грн |
30+ | 99.49 грн |
1000+ | 95.66 грн |
STF6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 205.31 грн |
50+ | 93.62 грн |
100+ | 86.62 грн |
STF6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 233.93 грн |
10+ | 148.74 грн |
100+ | 92.60 грн |
500+ | 78.06 грн |
1000+ | 66.12 грн |
2000+ | 62.83 грн |
5000+ | 60.77 грн |
STI6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.36 грн |
10+ | 146.98 грн |
100+ | 91.84 грн |
500+ | 76.46 грн |
1000+ | 65.28 грн |
2000+ | 62.07 грн |
5000+ | 60.08 грн |
STU6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.43 грн |
10+ | 140.82 грн |
100+ | 87.25 грн |
500+ | 73.70 грн |
1000+ | 67.81 грн |
3000+ | 57.63 грн |
STU6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.75 грн |
75+ | 86.30 грн |
150+ | 79.66 грн |
STW6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 206.14 грн |
30+ | 83.49 грн |
120+ | 82.10 грн |
STW6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.22 грн |
10+ | 176.02 грн |
100+ | 117.09 грн |
600+ | 86.48 грн |
1200+ | 80.36 грн |
5400+ | 78.06 грн |
WMK6N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 54.95 грн |
12+ | 34.20 грн |
43+ | 22.00 грн |
117+ | 20.81 грн |
WML6N90D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 58.38 грн |
10+ | 48.87 грн |
23+ | 41.69 грн |
62+ | 39.38 грн |
250+ | 38.82 грн |
WML6N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 54.95 грн |
12+ | 34.20 грн |
43+ | 22.00 грн |
117+ | 20.81 грн |
500+ | 20.01 грн |
XR-A6N9-0204D |
Виробник: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11817.14 грн |
10+ | 9911.86 грн |
25+ | 8411.61 грн |
50+ | 8207.27 грн |
100+ | 6739.39 грн |
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220 |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 100.98 грн |
FQA6N90C_F109 |
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQB6N90 |
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQB6N90 |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQB6N90 |
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQP6N90 |
![]() |
Виробник: FSC
09+ SOT23-..
09+ SOT23-..
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FQPF6N90 |
![]() |
Виробник: FAIRCHIL
09+ SOP
09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GL256N90FFIR1 |
Виробник: SPANSION
BGA 09+
BGA 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IXFM6N90 |
Виробник: IXY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IXFN26N90 | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
07+;
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IXFN26N90 | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
MODULE
MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IXFN26N90 | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
LH52256N90L |
Виробник: SHARP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
LH52256N90LL |
Виробник: SHARP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MTM6N90 |
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S29GL256N90FFIR10 |
Виробник: SPANSION
06+
06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S29GL256N90FFIR10 |
Виробник: SPANSION
BGA
BGA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S29GL256N90FFIR10 |
Виробник: SPANSION
06+
06+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
S29GL256N90FFIR10A |
Виробник: SPANSION
BGA
BGA
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]