Результат пошуку "IRLS" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRLS3034_7P_DataSheet_v01_01_EN-3363473.pdf MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.76 грн
10+ 204.13 грн
25+ 173.41 грн
100+ 151.56 грн
250+ 144.73 грн
800+ 114.7 грн
2400+ 109.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012905555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.07 грн
10+ 201.42 грн
50+ 185.34 грн
100+ 157.17 грн
250+ 143.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 344000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+223.11 грн
10+ 193.11 грн
25+ 186 грн
100+ 164.79 грн
250+ 109.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies irls3034-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671af462705 Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.34 грн
1600+ 120.66 грн
2400+ 113.61 грн
5600+ 102.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+322.08 грн
44+ 273.22 грн
58+ 207.41 грн
100+ 199.04 грн
200+ 174.5 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012905555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.17 грн
250+ 143.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+240.27 грн
58+ 207.97 грн
60+ 200.31 грн
100+ 177.46 грн
250+ 117.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies irls3034-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671af462705 Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.23 грн
10+ 195.99 грн
100+ 158.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707 Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.17 грн
10+ 173.31 грн
100+ 140.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON 667372.pdf Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.67 грн
10+ 186.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+190.46 грн
73+ 165.53 грн
100+ 157.55 грн
200+ 150.96 грн
500+ 129.1 грн
Мінімальне замовлення: 63
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+245.7 грн
59+ 205.49 грн
63+ 192.25 грн
100+ 157.46 грн
250+ 136.32 грн
500+ 111.04 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLS3034_DataSheet_v01_01_EN-3363514.pdf MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.58 грн
10+ 193.14 грн
25+ 158.39 грн
100+ 135.18 грн
250+ 127.67 грн
500+ 120.16 грн
800+ 103.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+241.9 грн
52+ 232.68 грн
100+ 224.79 грн
250+ 210.18 грн
500+ 189.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707 Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.45 грн
1600+ 106.73 грн
2400+ 100.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+228.15 грн
10+ 190.81 грн
25+ 178.52 грн
100+ 146.21 грн
250+ 126.59 грн
500+ 103.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON 667372.pdf Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+186.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLS3036TRL International Rectifier N-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+130.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.06 грн
5+ 194.15 грн
6+ 151.48 грн
15+ 142.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+278.47 грн
5+ 241.94 грн
6+ 181.77 грн
15+ 171.53 грн
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.91 грн
10+ 212.78 грн
100+ 172.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+124.92 грн
Мінімальне замовлення: 96
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+172.89 грн
10+ 159.93 грн
25+ 157.33 грн
100+ 139.07 грн
250+ 103.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRLS3036_7P_DataSheet_v01_01_EN-3363427.pdf MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.66 грн
10+ 218.26 грн
25+ 187.75 грн
100+ 156.34 грн
250+ 155.66 грн
800+ 125.62 грн
2400+ 118.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.84 грн
10+ 173.85 грн
100+ 140.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.89 грн
1600+ 131.01 грн
2400+ 123.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.23 грн
2400+ 124.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+348.01 грн
41+ 297.15 грн
50+ 294.16 грн
200+ 235.58 грн
1600+ 148.68 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+143.34 грн
2400+ 135.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.62 грн
10+ 201.54 грн
100+ 163.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.39 грн
10+ 219.8 грн
50+ 189.17 грн
100+ 145.79 грн
250+ 131.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+402 грн
32+ 384.73 грн
50+ 370.07 грн
100+ 344.75 грн
250+ 309.53 грн
500+ 289.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLS3036_DataSheet_v01_01_EN-3363608.pdf MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.42 грн
10+ 222.97 грн
25+ 173.41 грн
100+ 157.71 грн
250+ 152.93 грн
500+ 144.05 грн
800+ 120.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+378.01 грн
34+ 361.77 грн
50+ 347.98 грн
100+ 324.17 грн
250+ 291.05 грн
500+ 271.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+150.52 грн
1600+ 124.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.78 грн
10+ 221.18 грн
25+ 125.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.79 грн
250+ 131.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+312.11 грн
46+ 263.25 грн
83+ 145.58 грн
100+ 131.73 грн
Мінімальне замовлення: 39
