Результат пошуку "IRF540N" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 3289
Додати до обраних Обраний товар

IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 2782 шт
2652 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Код товару: 34259
Додати до обраних Обраний товар

IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 66 шт
33 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N MULTICOMP PRO 4419343.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.36 грн
10+134.35 грн
100+96.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N JSMSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL IRF540NL Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.23 грн
50+138.09 грн
100+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.23 грн
10+59.53 грн
25+48.72 грн
36+26.37 грн
97+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.87 грн
10+74.19 грн
25+58.46 грн
36+31.65 грн
97+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.08 грн
19+45.75 грн
100+40.90 грн
500+36.08 грн
1000+30.90 грн
5000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+73.66 грн
168+72.61 грн
284+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 76767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
50+40.39 грн
100+38.16 грн
500+35.46 грн
1000+32.66 грн
2000+31.49 грн
5000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 145467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+48.61 грн
270+45.12 грн
500+42.43 грн
1000+37.46 грн
4000+32.49 грн
10000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF540N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 16816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.95 грн
10+47.16 грн
100+36.23 грн
500+34.03 грн
1000+31.91 грн
2000+31.08 грн
5000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+62.68 грн
539+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 142870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+82.19 грн
14+52.25 грн
100+48.49 грн
500+43.97 грн
1000+37.29 грн
4000+33.53 грн
10000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.49 грн
1600+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.96 грн
500+50.77 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+95.18 грн
129+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.52 грн
10+101.98 грн
25+100.96 грн
100+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.95 грн
4800+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.05 грн
10+102.89 грн
100+72.96 грн
500+50.77 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 109600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.79 грн
4800+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.55 грн
10+83.06 грн
100+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF540NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 7849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.95 грн
10+88.04 грн
100+48.66 грн
500+43.43 грн
800+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.00 грн
10+103.74 грн
100+90.98 грн
500+71.61 грн
1000+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.98 грн
500+71.61 грн
1000+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF International Rectifier Corporation irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 (MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IR description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IR description
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IR description N/A
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IR description 00+;
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IR description TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IR description 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IR description TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description IRF540NSPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRR IR TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRBF
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF International Rectifier Corporation irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 description TO263 (D2PAK)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRF540NPBF Infineon Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+48.57 грн
10+39.73 грн
100+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой IRF540NPBF; 100V 27A; 140W; N-канальный; корпус: ТО220; I*R (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+693.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF540N 33A 100V N-ch TO-220
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
32+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF540NSTRLPBF 33A 100V N-ch D2PAK
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
17+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль ключа транзисторного IRF540N Комутована напруга: 5...24В, 50 Вт; Габ. розм., мм 22 х 42 мм; транзисторний ключ IRF540N на платі з оптопарою та клемниками;
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DH0159 WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 17mOhm; 59A; 230W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3710; IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; DH0159 DONGHAI TDH0159
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
HYG180N10LS1P HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
Додати до обраних Обраний товар

f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 2782 шт
2652 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF
Код товару: 34259
Додати до обраних Обраний товар

description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 66 шт
33 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N 4419343.pdf
IRF540N
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.36 грн
10+134.35 грн
100+96.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.23 грн
50+138.09 грн
100+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.23 грн
10+59.53 грн
25+48.72 грн
36+26.37 грн
97+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.87 грн
10+74.19 грн
25+58.46 грн
36+31.65 грн
97+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.08 грн
19+45.75 грн
100+40.90 грн
500+36.08 грн
1000+30.90 грн
5000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+73.66 грн
168+72.61 грн
284+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 76767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.97 грн
50+40.39 грн
100+38.16 грн
500+35.46 грн
1000+32.66 грн
2000+31.49 грн
5000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 145467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+48.61 грн
270+45.12 грн
500+42.43 грн
1000+37.46 грн
4000+32.49 грн
10000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF Infineon-IRF540N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 16816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.95 грн
10+47.16 грн
100+36.23 грн
500+34.03 грн
1000+31.91 грн
2000+31.08 грн
5000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
485+62.68 грн
539+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 142870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+82.19 грн
14+52.25 грн
100+48.49 грн
500+43.97 грн
1000+37.29 грн
4000+33.53 грн
10000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.49 грн
1600+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.96 грн
500+50.77 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+95.18 грн
129+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+151.52 грн
10+101.98 грн
25+100.96 грн
100+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 108800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.95 грн
4800+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.05 грн
10+102.89 грн
100+72.96 грн
500+50.77 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 109600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.79 грн
4800+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.55 грн
10+83.06 грн
100+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF Infineon-IRF540NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 7849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.95 грн
10+88.04 грн
100+48.66 грн
500+43.43 грн
800+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.00 грн
10+103.74 грн
100+90.98 грн
500+71.61 грн
1000+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.98 грн
500+71.61 грн
1000+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1
Виробник: International Rectifier Corporation
(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: IR
N/A
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: IR
00+;
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: IR
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF Транзисторы
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRR
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRBF
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Виробник: International Rectifier Corporation
TO263 (D2PAK)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRF540NPBF
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+48.57 грн
10+39.73 грн
100+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой IRF540NPBF; 100V 27A; 140W; N-канальный; корпус: ТО220; I*R (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+693.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF540N 33A 100V N-ch TO-220
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
32+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF540NSTRLPBF 33A 100V N-ch D2PAK
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
17+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль ключа транзисторного IRF540N
Комутована напруга: 5...24В, 50 Вт; Габ. розм., мм 22 х 42 мм; транзисторний ключ IRF540N на платі з оптопарою та клемниками;
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DH0159
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 17mOhm; 59A; 230W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3710; IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; DH0159 DONGHAI TDH0159
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
HYG180N10LS1P
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF540; IRF540N; HYG180N10LS1P HUAYI THYG180n10ls1p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]