IRLS4030TRL International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Substitute: IRLS4030; IRLS4030TRL; IRLS4030-GURT; IRLS4030TRL obsolete; IRLS4030 TIRLS4030
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+153.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+227.59 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies irls4030-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d8902713 Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+200.7 грн
1600+ 165.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRLS4030_7P_DataSheet_v01_01_EN-3363636.pdf MOSFET MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.28 грн
10+ 265.37 грн
25+ 228.71 грн
100+ 204.13 грн
250+ 202.08 грн
500+ 173.41 грн
800+ 150.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+180.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+434.76 грн
30+ 406.84 грн
50+ 309.12 грн
100+ 297.12 грн
200+ 259.08 грн
500+ 218.8 грн
Мінімальне замовлення: 28
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012905619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.93 грн
10+ 277.24 грн
100+ 230.52 грн
500+ 157.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies irls4030-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d8902713 Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.07 грн
10+ 268.82 грн
100+ 217.43 грн
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+323 грн
42+ 285.66 грн
43+ 279.76 грн
100+ 234.15 грн
250+ 215.6 грн
500+ 161.37 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRLS3034TRL7PP infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+123.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP Infineon_IRLS3034_7P_DataSheet_v01_01_EN-3363473.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.76 грн
10+ 204.13 грн
25+ 173.41 грн
100+ 151.56 грн
250+ 144.73 грн
800+ 114.7 грн
2400+ 109.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034TRL7PP INFN-S-A0012905555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3034TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+281.07 грн
10+ 201.42 грн
50+ 185.34 грн
100+ 157.17 грн
250+ 143.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3034TRL7PP infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 344000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+223.11 грн
10+ 193.11 грн
25+ 186 грн
100+ 164.79 грн
250+ 109.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3034TRL7PP infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP irls3034-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671af462705
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+146.34 грн
1600+ 120.66 грн
2400+ 113.61 грн
5600+ 102.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+100.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRL7PP infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+322.08 грн
44+ 273.22 грн
58+ 207.41 грн
100+ 199.04 грн
200+ 174.5 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRLS3034TRL7PP INFN-S-A0012905555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3034TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+157.17 грн
250+ 143.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLS3034TRL7PP infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+240.27 грн
58+ 207.97 грн
60+ 200.31 грн
100+ 177.46 грн
250+ 117.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRLS3034TRL7PP irls3034-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671af462705
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.23 грн
10+ 195.99 грн
100+ 158.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034TRLPBF irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.17 грн
10+ 173.31 грн
100+ 140.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034TRLPBF 667372.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+249.67 грн
10+ 186.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLS3034TRLPBF infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+190.46 грн
73+ 165.53 грн
100+ 157.55 грн
200+ 150.96 грн
500+ 129.1 грн
Мінімальне замовлення: 63
IRLS3034TRLPBF infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+245.7 грн
59+ 205.49 грн
63+ 192.25 грн
100+ 157.46 грн
250+ 136.32 грн
500+ 111.04 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRLS3034TRLPBF Infineon_IRLS3034_DataSheet_v01_01_EN-3363514.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.58 грн
10+ 193.14 грн
25+ 158.39 грн
100+ 135.18 грн
250+ 127.67 грн
500+ 120.16 грн
800+ 103.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034TRLPBF infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRLPBF infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+241.9 грн
52+ 232.68 грн
100+ 224.79 грн
250+ 210.18 грн
500+ 189.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRLS3034TRLPBF irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+129.45 грн
1600+ 106.73 грн
2400+ 100.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRLPBF infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+128.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3034TRLPBF infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+228.15 грн
10+ 190.81 грн
25+ 178.52 грн
100+ 146.21 грн
250+ 126.59 грн
500+ 103.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3034TRLPBF 667372.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+186.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLS3036TRL
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+130.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.06 грн
5+ 194.15 грн
6+ 151.48 грн
15+ 142.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+278.47 грн
5+ 241.94 грн
6+ 181.77 грн
15+ 171.53 грн
IRLS3036TRL7PP INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+140.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.91 грн
10+ 212.78 грн
100+ 172.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRL7PP infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+124.92 грн
Мінімальне замовлення: 96
IRLS3036TRL7PP infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+172.89 грн
10+ 159.93 грн
25+ 157.33 грн
100+ 139.07 грн
250+ 103.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLS3036TRL7PP Infineon_IRLS3036_7P_DataSheet_v01_01_EN-3363427.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.66 грн
10+ 218.26 грн
25+ 187.75 грн
100+ 156.34 грн
250+ 155.66 грн
800+ 125.62 грн
2400+ 118.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRL7PP INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+245.84 грн
10+ 173.85 грн
100+ 140.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+158.89 грн
1600+ 131.01 грн
2400+ 123.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRL7PP infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+132.23 грн
2400+ 124.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRL7PP infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+348.01 грн
41+ 297.15 грн
50+ 294.16 грн
200+ 235.58 грн
1600+ 148.68 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRLS3036TRL7PP infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+143.34 грн
2400+ 135.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+131.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.62 грн
10+ 201.54 грн
100+ 163.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+85.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+296.39 грн
10+ 219.8 грн
50+ 189.17 грн
100+ 145.79 грн
250+ 131.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+402 грн
32+ 384.73 грн
50+ 370.07 грн
100+ 344.75 грн
250+ 309.53 грн
500+ 289.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRLS3036TRLPBF Infineon_IRLS3036_DataSheet_v01_01_EN-3363608.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.42 грн
10+ 222.97 грн
25+ 173.41 грн
100+ 157.71 грн
250+ 152.93 грн
500+ 144.05 грн
800+ 120.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+378.01 грн
34+ 361.77 грн
50+ 347.98 грн
100+ 324.17 грн
250+ 291.05 грн
500+ 271.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+150.52 грн
1600+ 124.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+263.78 грн
10+ 221.18 грн
25+ 125.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3036TRLPBF INFN-S-A0012905431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+145.79 грн
250+ 131.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+312.11 грн
46+ 263.25 грн
83+ 145.58 грн
100+ 131.73 грн
Мінімальне замовлення: 39
IRLS4030TRL
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Substitute: IRLS4030; IRLS4030TRL; IRLS4030-GURT; IRLS4030TRL obsolete; IRLS4030 TIRLS4030
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+153.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLS4030TRL7PP infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+166.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS4030TRL7PP infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+227.59 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRLS4030TRL7PP irls4030-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d8902713
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+200.7 грн
1600+ 165.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS4030TRL7PP Infineon_IRLS4030_7P_DataSheet_v01_01_EN-3363636.pdf
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+300.28 грн
10+ 265.37 грн
25+ 228.71 грн
100+ 204.13 грн
250+ 202.08 грн
500+ 173.41 грн
800+ 150.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS4030TRL7PP infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+180.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLS4030TRL7PP infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+434.76 грн
30+ 406.84 грн
50+ 309.12 грн
100+ 297.12 грн
200+ 259.08 грн
500+ 218.8 грн
Мінімальне замовлення: 28
IRLS4030TRL7PP INFN-S-A0012905619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS4030TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+382.93 грн
10+ 277.24 грн
100+ 230.52 грн
500+ 157.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS4030TRL7PP irls4030-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d8902713
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.07 грн
10+ 268.82 грн
100+ 217.43 грн
IRLS4030TRL7PP infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+323 грн
42+ 285.66 грн
43+ 279.76 грн
100+ 234.15 грн
250+ 215.6 грн
500+ 161.37 грн
Мінімальне замовлення: 38
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]